Комментарии 55
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Да хотя-бы за один…
Ну сейчас без проблем можно купить 128 гигов по цене 64-х 3 года назад, при сохранении подобной тенденции (удвоение емкости за ту же цену каждые 3 года) 1тб будет стоить 150 баксов (цена на 128 сегодня) примерно через 9 лет — так что ждать придется еще долго, а сейчас можно смело покупать SSD+HDD и не бояться, что эта связка устареет раньше компа, в которую она встроена.
SSD+HDD вы имеете ввиду гибридные винты?
ну 9 лет это многовато, вспомните что было на рынке вынчестеров 9 лет назад, 40гигушки были входу, а тут уже и сата2 не найдешь.
думаю прогресс не удваивается, а в определенный момент опредленной категории ростет геометрически — пока не упрется в потолок это технологии.
ну 9 лет это многовато, вспомните что было на рынке вынчестеров 9 лет назад, 40гигушки были входу, а тут уже и сата2 не найдешь.
думаю прогресс не удваивается, а в определенный момент опредленной категории ростет геометрически — пока не упрется в потолок это технологии.
можно смело покупать SSD+HDD и не боятьсяЯ тоже повелся на эту рекламную лапшу и купил ультрабук (кстати тоже Samsung) с этой технологией. В многопоточной нагрузке скорость чтения с винта падает до 1 МБит в секунду. Это как вообще? Samsung кроме как переустановить Windows ничего посоветовать не смог. Лучше бы стоял простой винт. Или SSD.
Боюсь, что сейчас начнется очередной виток ценовой войны, так что цены будут падать гораздо быстрее.
Уже сегодня 256 гб стоят около 150 долларов, и если Самсунговская технология действительно взлетит (а так, скорее всего и выйдет), то конкуренты подтянутся а 2015 году, и я думаю, что через год-полтора цены упадут в 2-2.5 раза, к сожалению.
Уже сегодня 256 гб стоят около 150 долларов, и если Самсунговская технология действительно взлетит (а так, скорее всего и выйдет), то конкуренты подтянутся а 2015 году, и я думаю, что через год-полтора цены упадут в 2-2.5 раза, к сожалению.
Как обстоят дела у этой памяти со скоростью и с числом перезаписей?
Спек не нашел (и говорят, что их пока нет в паблике), но говорят, что «approximately twice the endurance for writing data and consume 20 percent less power, compared to planar (2D) MLC NAND-based drives», т.е. то же самое, что и в сабжевой статье.
И, судя по тому, что это серверные дивайсы, со скоростью там все должно быть неплохо.
И, судя по тому, что это серверные дивайсы, со скоростью там все должно быть неплохо.
Всегда считал, что плоские/планарные (planar) — это SLC. Что в посте под MLC понимается — тоже не совсем ясно, ибо под это понятие (Multi-level Cell) подходит и описываемые 32-уровневые ячейки. Распространенные на данный момент двухуровневые? Или TLC тоже?
Также сомнительны, на мой взгляд, утверждения, что использование 32 слоев приводит к увеличению скорости, энергопотреблению и надежности. Это все прерогатива NAND-контроллера. Увеличение хранимых в ячейке бит приводит только к увеличению объема и уменьшению стоимости. Остальные все параметры ухудшаются. Улучшение может быть лишь косвенное, за счет алгоритмов работы контроллера.
Увеличение быстродействия происходит за счет распараллеливания записи. Долговечность — за счет распределения износа и обхода сбойных секторов. Естественно, чем больше объем памяти, тем по большей области можно распределять.
То есть, полагаю, довериться данным можно, но это все заслуги, скорее, не увеличения числа слоев. Либо я в какой-то момент что-то понял не так.
Также сомнительны, на мой взгляд, утверждения, что использование 32 слоев приводит к увеличению скорости, энергопотреблению и надежности. Это все прерогатива NAND-контроллера. Увеличение хранимых в ячейке бит приводит только к увеличению объема и уменьшению стоимости. Остальные все параметры ухудшаются. Улучшение может быть лишь косвенное, за счет алгоритмов работы контроллера.
Увеличение быстродействия происходит за счет распараллеливания записи. Долговечность — за счет распределения износа и обхода сбойных секторов. Естественно, чем больше объем памяти, тем по большей области можно распределять.
То есть, полагаю, довериться данным можно, но это все заслуги, скорее, не увеличения числа слоев. Либо я в какой-то момент что-то понял не так.
Вы не поняли. В посте не 32-уровневые ячейки, а 32 слоя обычных (скорее всего SLC) ячеек.
Была такая мысль, но она мне показалась абсурдной. Почему-то не думал, что число слоев является каким-то сложным барьером при производстве. Тогда да, долговечность уменьшаться не должна. Остальное все равно, думаю, заслуга контроллера больше.
И все же, что есть планарная флэш-память MLC NAND? В моем представлении планарная — NOR-память. Но до нее NAND вряд ли дотянется по характеристикам.
И все же, что есть планарная флэш-память MLC NAND? В моем представлении планарная — NOR-память. Но до нее NAND вряд ли дотянется по характеристикам.
