Комментарии 105
Бог с ней с новостью… А то что этот "полу-новость-полу-пост" выглядит практически переводом (без плашки и указаний источника) никого не смущает?
Они для своих мейнфреймов делают процессоры
Слишком категорично и не верно. Power/SystemZ/PowerPC своей разработки для Маков, CELL они производили у себя.
В основном все заканчивалось лабораторными исследованиями и тестовыми девайсами.
В основном все всегда заканчивалось продажей результатов исследований Самсунгу и TSMC. И в этот раз закончится так же, так что, когда 2 нм пойдут в серию на Тайване и в Корее, в этом будет заслуга и исследователей IBM.
Высота его ячейки составляет 75 нм, ширина — 40 нм, толщина внутренних слоёв — 5 нм. Шаг поликремниевого затвора с контактом составляет 44 нм, а длина затвора — 12 нм.
Ширина затвора транзистора.Во-первых, длина, а не ширина. Во-вторых, это перестало быть так еще на 65 нм. Сейчас «х нм» — это просто цифра.
В этих статьях на хабре (Проектные нормы в микроэлектронике: где на самом деле 7 нанометров в технологии 7 нм? by amartology, а также 1 часть и 2 часть by Tiberius) довольно подробный обзор этого вопроса. Вкратце — маркетологи сами себя переиграли.
Размер атома кремния 0,24 нм
Эти финиш какой то. Транзисторы буквально из десятка атомов в поперечнике, если утрировать. Как оно вообще работать может?
Только полупроводниковость современных промышленных полупроводников - явление сугубо коллективное - свойства регулируются примесями и к отдельному атому примешать тупо нечего - его можно только заменить на атом другого вещества. Даже когда на горизонте замаячат десятки или даже сотни автомов, равномерное распределение примесей станет сложнейшей проблемой, и даже, скорее всего, оно всегда было очень серьёзной проблемой
Какого размера транзисторы в этой технологии?
Сколько производителей производят устройства по данной технологии?
Сколько товаров на рынке на основе этой технологии?
Какого размера транзисторы в этой технологии?
Сколько производителей производят устройства по данной технологии?
Сколько товаров на рынке на основе этой технологии?
Давайте обсудим ваши вопросы лет через десять.
Собственно, и вот эти 2 нм чипы в серию пойдут года через три в лучшем случае.
Вы ответили на мой комментарий, где я особо подчеркнул, что речь идёт о современных промышленных полупроводниках, а не о теоретически готовых к подготовке к разработке
Даже когда на горизонте замаячат десятки или даже сотни автомов, равномерное распределение примесей станет сложнейшей проблемой, и даже, скорее всего, оно всегда было очень серьёзной проблемой
Толщина плавника в современных FinFET - 7-8 нм, то есть уже меньше сотни атомов. И ничего примеси как-то распределяют и даже из сложных материалов типа SiGe транзисторы делают.
А в уже реально существующих в промышленности HEMT-транзисторах для повышения подвижности электронов используется двухмерный электронный газ, который принципиально имеет толщину 1-2 нм. То есть, к вашему комментарию про современные промышленные полупроводники - купить зарядку для мобильника на GaN-транзисторе довольно несложно.
В лабораториях единичные графеновые транзисторы уже лет десять как научились изготавливать. Но до промышленного изготовления, конечно, ещё далеко, хотя принципиально они совместимы с планарной технологией.
Теория позволяет графеновым транзисторам полностью закрываться, на практике получено отношение Ion/Ioff порядка десятки.
на практике получено отношение Ion/Ioff порядка десяткиЭто мне и было интересно: позволяет ли теория сделать нормальный транзистор, а не как сейчас в лаборатории. Но если вы говорите, что позволяет, тогда хорошо.
Потом теоретики быстро выдают объясняющие теории.
«Чем дальше эксперимент от теории, тем ближе он к Нобелевской премии.»
— Фредерик Жолио-Кюри
Там выше человек ставит теорию впереди опыта — видимо, образование от ЦПШ/ЕГЭ/что-то там ещё.
