Комментарии 28
Вот, кстати, чем мне не нравится список аргументов за минус к статьям: среди прочего там есть „придраться к орфографии“. Но если статья хорошая (а эта по крайней мере на первый взгляд выглядит неплохой), сливать ее по такому дурацкому поводу рука не поднимается. А если статья про очередные непризнанные теории и прочий шлак, не хватает кнопки „антинаука и мракобесие“.
В общем, послушайтесь совета: вычитайте статью, дайте вычитать другим людям и исправьте ошибки, опечатки и прочий „силикон“.
Исправил сколько смог. Спасибо за советы!
Кремний производиться на заводе
Или другому человеку дайте вычитать. Вы же не пост на форум пишете «памагите ичего не работает», а статью на солидный ресурс.
спасибо за статью!
великолепная подборка материала.
не обижайся на тех кто тычет в ошибки, обычно люди с возрастом становятся вежливее, кто-то с детства, кто-то позже, но кто-то так и остается Гагиком
"как получить физическую микросхему и сколько это может стоить" Ждать пока SKY130 запустит еще один Multi-project wafer и получить 50 схем за бесплатно.
Касательно других технологий։ https://en.wikipedia.org/wiki/Multi-project_wafer_service
https://www.cmc.ca/technologies/ Здесь есть список цен по площади микросхемы. Учтите, что здесь нет информации о минимальных требованиях.
Также не забывайте, что вам придеться купить ПО для разработки самой схемы. Если вы учитесь в институте по профилю в какой нибудь канаде всё это будет стоить вам дешевле, ибо у вас будет все ПО и стоимость производства по подписке для институтов будет ниже
Например։
STM 28 nm FD SOI CMOS
1.0 V/1.8 V
1P8M
$12,500/mm2
(Minimum charge is for a 1.25 mm2 design)
TSMC 0.13 µm CMOS RF Mixed-Signal Process
1.2 V/3.3 V
1P8M
mimcap
$2,050/mm2
Если это чисто цифровая микросхема используйте FPGA за 6-100$.
Если аналогавая, попытайтесь собрать её из существующих компонентов и FPGA по необходимости.
Критика. Попробуйте учесть это в следующих статьях. Про силикон Вам уже написали. Нет такого материала в микроэлектронике «полисиликон». Есть поликремний. У Вас очень плохо с терминологией и базовой подготовкой. Читайте русские книги по технологии. Их мало, но они есть.
Пассаж про «все микросхемы состоят из кремния и корпуса» и далее впечатляет. Начиная от нагловато-пренебрежительного отношения, типа «чо тут думать, дёргать надо», и заканчивая той же терминологией. Кремний и корпус — это как тёплое и мягкое. В русском языке принят термин «подложка» или «кристалл». Подложка может быть из монокремния, и чаще всего это так, но это вообще не догма, также, как и корпус из пластика.
«Кремний производиться на заводе. Каждый завод имеет свою технологию производства.» Факт, что на заводе. Технология производства электронного кремния ± одинаковая на любом заводе. А микросхемы производят на других заводах, о чём речь дальше и идёт. Это опять какая-то кривая калька с английского.
GDS-II всего лишь формат файла. С тем же успехом можно отправить на производство и OASIS. Лучше говорить о топологии, т.е. содержимом, а не о формате. Ещё, для лучшего понимания результата, неплохо знать, что слои, используемые при проектировании схемы, и технологические «в кремнии» — это вообще-то не одно и то же. Для начала, есть определённые правила преобразования из первых слоёв в так называемые «масочные», т.е. те слои, которые соответствуют топологии фотошаблонов. Несколько слоёв и дататайпов могут накладываться друг на друга с определённой логической функцией для формирования одного масочного слоя, например, или автоматически генерироваться новые масочные слои, отсутствующие в дизайне схемы. А в процессе производства структура вообще будет во многих нюансах выглядеть иначе, чем нарисовано. Примеры. Профили ионного легирования, будут зависеть от режимов разгонки примеси. Размеры после травления будут иметь заранее известные технологические уходы от размеров в дизайне. А контактные окна вообще будут круглыми, хотя рисуют их всегда квадратными.
«Мы будем рассматривать только технологии 130нм ибо про нее я знаю достаточно много.» Really!? Так-то вообще ничего похожего на описание особенностей технологии 130 нм дальше нет.
