Открыть список
Как стать автором
Обновить
  • по релевантности
  • по времени
  • по рейтингу

Эксперты нашли брешь в защите от Rowhammer. Этот вид атак на ОЗУ DDR4 использовали еще 6 лет назад

Информационная безопасностьПроцессоры
image

Группа VUSec по системам и сетевой безопасности в университете VU Amsterdam провела исследование, которое показало, что в защите Target Row Refresh есть уязвимость CVE2020-10255. Она делает память DDR4 по-прежнему неустойчивой к атакам вида Rowhammer. Хакеры использовали атаки такого рода шесть лет назад.
Читать дальше →
Всего голосов 8: ↑8 и ↓0 +8
Просмотры1.6K
Комментарии 0

Новый тип DRAM поможет ускорить развитие ИИ

Высокая производительностьХранение данныхИскусственный интеллект

Исследователи работают над бесконденсаторной памятью DRAM с использованием оксидных полупроводников, которая может быть встроена в трехмерные слои над кремнием процессора. Если разработка зарекомендует себя в тестах, то она позволит обеспечить экономию площади и энергии при работе больших нейронных сетей.

Читать далее
Всего голосов 13: ↑11 и ↓2 +9
Просмотры3.6K
Комментарии 2

Шифрованные диски взломали через холодную перезагрузку

Информационная безопасность
Современная память (DRAM), вопреки общепринятому мнению, хранит информацию после отключения питания от нескольких секунд до нескольких минут (а если её охладить жидким азотом — до нескольких часов). Что даёт возможность, например, отключить питание загруженного компа, переставить память в другой комп, и загрузить на нем специальную утилиту, которая просканирует память и найдёт в ней ключи шифрования диска. Или не переставлять никуда память, а просто подключить USB-винт к взламываемому компу, и после передёргивания питания загрузиться с него. Взлом подтверждён для BitLocker, FileVault, dm-crypt, и TrueCrypt.

New Research Result: Cold Boot Attacks on Disk Encryption
Lest We Remember: Cold Boot Attacks on Encryption Keys (с видео)
Всего голосов 62: ↑59 и ↓3 +56
Просмотры4.1K
Комментарии 62

MetaSDRAM: путь к недорогой DRAM?

Компьютерное железо
Компания Metaram представила новую технологию производства модулей памяти. Эта технология, названная MetaSDRAM, позволяет производить 8-гигабайтные модули DRAM на основе 1-гигабитных чипов, вместо используемых сейчас 2-гигабитных и, соответственно, снизить их стоимость.

За счет использования специально разработанного чипсета (контроллеры потока данных и микросхемы управления доступом), являющегося посредником между чипами DRAM и контроллером памяти, технология MetaSDRAM обеспечивает четырехкратное увеличение объема памяти DRAM в модулях DIMM. Кроме того, по заявлению разработчика, 8-гигабайтные планки, произведенные с использованием гигабитных, чипов потребляют на 30% меньше используемых сегодня.

Чипсет MetaSDRAM MR08G2 (для создания 8-гигабайтный модулей) уже находится в серийном производстве. Но уже готов и MetaSDRAM MR16G2, который будет применяться в 16-гигабайтным модулях. Цены на чипсеты назначены, соответственно, в $200 и $450 (партия от 1000 шт.).

На данный момент об использовании MetaSDRAM в своих продуктах уже сообщили такие компании как Hynix Semiconductors и SMART Modular Technologies.

via Engadget
Всего голосов 7: ↑6 и ↓1 +5
Просмотры535
Комментарии 1

Прогноз цен на DRAM

Чулан
Судя по заявлениям крупнейших производителей, они больше не могут позволить себе терять деньги из-за сверхнизких цен на DRAM, державшихся последние полгода.