Если вы под толщиной подразумеваете размер в вертикальном направлении, то там всё движется даже в обратном направлении (не в абсолютных размерах, хотя, может даже и в них) - инженеры в том числе работают над тем, чтобы выиграть побольше площади, сохранив побольше объёма (чтобы оттянуть квантовые эффекты) и до одного атома ещё относительно далеко, а когда станет слишком близко, придётся менять практически весь стек технологий
P.S. это всё моё IMHO
Плюс, никто не говорит, с каким выходом они эти процессоры делают. Может быть, два процессора на пластину.
Да и в табличку гляньте — при 22нм плотность 16.5, значит при 2нм плотность должна стать 2000. А в табличке указано всего лишь 333.
2нм эта какая-то из характеристик литографического степпераК характеристикам степпера эта цифра тоже не имеет отношения. Она имеет отношение только к плотности упаковки транзисторов на кристалле.
Тогда, согласно таблице, 10-ти нм процесс Intel содержит транзисторов на мм больше, чем 7-ми нм процессы от TSMC и Samsung.По каким-то одному Интел известным причинам, цифра техпроцесса у них действительно не такая, как у всех остальных. 10 нм Интел = 7 нм остальных фабрик, 14 нм Интел = 10 нм остальных фабрик, 22 нм Интел =16 нм остальных фабрик.
Еще раз повторю три основных тезиса:
1) Цифра техпроцесса отражает плотность упаковки транзисторов на кристалле.
2) Корректно сравнивать по этой цифре можно только процессы одной и той же фабрики.
3) Никакого понятного пересчета никакого физического размера чего бы то ни было на кристалле в нанометры техпроцесса не существует, это чисто маркетинговая конструкция, нужная для того, чтобы проще и удобнее
Вы ведь не возмущаетесь что Geforce 9800 и Radeon 9800 несколько отличались друг от друга?
TSMC, the biggest contract semiconductor manufacturer on the planet, has admitted its node naming schemes aren’t actually related to what’s on the wafers, they’re “just numbers… like BMW 5-series or Mazda 6.”
Ну понятно что к чему. Дешевая маркетинговая лапша. IBM сделал говно. Так и запишем.
/sarcasm off
Лидерами считаются Samsung, Qualcomm и Apple, они способны производить процессоры и другие чипы в больших объемах
AMD отстает от лидеров рынка, поскольку компания лишь начинает разворачивать производство 7 нм Ryzen и Epyc.
Всмысле? Кроме Samsung ни одна из этих компаний не занимается ни печатью чипов, ни разработкой/внедрением технологий производства. Пожалуйста, поясните о чем тут написано?
Такими темпами упрутся в маркетинговый предел. Что дальше? -1 нанометр?
Ну почему же, эппловский M1, судя по тестам, потребляет 20-24W, и устройства на нём работают >10 часов.
Предположу, что имелось в виду, снижение потребляемой энергии при сохранении или даже лучшей производительности.
Кстати, с новым техпроцессом IBM как раз и заявляет о меньшем потреблении при соответствующей к современным чипам производительности или большей производительности при соответствующем энергопотреблении. Т.е. как раз лучшее отношение производительность к потреблению.
то дальше? -1 нанометр?Дальше, вероятнее всего, будут число слоев транзисторов в стеке писать. Вот эта технология станет 3N, следующая — 4N, потом 5N и так далее.
Такими темпами упрутся в маркетинговый предел. Что дальше? -1 нанометр?Дальше пикометры вообще-то.
Тсс, не надо им подсказывать про существование отрицательных чисел, а то гонка бессмысленных цифр не закончится никогда)
Ждем отрицательные нанометры, повышаем уровень абстракции.
Лидерами считаются Samsung, Qualcomm и Apple, они способны производить процессоры и другие чипы в больших объемах — как для своих нужд, так и для партнеров
AMD отстает от лидеров рынка, поскольку компания лишь начинает разворачивать производство 7 нм Ryzen и Epyc
Ни Qualcomm, ни Apple, ни АМД никакие процессоры не производят, тем более для партнёров.