Пока что видимо не умеют делать слой кремния с правильными характеристиками (чтобы создать в нем транзисторы) поверх уже изготовленных слоев.
Нашел описание производства ячеек TANOS = Tantalum-Alumina-Nitride-Oxide-Silicon, структура «TCAT» = Terabit Cell Array Transistor, использованных в Samsung для V NAND: thememoryguy.com/an-alternative-kind-of-vertical-3d-nand-string/
Можно видеть, что вертикальный набор ячеек создается без дополнительных горизонтальных слоев кремния:
Другие заметки о 3D NAND от The Memory Guy: thememoryguy.com/what-is-3d-nand-why-do-we-need-it-how-do-they-make-it/
Например, есть анимация изготовления BiCS 3D NAND — www.youtube.com/watch?v=1MaYnG7wULk
PS: По данным AnandTech, www.anandtech.com/show/7237/samsungs-vnand-hitting-the-reset-button-on-nand-scaling Samsung перешел на более старый техпроцесс (30-39 нм) для изготовления V-NAND (1-го поколения, 24 слоя ячеек):
PPS: dx.doi.org/10.1109/ISSCC.2014.6757458 — статья "19.5 Three-dimensional 128Gb MLC vertical NAND Flash-memory with 24-WL stacked layers and 50MB/s high-speed programming" от Samsung (9-13 Feb. 2014) про V-NAND, для просмотра требуется подписка ieee.org: «128Gb 2b/cell 3D V-NAND Flash» — т.е. в первом поколении это был MLC с 2 битами на ячейку.
PPPS: Маркировка чипов в посте K90KGY8S7A-CCK0, для первого поколения — K9PKGY8S7M-CCK0 (anand, август 2013, пресс-релиз). К сожалению, полностью не декодируется по табличке Samsung Part number decoder, NAND Flash от 2009 года, но для первого поколения указан тип P — 2bit MLC ODP (octal die package) — сборка из 8 пластин.
Нашел описание производства ячеек TANOS = Tantalum-Alumina-Nitride-Oxide-Silicon, структура «TCAT» = Terabit Cell Array Transistor, использованных в Samsung для V NAND: thememoryguy.com/an-alternative-kind-of-vertical-3d-nand-string/
The TCAT (Terabit Cell Array Transistor) structure… Samsung introduced a product based on this technology last August that the company calls V-NAND for “Vertical NAND.”
Можно видеть, что вертикальный набор ячеек создается без дополнительных горизонтальных слоев кремния:
Другие заметки о 3D NAND от The Memory Guy: thememoryguy.com/what-is-3d-nand-why-do-we-need-it-how-do-they-make-it/
Например, есть анимация изготовления BiCS 3D NAND — www.youtube.com/watch?v=1MaYnG7wULk
PS: По данным AnandTech, www.anandtech.com/show/7237/samsungs-vnand-hitting-the-reset-button-on-nand-scaling Samsung перешел на более старый техпроцесс (30-39 нм) для изготовления V-NAND (1-го поколения, 24 слоя ячеек):
Since Samsung is building density vertically, there’s not as much pressure to shrink transistor sizes. With relaxed planar space constraints, Samsung turned to an older manufacturing process (30nm class, so somewhere between 30 and 39nm) as the basis of V-NAND.
PPS: dx.doi.org/10.1109/ISSCC.2014.6757458 — статья "19.5 Three-dimensional 128Gb MLC vertical NAND Flash-memory with 24-WL stacked layers and 50MB/s high-speed programming" от Samsung (9-13 Feb. 2014) про V-NAND, для просмотра требуется подписка ieee.org: «128Gb 2b/cell 3D V-NAND Flash» — т.е. в первом поколении это был MLC с 2 битами на ячейку.
PPPS: Маркировка чипов в посте K90KGY8S7A-CCK0, для первого поколения — K9PKGY8S7M-CCK0 (anand, август 2013, пресс-релиз). К сожалению, полностью не декодируется по табличке Samsung Part number decoder, NAND Flash от 2009 года, но для первого поколения указан тип P — 2bit MLC ODP (octal die package) — сборка из 8 пластин.
