Ученые и исследователи TSMC, а также Массачусетского технологического института (MIT) и Национального университета Тайваня (NTU) продемонстрировали процесс, в котором используется полуметалл висмут, позволяющий производить полупроводники толщиной менее 1 нанометра. Об этом сообщает сайт South China Morning Post со ссылкой на объявление, опубликованное НТУ, и публикацию научной статьи в журнале Nature.
Согласно формулировке, этот прорыв может «нарушить границы закона Мура», - сказал профессор НТУ Чи-И Ву, один из 23 авторов. Технические факты в отчете далее не обсуждаются. С технической точки зрения исследователи постоянно сталкиваются с проблемами, особенно в отношении подходящего полупроводникового материала в связи со все более мелкими структурами .
По словам аналитика Сзехо Нг, который работает управляющим директором в China Renaissance Securities в Гонконге, последним исследованиям потребуется еще несколько лет, чтобы они вышли на массовый рынок: «До коммерциализации этой новаторской технологии осталось не менее десяти лет. Пусть ждут », - говорит он. Это примерно соответствовало бы более ранним планам развития Intel, согласно которым производственные структуры 1,4 нм ожидались на 2029 год.