Но велики шансы и у IBM, у которой уже есть тестовые прототипы.
А разве IBM вообще сейчас производит микросхемы? Они ведь сплавили свои заводы Global Foundries ещё лет семь назад. Они у себя, насколько я знаю, только исследовательский центр оставили.
Так выращивают монокристалл кремния, в виде цилиндра.
Отсюда и вопрос чем оная вызвана.
Собственно, и вращать его не обязательно, равномерный рост вполне себе регулируется скоростью вытаскивания кристалла из расплава, ну и температурой.
Если вы не будете его вращать, он все равно будет иметь цилиндрическую форму. Расплав-то осаждается на затравке равномерно со всех сторон.Все несколько сложнее. Без вращения вы, верочятно, получите цилиндрическую форму, но не получите монокристалл.
Более того, в реальности вращают не только растущий кристалл, но и тигель, и меняют соотношение скоростей их вращения в процессе роста, чтобы добиться нужного качества растущего кристалла. Так что вращение — критически важная часть процесса Чохральского.
"но не получите монокристалл"
Чушь какая. Материалу абсолю пофиг, вращают его или нет.
Вращение нужно для:
а) придания кристаллу цилиндрической формы и контроля его бокового роста;
б) перемешивания расплава для лучшего контроля температуры на границе кристаллизации;
в) перемешивания расплава для более равномерного распределения примесей, которые могут скапливаться у границы кристаллизации.
Само собой, сфера беспилотных автомобилей тоже может получить мощный стимул к развитию — ведь при равных показателях энергопотребления системы с новыми чипами будут более производительными.
А сейчас именно нехватка энергии на борту беспилотных автомобилей задерживает их развитие?
Образцы изготовили на 300-мм пластинах
Кто-то наверняка постарался, чтобы здесь было именно множественное число - что-то мне подсказывает, что пластин всего две
Как долго осталось ждать до появления The Last Mimzy?
Mimzy is actually a highly advanced form of artificial life utilizing nanotechnology created by Intel
Вы неправы вообще во всем.
Более того, физические размеры транзисторов в процессе 2 нм могут быть даже больше, чем в 5 нм, они же здесь в несколько слоев упакованы, а значит на той же площади можно разместить больше транзисторов, каждый из которых большего размера.
Вы неправы вообще во всем.
А теперь по пунктам, в чём конкретно не прав.
А пока можете ответить на следующие вопросы:
1. Кол-во брака увеличивается при уменьшении размера транзистора?
2. Миграция электронов приведет к нерабочему транзистору быстрее у транзистора с большим или малым размером?
Жду ответов
1б. Геометрические размеры транзисторов при переходе от 7 нм к 2 нм практически никак не меняются. Что у 7 нм half-pitch 22 нм, что на картинках IBM hal-pitch 22 нм.
2. Электромиграция в основном происходит не в транзисторах, а в металлизации. Металлизация, опять же, у 7 нм и 2 нм практически одинаковая.
Во-первых, их самый последний процессор - это не POWER9, а POWER10, и он производится по нормам 7 нм.
Во-вторых, и P9 и P10 производятся на фабриках Samsung, потому что у IBM уже давно нет собственного серийного производства.
В-третьих, ничего удивительного нет, IBM занимается исследованиями в области новых техпроцессов, а потом продает результаты этих исследований другим компаниям, которые их внедряют. Тому же Samsung например. То есть, не надо путать заявления TSMC и Samsung о внедрении 7-5 нм в серийное производство и вот это заявление IBM о создании первого тестового чипа.
А как связаны беспилотные автомобили и энергопотребление чипов?
Современный, условно, "чип 20 нм" настолько сильнее потребляет энергию, чем 2нм, что машина "не тянет"?
Сейчас победителем станет тот, кто быстрее выведет 2 нм чипы
Победителем чего? Битвы за "попугаев"? Эти гонки за циферками больше напоминают анекдот "пришел дед к сексопатологу.."
Компания IBM создала первый в мире 2 нм процессор и изготовила тестовые образцы