На плате некоторого устройства N сгорел транзистор IRF4905, да так, что треснул, поэтому появилась возможность взглянуть на его внутреннее устройство.
Характеристики IRF4905 согласно документации: Р-канальный полевой транзистор. Постоянный ток при 20 С – 74 А, пульсирующий ток до 260 А. Сопротивление в открытом состоянии – 0.02 Ом. Низкое сопротивление достигается технологией HEXFET, суть которой состоит в том, что полевой транзистор это не один транзистор, а множество (сотни тысяч) маленьких полевых транзисторов, включенных параллельно.
Максимальная рассеивающая мощность транзистора – 200 Вт. В доказательство таких больших показателей – прогоревший текстолит и треснувший транзистор (держался до последнего).
Сам кристалл имеет площадь 24 мм2. Толщина кристалла 0,3 мм. Напаян на эвтектику.
Разварка выполнена алюминиевой проволокой. На ней виден желтоватый налет – это нагар. Управляющий электрод имеет диаметр около 50 мкм, а три толстые проволоки диаметром 0.5 мм каждая. На толстой проволоке виден след от инструмента разварки.
Схематично технология HEXFET компании International Rectifier выглядит так:
По документации транзистор IRF4905 реализуется на пятом поколении технологии HEXFET.
Фотографии можно открыть в новом окне и посмотреть более детально. С каждым фото приближение ближе для понимания масштабов погружения.
~100X приближение
~200х приближение
~400 Х приближение
~1000х приближение
Вот так выглядит верхняя топология матрицы полевых транзисторов.
Попробовал стравить верхний слой металлизации с помощью персульфата аммония. Получилось грязновато, но зато стали видны четкие контуры шестиугольной формы. Приблизительные размеры шестиугольников – 5-7 мкм (это 5000-7000 нм).
Спасибо за внимание.
