Как стать автором
Обновить

Дисульфид молибдена назвали ключом к уменьшению двумерных транзисторов

Время на прочтение 2 мин
Количество просмотров 6.8K
Всего голосов 30: ↑21 и ↓9 +12
Комментарии 19

Комментарии 19

Интерфейс между металлами и полупроводниковыми материалами создает состояние зазора, вызванное металлом, что приводит к образованию барьера Шоттки.
Что вы несёте такое вообще? Пожалуйста, или наймите компетентного технического редактора, или не переводите тексты, смысла которых вы не понимаете.

Вот ещё образчик:

сигналы, необходимые для отслеживания поведения электронов в материале, слишком слабые, чтобы пройти через них

Самое главное, что есть ссылка на первоисточник, а заголовок и качество перевода - дело десятое. Кстати, мне сегодня попалась ссылка на статью в Nature, где говорится об использовании 2D селенида индия для реализации ячеек памяти. Несмотря на то, что статья на английском, сразу же появляется коэффициент 5000. Оказывается, это соотношение то ли по площади то ли по быстродействию, не помню, между предлагаемой памятью и КМОП в планарной технологии. Размер технологии не указан. Журналисты - чего с них взять? Только ключевые слова.

Самое главное, что есть ссылка на первоисточник
По правилам Хабра, ссылка на первоисточник в переводных материалах оформляется совершенно по-другому. И да, зачем нужен весь это плохой текст, если модно просто дать ссылку? )

Журналисты — чего с них взять?
Это принципиально неправильная позиция. Журналисты должны точно так же отвечать за свои слова, как и все остальные люди. Не понимаешь ничего в том, о чем пишешь — не пиши. Хочешь писать — или ищи то, в чем понимаешь, или разбирайся. Для понимания базовой терминологии полупроводников хватит буквально пары внимательно прочитанных учебников.
Я не знаю как оформляется ссылка на источник на Хабре. Мне достаточно имён первых двух авторов и названия статьи либо ссылки по ГОСТу, например
Pan C. et al. Reconfigurable logic and neuromorphic circuits based on electrically tunable two-dimensional homojunctions //Nature Electronics. – 2020. – С. 1-8.
Здесь, кстати материалом является two-dimensional tungsten diselenide.
Журналисты в наше время превратились в блогеров. Если Ваша принципиальная позиция — заставить их читать учебники, этого не будет. Некоторый шанс повысить качество журналистики имеет старый, добрый подход основанный на репутации.
Некоторый шанс повысить качество журналистики имеет старый, добрый подход основанный на репутации.
Это ровно то, что я делаю своим изначальным комментарием — меняю репутацию журналиста, написавшего этот текст.

Я не знаю как оформляется ссылка на источник на Хабре.
У перевода сверху на видном месте должна быть специальная плашка «это перевод». Например, в программе поощрения авторов переводы оплачиваются по-другому.

Думаю, что идентификация плохих журналистов - это хорошая задача для искусственного интеллекта. Поскольку на английском читают, говорят и пишут значительно больше, чем на русском, обучение нейронной сети разумнее вести на английском. Вот например

https://scitechdaily.com/engineers-have-developed-the-worlds-first-fully-recyclable-printed-electronics/

И что вам это даст, если эта статья от 12 мая ещё нигде не выложена в доступ? Автор лучше б pdf прикрепил куда-то.

Интерфейс между металлами и полупроводниковыми материалами создает состояние зазора, вызванное металлом, что приводит к образованию барьера Шоттки.

Интерфейс журналиста находился в состоянии засора, вызванного недостатком образования и барьером "шоэттотакоэ". Что вы придираетесь!

А что дальше-то? Если такую технологию допустить до массового производства, то дальше уменьшать уже некуда - продавать новые устройства станет сложнее в разы. (Хотя intel умудрялась 14 нм продавать много поколениий подряд) А на массовом рынке у нас пока "коммерческие 5 нм" - вершина прогресса. И спрос на неё огромный. В общем постепенным уменьшением ещё есть куда уменьшать. И не думаю, что гиганты индустрии упустят возможность получить прибыль с промежуточных поколений техпроцессов.

И не думаю, что гиганты индустрии упустят возможность получить прибыль с промежуточных поколений техпроцессов.
Пока что речь идет о том, что через три года возможно появятся первые отдельные тестовые транзисторы. Поэтому не переживайте, к моменту, когда (или скорее если) эту технологию можно будет массово производить, все сливки с промежуточных проектных норм уже будут давно сняты.
уменьшило высоту транзистора до размера атома.
Учитывая, что атом является неделимой частицей, интересно, в каком направлении будет развиваться прогресс дальше.
В область управления всплесками кварк-глюонной пены и флюктуаций вакуума?
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Судя по фотке — не такие уж они и субнанометровые…
Кроме толщины есть ещё длина и ширина :) про это благоразумно умалчивают.
Есть квантовые эффекты, когда электрон набрав энергетических кредитов начинает путешествовать куда пошлёт неопределённость. Хорошо проявляется на размерностях в единицы-десяток атомов.
И диэлектрическая прочность никуда не девается.
В последнее время воспринимаю все новости о новых открытиях как сказки.
То новый тип аккумуляторов, который супер экологичный и супер ёмкий.
То новый сверхпроводник, который супер проводимый.
То ультра тонкий свет, с которым будем сквозь пространство ходить…
Уже лет 15 слышу всё это, а как высасывали все соки из старого, так и высасываем.

Если они станут меньше в размерах, их станет больше, а это значит что они будут сильнее нагреваться?

Уже сейчас нельзя использовать все транзисторы на чипе одновременно.
Зарегистрируйтесь на Хабре , чтобы оставить комментарий

Другие новости

Истории