Сначала председатель совета директоров PowerChip выступил с предостережением о возможном дефиците памяти на фоне резкого снижения производства, а вчера тайваньская Nanya Technology заявила о повышении цен на свою продукцию.
Samsung Electronics, которая раньше всегда очень агрессивно не давала конкурентам повышать цены, тоже несет убытки, и, скорее всего, не будет демпинговать.
Читать дальше →
Всего голосов 5: ↑5 и ↓0 +5
Просмотры159
Комментарии 10

Россия присматривается к Qimonda?!

Чулан
Владимир Путин в Дрездене провел переговоры с президентом Саксонии Станиславом Тилихом (Stanislaw Tillich), после которых саксонская администрация заявила, что Россия может быть заинтересована в покупке обанкротившегося производителя DRAM.
Косвенным подтверждением этого заявления является присутствие на переговорах Виктора Христенко, которого российский премьер попросил проконтролировать процесс оценки компании.
Читать дальше →
Всего голосов 28: ↑26 и ↓2 +24
Просмотры208
Комментарии 23

Статистика сбоев DRAM от Google

Компьютерное железо
Статистика, собранная за два с половиной года на десяти серверах Google, показала, что количество ошибок в RAM гораздо выше, чем предполагалось ранее. В среднем на каждый модуль DIMM приходится 3751 ошибка в год. Если в микросхеме не реализована технология ECC, то эти ошибки так и остаются неисправленными.

Это первое столь масштабное и полное исследование надёжности оперативной памяти, используемой в стандартных ПК. Были проверены модули разных производителей и разных типов (DDR1, DDR2, FB-DIMM).



Как оказалось, количество ошибок мало зависит от температуры системы и марки DIMM, зато зависит от производителя материнской платы. Полные результаты см. здесь.
Всего голосов 59: ↑55 и ↓4 +51
Просмотры2.1K
Комментарии 58

Правда о PCM компании Numonyx: революция, которой не случилось

Компьютерное железо
Анекдот вместо предисловия:
— Вы слышали, Иванов выиграл в лотерею «Волгу».
— Вообще-то не Иванов, а Рабинович, не «Волгу», а сто рублей, не в лотерею, а в преферанс, и не выиграл, а проиграл.


На днях на Хабре появилась ссылка на сногсшибательную новость: в технологии производства памяти произошла революция, и скоро у нас будет единая память супер-пупер память на основе халькогенидных материалов, использующая фазовые переходы, вызванные нагревом при пропускании через ячейку электрического тока. Работает быстро как DRAM, да еще и энергонезависимая, как Flash.

К сожалению, практически все, написанное в статье — неправильно…
Чтобы у хабрасообщества не создалось неправильного представления о том, что происходит в мире памяти, хотелось бы рассказать правдивую историю PCM.

На вполне резонный вопрос с галерки: «А ты собсно кто такой, чтобы нам твою якобы правду слушать?» могу ответить, что я работаю отделе разработки компании-производителя памяти (в том числе и PCM) и по долгу службы «держу руку на пульсе».
Читать дальше →
Всего голосов 137: ↑134 и ↓3 +131
Просмотры902
Комментарии 72

Евросоюз оштрафовал DRAM-производителей на 320,6 млн евро

Компьютерное железо
Как выяснили регуляторы Евросоюза, девять компаний в период с 1 июля 1998 по 15 июня 2002 года искусственно держали на необходимом уровне цены на память. По решению суда были оштрафованы:

Samsung – на 145,7 миллиона евро
Infineon – на 56,7 миллиона
Hynix Semiconductor – на 51,5
Hitachi – на 20,4
Toshiba – на 17,6
Mitsubishi Electric – на 16,6
NEC – на 10,3
и Nanya Technology – на 1,8 миллиона евро.

