Открыть список
Как стать автором
Обновить

Комментарии 26

Ужасающее количество орфографических ошибок. Вас что, кнутом заставляли писать как можно быстрее? Можно же было после написания проверить текст спеллчекером, дать день-два отлежаться, после чего еще раз вычитать. А если своей грамотности не хватает (уж очень часто встречается ошибка «тся/ться), дать вычитать кому-то другому.
Вот, кстати, чем мне не нравится список аргументов за минус к статьям: среди прочего там есть „придраться к орфографии“. Но если статья хорошая (а эта по крайней мере на первый взгляд выглядит неплохой), сливать ее по такому дурацкому поводу рука не поднимается. А если статья про очередные непризнанные теории и прочий шлак, не хватает кнопки „антинаука и мракобесие“.
В общем, послушайтесь совета: вычитайте статью, дайте вычитать другим людям и исправьте ошибки, опечатки и прочий „силикон“.

Исправил сколько смог. Спасибо за советы!

Что-то больно быстро вы выполнили совет «день-два отлежаться». Вы машину времени раскопали?
Кремний производиться на заводе

Или другому человеку дайте вычитать. Вы же не пост на форум пишете «памагите ичего не работает», а статью на солидный ресурс.
«Солидным» хабр был лет 12-15 назад, сейчас это просто рекламная площадка. Так что зря Вы на автора бочку катите.
В рекламных статьях пусть хоть на олбанском разговаривают. Рак не жалко.
Но автор-то пишет о вполне технических вещах.
И это не «катание бочки» а именно совет как сделать лучше.
Я твой дом труба шатал, калитка хлопал, кепка на MOSFET вертел!
Арман джан, барев дзес!
спасибо за статью!
великолепная подборка материала.
не обижайся на тех кто тычет в ошибки, обычно люди с возрастом становятся вежливее, кто-то с детства, кто-то позже, но кто-то так и остается Гагиком
Очень интересная статья. Хотелось бы в следующих статьях цикла узнать как получить физическую микросхему и сколько это может стоить (и есть ли тенденция к уменьшению цены). Ну и как пройти все грабли наиболее дешевым способом

"как получить физическую микросхему и сколько это может стоить" Ждать пока SKY130 запустит еще один Multi-project wafer и получить 50 схем за бесплатно.
Касательно других технологий։ https://en.wikipedia.org/wiki/Multi-project_wafer_service
https://www.cmc.ca/technologies/ Здесь есть список цен по площади микросхемы. Учтите, что здесь нет информации о минимальных требованиях.
Также не забывайте, что вам придеться купить ПО для разработки самой схемы. Если вы учитесь в институте по профилю в какой нибудь канаде всё это будет стоить вам дешевле, ибо у вас будет все ПО и стоимость производства по подписке для институтов будет ниже


Например։
STM 28 nm FD SOI CMOS
1.0 V/1.8 V
1P8M
$12,500/mm2
(Minimum charge is for a 1.25 mm2 design)


TSMC 0.13 µm CMOS RF Mixed-Signal Process
1.2 V/3.3 V
1P8M
mimcap
$2,050/mm2


Если это чисто цифровая микросхема используйте FPGA за 6-100$.
Если аналогавая, попытайтесь собрать её из существующих компонентов и FPGA по необходимости.

Не делайте слишком хороших процессоров, чтобы не попасть под санкции!
Так значит проектируем своего Т-2000 с нуля? :)
Задумка со статьёй очень интересная. Реализация ужасная, т.к. имеется в изобилии каша в голове, провалы в памяти и полнейшее незнание или нежелание изучать предмет ПП технологии.
Минутка ярости
Для сравнения, в переводе на айтишный язык Вы только что написали примерно такое руководство по программированию: «компухтер состоит из проца и мозгов, ещё его можно запрограммировать включать свет в туалете, а теперь я вам покажу как разыменовывать указатель в C++, а в следующей части мы будем делать автопилот на питоне».

Критика. Попробуйте учесть это в следующих статьях. Про силикон Вам уже написали. Нет такого материала в микроэлектронике «полисиликон». Есть поликремний. У Вас очень плохо с терминологией и базовой подготовкой. Читайте русские книги по технологии. Их мало, но они есть.

