Комментарии
Да и lead frame это не «свинцовый остов» а скорее «контактная площадка»
более дословный перевод: выводная рамка

но в целом вся статья это машинный перевод и надмозг
Нет, не «контактная площадка» (contact pad).
Lead frame — это гребёнка проводников, идущих от контактных площадок наружу корпуса.
Как это называется по-русски?
Точно!

Просим SLY_G изменить подпись к КДПВ на «Увеличенное фото чипа 8086; видно кремниевый кристалл и соединение контактных площадок на нём с проволочной разваркой».
«проволочная разварка» это процесс присоединения кристалла проволочками к выводам, а не сами выводы (leads), так что ваш вариант тоже будет неправильным.

правильно будет: «Увеличенное фото чипа 8086; видно кремниевый кристалл и проволочную разварку».
Понимаю, что перевод, но всё же...
Революционный микропроцессор Intel 8086
Не был он революционным. Сделанный на скорую руку по остаточному принципу, с плохо продуманной системой команд — в то время, как основные силы компании были брошены на разработку iAPX 432.

Единственным преимуществом 16-разрядных процессоров Intel была стоимость производства системного блока на базе 8088. И именно это стало причиной, по которой IBM выбрала Intel.

Приличная система команд и нормальная плоская адресация памяти появились только в 32-разрядном 80386.
Сегодня генераторы напряжения смещения продаются в качестве готовых патентованных идей – можно купить схему такого генератора и вставить в проект своего чипа (см. ссылки 1, 2, 3, 4, 5, 6). Существует даже стандарт на питание IEEE 1801, согласно которому инструменты разработки ИС могут генерировать необходимые схемы.


Эта часть просто великолепна. Кто-то патентует «генераторы напряжения смещения», а кто-то просто использует UPF для генерирования необходимых схем. Как все просто-то. Надо пойти срочно коллегам рассказать, что на UPF можно схемы DC/DC преобразователей создавать. Или лучше сразу авторам стандарта написать письмо, а то они то не в курсе.

Вот это даже еще лучше. Автор перевода просто вставил в статью комментарий от консультанта как если бы автор оригинальной статьи это написал.
Я, конечно, немного упростил схему работы. Из-за падения напряжения на транзисторе напряжение на подложке будет равняться -3 В, а не -5 В. Если чипу нужно более сильное падение напряжения, можно сделать каскад из нескольких генераторов подкачки заряда. Говоря о направлении работы генератора, я имею в виду направление тока. Если вы представляете себе подкачку электронов, то считайте, что отрицательно заряженные электроны закачиваются в противоположном направлении, в подложку.


Отрадно, что автор перевода консультируется у специалистов о переводимом материале. Печально, однако, что качество материала все еще низкое и прививает новичкам некорректную терминологию, а подчас и вовсе обманчивые утверждения содержит.
Автор перевода просто вставил в статью комментарий от консультанта как если бы автор оригинальной статьи это написал.

Ничего подобного: именно автор оригинальной статьи это и написал.
Спасибо за поправку, эту сноску я пропустил. Что ж, это делает ситуацию еще печальнее: что оригинал так себе, что перевод…

Добавлю сюда оригинал этого отрывка, чтоб людям не надо было бегать по статьям с разным форматированием в поисках этого отрывка.
I've simplified the charge pump discussion slightly. Due to voltage drops in the transistors, the substrate voltage will probably be around -3V, not -5V. (If a chip requires a larger voltage drop, charge pump stages can be cascaded.) For the pump direction, I'm referring to current flow. If you think of it as pumping electrons, the negative electrons are being pumped the opposite direction, into the substrate.


Если б у автора оригинальной статьи была живая секция комментариев, я бы может даже спросил что такое «the negative electrons»… Так то различают всего два типа носителей заряда: дырки(+) и электроны(-).
Наверное речь о том, что ток течет в ту сторону, куда «текут дырки», и против направления, куда текут электроны:
j = — n_e*|e|*v_e + n_h*|e|*v_h,
где жирным я обозначил векторные величины.
Ранним чипам памяти DRAM и микропроцессора часто требовалось три напряжения питания: +5 В (Vcc), +12 В (Vdd) и -5 В (Vbb).… К примеру, MK4116 (16-килобитная DRAM от Mostek 1977 года) требовала три напряжения, а улучшенная MK4516 (1981) работала уже с единственным +5 В, что упрощало проектирование схем. Забавно, что у некоторых из новых чипов для обратной совместимости были не подсоединённые ни к чему контакты Vbb и Vcc.

Сначала хотел указать на ошибку в тексте (Vcc вместо Vdd), но потом посмотрел в datasheet 4116 и MK4516:


  • вывод 1: Vss (-5V) и !RFSH — так себе совместимость: 4516 в плате для 4116 будет всегда в режиме регенерации, но можно отрезать ножку (datasheet разрешает висящий вывод);
  • вывод 8: Vdd (+12V) и Vcc (+5V) — так себе совместимость: я сильно не уверен, что 4516 понравится +12В вместо +5В;
  • вывод 9: Vcc (+5V) и NC — вот тут вот то, о чём в тексте говорится.

В следующем параграфе упоминаются intel 2116 и 2118: первый совместим с 4116 по выводам, второй совместим с 4516, при условии, что первый вывод не подключен. Так что ситуация с 2118 лучше: даже девятый обозван Vdd, но вот +12В ему также не понравится.


Всё это, конечно, не противоречит тому, что могли существовать чипы с отключенными первым и восьмым выводами для pin-to-pin совместимостью с платами для 4116/2116, но хотелось бы видеть реальные примеры в статье, а их нет. (Это придирка к оригинальной статье.)

Спасибо. А то я собирал компьютер специалист, и радио 86, и все думал, зачем там нужно -5 вольт, да ещё чтоб оно первым подавалось. Блок питания ещё специальный делал

А вот в 6 афоризме (был вентиль — стал затвор) скорее всего gate — вентиль (т.к. имеется ввиду именно логический элемент).

Только полноправные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.