Величина штрафа находится в прямой зависимости от роли, которую компания играла в «заговоре». Интересно, что факт скандального сговора вскрылся, благодаря компании Micron, которая также является производителем микросхем DRAM, но успела «явиться с повинной». В 2002 году Micron добровольно раскрыла подробности сговора, а потому оштрафована не была.

via europa.eu
Всего голосов 82: ↑75 и ↓7 +68
Просмотры262
Комментарии 47

Samsung ускоряет память

Блог компании Samsung
Менее года прошло с тех пор, как компаниями Samsung и Toshiba было принято решение совместно разрабатывать NAND флэш-память с интерфейсом Toggle DDR 2.0. В мае этого года Samsung объявил о начале производства 64 Гбит (8 Гб) NAND-чипа с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell) и вышеуказанным интерфейсом.

image

Новинка произведена по технологии 20-нм класса и имеет пропускную способность 400 Мбит/с. Это в 10 раз быстрее наиболее распространенной сегодня SDR (Single Data Rate) NAND памяти, которая обеспечивает пропускную способность в пределах 40 Мбит/с, и в три раза выше производительности памяти с интерфейсом Toggle DDR 1.0, которая ограничивается скоростью 133 Мбит/с. Разработка нацелена, в первую очередь, на рынок высокопроизводительных смартфонов, таблеток и твердотельных накопителей. Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных может достигать 6 Гб/с).

В свою очередь, Toshiba уже готова к выпуску NAND памяти с применением 19-нанометровой технологии. В прошлом месяце компания начала пробные поставки микросхем ёмкостью 8 Гб с двухбитовыми ячейками. Шестнадцать таких чипов, упакованных в один корпус, позволяют создавать флеш-накопители на 128 Гб для коммуникаторов, планшетов и прочих гаджетов.
Читать дальше →
Всего голосов 20: ↑18 и ↓2 +16
Просмотры7K
Комментарии 9

Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство третье поколение мобильной DRAM-памяти LPDDR3

Блог компании Samsung
Samsung Electronics продолжает активно усовершенствовать свои решения для мобильных устройств следующего поколения. Несколько дней назад стало известно, что компания начала массовое производство первой в отрасли двухгигабайтной памяти третьего поколения с низким энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи данных (LPDDR3). При ее создании использовался 30-нанометровый техпроцесс. 18 сентября новое решение было продемонстрировано на Samsung Mobile Solution Forum.


Читать дальше →
Всего голосов 5: ↑4 и ↓1 +3
Просмотры5.7K
Комментарии 7

DRAM Errors или не спешите винить Software

Блог компании Intel

Когда компьютер зависает или выдает пресловутый BSOD, как правило, во всем винят программное обеспечение (а также: кривые драйвера и руки недоучившихся программистов, Microsoft и лично Билла Гейтса и т.д.). Но в последние несколько лет ученые начали более пристально присматриваться к аппаратным сбоям, и обнаружили другой серьезный тип проблем, которые проявляются гораздо чаще, чем многие думают. О них и пойдет речь.
Читать дальше →
Всего голосов 43: ↑38 и ↓5 +33
Просмотры46.5K
Комментарии 51

Статистика отказов в серверной памяти

IT-инфраструктураСерверное администрирование


В 2009 году, на ежегодной научной конференции SIGMETRICS, группа исследователей, работавших в Университете Торонто с данными, собранными и предоставленными для изучения компанией Google, опубликовала крайне интересный документ "DRAM Errors in the Wild: A Large-Scale Field Study" посвященный статистике отказов в серверной оперативной памяти (DRAM). Хотя подобные исследования и проводились ранее (например исследование 2007 года, наблюдавшее парк в 300 компьютеров), это было первое исследование, охватившее такой значительный парк серверов, исчисляемый тысячами единиц, на протяжении свыше двух лет, и давшее столь всеобъемлющие статистические сведения.