Пассаж про «все микросхемы состоят из кремния и корпуса» и далее впечатляет. Начиная от нагловато-пренебрежительного отношения, типа «чо тут думать, дёргать надо», и заканчивая той же терминологией. Кремний и корпус — это как тёплое и мягкое. В русском языке принят термин «подложка» или «кристалл». Подложка может быть из монокремния, и чаще всего это так, но это вообще не догма, также, как и корпус из пластика.

«Кремний производиться на заводе. Каждый завод имеет свою технологию производства.» Факт, что на заводе. Технология производства электронного кремния ± одинаковая на любом заводе. А микросхемы производят на других заводах, о чём речь дальше и идёт. Это опять какая-то кривая калька с английского.

GDS-II всего лишь формат файла. С тем же успехом можно отправить на производство и OASIS. Лучше говорить о топологии, т.е. содержимом, а не о формате. Ещё, для лучшего понимания результата, неплохо знать, что слои, используемые при проектировании схемы, и технологические «в кремнии» — это вообще-то не одно и то же. Для начала, есть определённые правила преобразования из первых слоёв в так называемые «масочные», т.е. те слои, которые соответствуют топологии фотошаблонов. Несколько слоёв и дататайпов могут накладываться друг на друга с определённой логической функцией для формирования одного масочного слоя, например, или автоматически генерироваться новые масочные слои, отсутствующие в дизайне схемы. А в процессе производства структура вообще будет во многих нюансах выглядеть иначе, чем нарисовано. Примеры. Профили ионного легирования, будут зависеть от режимов разгонки примеси. Размеры после травления будут иметь заранее известные технологические уходы от размеров в дизайне. А контактные окна вообще будут круглыми, хотя рисуют их всегда квадратными.

«Мы будем рассматривать только технологии 130нм ибо про нее я знаю достаточно много.» Really!? Так-то вообще ничего похожего на описание особенностей технологии 130 нм дальше нет.

«Большая область справа это и есть SHA3 схема, а всё остальное так называемый Caravel Harness. Для того чтобы гугл смог произвести вашу микросхему по технологии SKY130 гугл требует чтобы ваша основанная схема справа и подключается к жёлтым точкам.» Кровь моя глаза прошиб. Ничего не написали, что есть Caravel Harness, хотя это совсем не обычный MPW запуск, а весьма кучерявая SoC, которая будет обслуживать ваше кастомное ядро. Насколько я понял, почитав это по диагонали, как минимум режимы I/O программируются исключительно этой штукой. Прямого доступа к падам у вас нет. Кстати, те жёлтые точки, и есть пады или контактные площадки, если говорить по-русски.

Тему, как работает транзистор, Вы, конечно, слили вчистую. Дали бы хоть на Википедию ссылку для приличия. Как его правильно нарисовать (и зачем, если у Вас есть готовый PDK) по слоям тоже толком не объяснили. При чём тут разработка аналоговых компонентов вообще не понятно, и как в этой части оказалось описание цифрового тулкита и инвертора?

Учту. Спасибо за советы

Armleo можете на рисунке с текстом "Транзистор N-MOS. Понять тип можно по типу двух контактов Source и Drain" пояснить, где паразитный диод и добавить более внятного описания что есть что пожалуйста? Вот синее — это металл? Поясните пожалуйста почему Source имеет такую причудливую форму, соединяя P+ и N+? И также что такое N+ и P+.
Спасибо за очень интересную статью!

Поясните пожалуйста почему Source имеет такую причудливую форму, соединяя P+ и N+?

Он и подаёт напряжение на подложку, чтобы в ней образовался проводящий канал под затвором, и подаёт «полезную нагрузку» через этот канал на сток.

Можете его себе представить как релюшку, у которой два вывода — один из управляющих и один из исполнительных — сварены намертво.

И также что такое N+ и P+.

Зоны легирования с добавлением электронов и с добавлением дырок соответственно.
И также что такое N+ и P+.

Зоны легирования с добавлением электронов и с добавлением дырок соответственно.