«Большая область справа это и есть SHA3 схема, а всё остальное так называемый Caravel Harness. Для того чтобы гугл смог произвести вашу микросхему по технологии SKY130 гугл требует чтобы ваша основанная схема справа и подключается к жёлтым точкам.» Кровь моя глаза прошиб. Ничего не написали, что есть Caravel Harness, хотя это совсем не обычный MPW запуск, а весьма кучерявая SoC, которая будет обслуживать ваше кастомное ядро. Насколько я понял, почитав это по диагонали, как минимум режимы I/O программируются исключительно этой штукой. Прямого доступа к падам у вас нет. Кстати, те жёлтые точки, и есть пады или контактные площадки, если говорить по-русски.
Тему, как работает транзистор, Вы, конечно, слили вчистую. Дали бы хоть на Википедию ссылку для приличия. Как его правильно нарисовать (и зачем, если у Вас есть готовый PDK) по слоям тоже толком не объяснили. При чём тут разработка аналоговых компонентов вообще не понятно, и как в этой части оказалось описание цифрового тулкита и инвертора?
Учту. Спасибо за советы
Armleo можете на рисунке с текстом "Транзистор N-MOS. Понять тип можно по типу двух контактов Source и Drain" пояснить, где паразитный диод и добавить более внятного описания что есть что пожалуйста? Вот синее — это металл? Поясните пожалуйста почему Source имеет такую причудливую форму, соединяя P+ и N+? И также что такое N+ и P+.
Спасибо за очень интересную статью!
Поясните пожалуйста почему Source имеет такую причудливую форму, соединяя P+ и N+?
Он и подаёт напряжение на подложку, чтобы в ней образовался проводящий канал под затвором, и подаёт «полезную нагрузку» через этот канал на сток.
Можете его себе представить как релюшку, у которой два вывода — один из управляющих и один из исполнительных — сварены намертво.
И также что такое N+ и P+.
Зоны легирования с добавлением электронов и с добавлением дырок соответственно.
И также что такое N+ и P+.
Зоны легирования с добавлением электронов и с добавлением дырок соответственно.
Если точнее, зона, сильно легированная донорной и акцепторной примесью. Важно что N+, P+ это сильно легированная в отличие от N, P, которые просто легированы. И важно что добавляются не электроны или дырки, а примесь, которая их порождает. Все-таки если в полупроводник «насыпать» электронов, он просто зарядится отрицательно, без интересных эффектов.
Поясните пожалуйста почему Source имеет такую причудливую форму, соединяя P+ и N+?
Это конфигурация проводящей области. Физически, естественно, области истока, стока и затвора никак не меняются, но если к затвору приложить напряжение, электроны из подложки либо притянутся поближе к каналу, что увеличит его проводимость, либо оттолкнутся, что ее уменьшит. Поскольку потенциал на истоке обычно выше, чем на стоке, электроны притягиваются больше к нему, поэтому и проводящая область искажается несимметрично.
Это так, на пальцах. На самом деле там немного сложнее.
Что касается широко известного «паразитного диода», то в данном примере он получится из pn-перехода подложка-сток. Но о нём говорят, как правило, относительно дискретных транзисторов и называется он в оригинале body diode. У таких транзисторов, как правило, другая структура, не планарная, а вертикальная, но её базовый принцип работы тот же. Отличия в конструкции. Посмотрите объяснение тут, например. И ещё хорошая дискуссия тут.
Автор, а ты случаем не продаёшь свой процессор?))) я бы может купил, порезал и посмотрел на него
А вот с Analog Devices все сложнее.
ВУЗы, в которых можно получить эту специальность — это, например, МИЭТ, МФТИ, МИФИ, МИРЭА, ИТМО, ЛЭТИ.
В России такие люди еще остались, но их становится со временем меньше, потому что за границей лучше кормят. Оборудование не делают сами, потому что со времен распада СССР его сложность и стоимость выросла на несколько порядков.
Давно грезил идеей собрать компьютер, не по деталям, а сделать процессор, потом мать, оперативку, видеокарту все это вместе и прям туда свою ос заказать, и что бы все заработало
Вау, ну с каждым годом я все ближе к этой идеи, а с каждым следующим постом я так понимаю буду и подавно. Спасибо за пост, жду следующих
Арман Аветисян! Слов нет, но Вы гений! Благодарю за статью, вернее за Труд и Усердие, которое вложили в свое детище и не пожалели свой РИД нам, подписчикам Хабра!
А где про свой процессор в ПЛИС? Так нельзя писать статьи.
https://github.com/armleo/ArmleoCPU <- В процессе разработки
Как разработать микросхему. Собственный процессор (почти)