Отмечу также, что та же группа исследователей, во главе с аспирантом, а ныне профессором Университета Торонто, Бианкой Шрёдер (Bianca Shroeder) ранее, в 2007 году публиковала не менее интересное исследование, посвященное статистике отказов жестких дисков в датацентрах Google (краткую популярную выжимку из работы Failure Trends in a Large Disk Drive Population (pdf 242 KB), если вам скучно читать весь отчет, можно найти здесь: http://blog.aboutnetapp.ru/archives/tag/google). Кроме того, их перу принадлежит еще несколько работ, в частности об влиянии температуры и охлаждении, и о статистике отказов в оперативной памяти, вызываемой, предположительно, космическими лучами высоких энергий. Ссылки на публикации можно найти на домашней странице Шрёдер, на сервере университета.
Читать дальше →
Всего голосов 72: ↑67 и ↓5 +62
Просмотры45.1K
Комментарии 81

Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство первые модули памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ

Блог компании Samsung
Добрый день, Хабр!

Samsung поставила на поток производство модулей памяти LPDDR3 для мобильных устройств, которые обладают самым большим объемом (3 ГБ) среди конкурентов на рынке. Это стало известно на прошлой неделе: компания вновь оказалась «впереди планеты всей» в техническом и технологическом плане. В серийную штамповку ушли первые в индустрии трехгигабайтные образцы маломощной мобильной DRAM-памяти третьего поколения с удвоенной скоростью передачи данных. До настоящего времени самые современные смартфоны и планшеты базировались на 2 ГБ модулях… что ж, настало время для очередного рывка и смены стандартов.


Читать дальше →
Всего голосов 11: ↑11 и ↓0 +11
Просмотры7.2K
Комментарии 19

Коротко о новом: Samsung объявила о начале серийного производства новой 4-гигабитной памяти DDR4

Блог компании Samsung
Samsung Electronics объявила о начале серийного производства новой памяти DDR4, которая предназначена для корпоративных серверов, работающих в составе передовых центров обработки данных.

Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.

image
Читать дальше →
Всего голосов 16: ↑15 и ↓1 +14
Просмотры15.5K
Комментарии 3

Коротко о новом: Samsung разработала первый в мире 8-гигабитный модуль мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Блог компании Samsung
Добрый день, Хабр!

Samsung Electronics объявила о своих успехах в разработке первого промышленного энергоэффективного 8-гигабитного модуля мобильной DRAM-памяти, соответствующего стандарту LPDDR4.

Новая память производится на базе тех. процесса 20-нм класса и несет по одному гигабайту на кристалле, что является самым высоким показателем плотности для DRAM-компонентов на сегодняшнем рынке.

image
Читать дальше →
Всего голосов 33: ↑31 и ↓2 +29
Просмотры21.9K
Комментарии 25

Эволюция памяти – от каменной до электронной

Блог компании Intel
Перевод
Тема хранения информации была актуальна во все времена — начиная с рассвета человеческой цивилизации и по сей день. Свой авторский взгляд на историю средств хранения предлагает Джереми Кук, публикующий свои статьи на сайте EETimes.

В продолжение темы об эволюции цифровой памяти я подготовил что-то вроде слайд-шоу, иллюстрирующего этот прогресс. Полный обзор истории памяти – занятие слишком утомительное, поэтому я выбрал список того, что считаю в ней основным. Приглашаю всех высказывать свое мнение о подборке в комментариях.

Письменность



Источник: Университет Чикаго
Еще не электронная и даже не механическая, письменность сама по себе была невероятным открытием. Она позволила не только общаться людям, находящимся в разных местах, но и передавать знания из поколения в поколение. Согласно исследованиям университета Чикаго, письменность появилась около 3500 до н.э. и это событие стало «началом информационной революции». По-моему, лучше и не скажешь.
Читать дальше →
Всего голосов 43: ↑36 и ↓7 +29
Просмотры19K
Комментарии 15

Коротко о новом: Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 плотностью 4 Гбит

Блог компании Samsung
Добрый день, Хабр!

Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти.

image
Читать дальше →
Всего голосов 24: ↑23 и ↓1 +22
Просмотры14K
Комментарии 28

Samsung начинает массовый выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV

Блог компании Samsung
Добрый вечер, Хабр!

Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.


Читать дальше →
Всего голосов 47: ↑45 и ↓2 +43
Просмотры33.1K
Комментарии 18
1