Если точнее, зона, сильно легированная донорной и акцепторной примесью. Важно что N+, P+ это сильно легированная в отличие от N, P, которые просто легированы. И важно что добавляются не электроны или дырки, а примесь, которая их порождает. Все-таки если в полупроводник «насыпать» электронов, он просто зарядится отрицательно, без интересных эффектов.
Поясните пожалуйста почему Source имеет такую причудливую форму, соединяя P+ и N+?

Это конфигурация проводящей области. Физически, естественно, области истока, стока и затвора никак не меняются, но если к затвору приложить напряжение, электроны из подложки либо притянутся поближе к каналу, что увеличит его проводимость, либо оттолкнутся, что ее уменьшит. Поскольку потенциал на истоке обычно выше, чем на стоке, электроны притягиваются больше к нему, поэтому и проводящая область искажается несимметрично.
Это так, на пальцах. На самом деле там немного сложнее.
Добавлю несколько фраз к ответам. Да, синее — это металл. В левой части структуры область легированная p+ сделана для формирования омического контакта металла к ПП подложке. Иначе получится диод Шоттки. Контакт к подложке сделан, чтобы привести потенциал подложки к потенциалу истока, т.к. транзистор управляется потенциалом затвор-исток. Будет гулять потенциал подложки, поедет пороговое напряжение. За одно этим же способом исключается отпирание pn-переходов КМОП структуры с одним карманом. Открытие этих переходов черевато так называемым тиристорным эффетом или «защёлкиванием», когда КМОП-структура самопроизвольно открывается накоротко и начинает потреблять ток как не в себя. Чтобы этого не произошло используют и дополнительные приёмы. А в более продвинутых технологиях (читай, в любых субмикронных) вообще используют twin-tub процесс с двумя изолированными карманами, правда причин для этого всё же больше, чем только «защелка».

Что касается широко известного «паразитного диода», то в данном примере он получится из pn-перехода подложка-сток. Но о нём говорят, как правило, относительно дискретных транзисторов и называется он в оригинале body diode. У таких транзисторов, как правило, другая структура, не планарная, а вертикальная, но её базовый принцип работы тот же. Отличия в конструкции. Посмотрите объяснение тут, например. И ещё хорошая дискуссия тут.

Автор, а ты случаем не продаёшь свой процессор?))) я бы может купил, порезал и посмотрел на него

Ни в одном институте (а я закончил 3 разных после колледжа) я не видел такой специальности и даже не представляю как она называется. Как называется специальность людей которые делают микросхемы и как таких людей называют? В России сейчас, после СССР, такие люди остались? Можете рассказать о последних российских (не советских) поделках? А оборудование для производства? Слышал, что все оборудование устарело, а что мешает самим сделать новое и современное, ведь не боги горшки обжигают и не боги современное оборудование делают? Почему в прессе говорят о том, что его покупать надо, почему не делают сами, ведь в СССР могли как-то?
Оно называется программист. Потому как все современные цифровые интегральные схемы пишут на System verilog и потом компилируют либо до FPGA (грубо говоря эмулятор, но железный), либо до кремния. Например, как Intel.

А вот с Analog Devices все сложнее.
Никто не называет разработчиков микросхем, даже полностью цифровых, программистами. Их называют «разработчиками микросхем».
Специальностей по разработке и производству интегральных микросхем довольно много. Специалистов называют разработчиками, технологами, верификаторами, топологами, системными архитекторами и много кем еще, в зависимости от того, чем именно они занимаются.
ВУЗы, в которых можно получить эту специальность — это, например, МИЭТ, МФТИ, МИФИ, МИРЭА, ИТМО, ЛЭТИ.

В России такие люди еще остались, но их становится со временем меньше, потому что за границей лучше кормят. Оборудование не делают сами, потому что со времен распада СССР его сложность и стоимость выросла на несколько порядков.

Давно грезил идеей собрать компьютер, не по деталям, а сделать процессор, потом мать, оперативку, видеокарту все это вместе и прям туда свою ос заказать, и что бы все заработало
Вау, ну с каждым годом я все ближе к этой идеи, а с каждым следующим постом я так понимаю буду и подавно. Спасибо за пост, жду следующих

Арман Аветисян! Слов нет, но Вы гений! Благодарю за статью, вернее за Труд и Усердие, которое вложили в свое детище и не пожалели свой РИД нам, подписчикам Хабра!

Только полноправные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.