SLC — это технология флеш памяти, при которой в каждую ячейку памяти записывается одно из двух значений напряжения, т.е. 1 бит данных. MLC — это несколько технологий, при которых в ячейку записывается несколько бит, чаще всего 2 бита (одно из 4 значений), набирает популярность 3-битная MLC (она же «Triple Level Cell», одно из 8 значений). Существуют экспериментальные работы по 4-битному MLC (16LC), когда в каждой ячейке записан один из 16 уровней напряжения. Подробнее en.wikipedia.org/wiki/Multi-level_cell и www.anandtech.com/print/5067/understanding-tlc-nand
Изображение уровней напряжения одной ячейки памяти для SLC, MLC, TLC:
media.bestofmicro.com/X/T/366689/original/tlc-mlc-slc_600px.png
Практически вся флеш-память сейчас производится по планарному процессу, т.е. ячейки памяти расположены на кремниевой пластине в один слой. При этом в один корпус флеш-памяти может упаковываться стопка из отдельных кремниевых пластин, например 16 пластин (die) у Toshiba (2010): www.pcper.com/images/reviews/863/toshiba-mmc-stack.jpg из www.pcper.com/reviews/Storage/Inside-Look-Intel-and-Micron-25nm-Flash-Memory-Production/Die-Shrinks-and-You
V-NAND (Vertical NAND) от самсунга — это практически первый вариант 3D флеш-памяти (3D NAND), в котором ячейки памяти создаются не планарно (в одном слое кристалла), а в объеме. В высоту — изначально было 8 слоев, теперь до 24 или 32 слоев, все это на одной кремниевой пластине. Сравнение сечения памяти по планарной и объемной технологии: fareastgizmos.com/wp-content/uploads/2013/08/samsung_planar.jpg из fareastgizmos.com/media_devices/samsung-starts-mass-production-of-worlds-first-3d-vertical-nand-flash.php
Похожие разработки 3D NAND ведутся у Toshiba и других компаний, есть несколько вариантов реализации объемной памяти: www.hardware.fr/medias/photos_news/00/42/IMG0042283_1.jpg wesrch1.wesrch.com/User_images/wiki/c81e728d9d4c2f636f067f89cc14862c_1290187975.jpg file.bodnara.co.kr/logo/insidelogo.php?image=%2Fhttp%3A%2F%2Ffile.bodnara.co.kr%2Fwebedit%2Fnews%2F2010%2F1376357940-mic2.jpg
В данных V NAND вероятно используются ячейки MLC, например вот пресс-релиз по первому поколению: www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=12993 «The 960GB… by utilizing 64 dies of MLC 3D V-NAND flash, each offering 128 gigabits (Gb) of storage… cylinder-shaped 3D Charge Trap Flash cell structures and vertical interconnect process technology to link the 24 layers comprising the 3D cell array. „
Изображение уровней напряжения одной ячейки памяти для SLC, MLC, TLC:
media.bestofmicro.com/X/T/366689/original/tlc-mlc-slc_600px.png
Практически вся флеш-память сейчас производится по планарному процессу, т.е. ячейки памяти расположены на кремниевой пластине в один слой. При этом в один корпус флеш-памяти может упаковываться стопка из отдельных кремниевых пластин, например 16 пластин (die) у Toshiba (2010): www.pcper.com/images/reviews/863/toshiba-mmc-stack.jpg из www.pcper.com/reviews/Storage/Inside-Look-Intel-and-Micron-25nm-Flash-Memory-Production/Die-Shrinks-and-You
V-NAND (Vertical NAND) от самсунга — это практически первый вариант 3D флеш-памяти (3D NAND), в котором ячейки памяти создаются не планарно (в одном слое кристалла), а в объеме. В высоту — изначально было 8 слоев, теперь до 24 или 32 слоев, все это на одной кремниевой пластине. Сравнение сечения памяти по планарной и объемной технологии: fareastgizmos.com/wp-content/uploads/2013/08/samsung_planar.jpg из fareastgizmos.com/media_devices/samsung-starts-mass-production-of-worlds-first-3d-vertical-nand-flash.php
Похожие разработки 3D NAND ведутся у Toshiba и других компаний, есть несколько вариантов реализации объемной памяти: www.hardware.fr/medias/photos_news/00/42/IMG0042283_1.jpg wesrch1.wesrch.com/User_images/wiki/c81e728d9d4c2f636f067f89cc14862c_1290187975.jpg file.bodnara.co.kr/logo/insidelogo.php?image=%2Fhttp%3A%2F%2Ffile.bodnara.co.kr%2Fwebedit%2Fnews%2F2010%2F1376357940-mic2.jpg
В данных V NAND вероятно используются ячейки MLC, например вот пресс-релиз по первому поколению: www.samsung.com/global/business/semiconductor/news-events/press-releases/detail?newsId=12993 «The 960GB… by utilizing 64 dies of MLC 3D V-NAND flash, each offering 128 gigabits (Gb) of storage… cylinder-shaped 3D Charge Trap Flash cell structures and vertical interconnect process technology to link the 24 layers comprising the 3D cell array. „
MLC они и есть планарные, как и SLC. Идут слои которые составляют транзистор, а сверху слои соединений.
Тут же речь о 3D компоновке, когда, как я понимаю, слои транзисторов друг на друге (про это тут была новость пару месяцев назад, именно про самсунг — вот, нашел habrahabr.ru/post/189250).
Основная проблема в 3D компоновке — отвод тепла. При достаточно агрессивной записи и чтении это очень критично, так как теплу просто некуда бежать, оно будет греть соседние ячейки.
Тут же речь о 3D компоновке, когда, как я понимаю, слои транзисторов друг на друге (про это тут была новость пару месяцев назад, именно про самсунг — вот, нашел habrahabr.ru/post/189250).
Основная проблема в 3D компоновке — отвод тепла. При достаточно агрессивной записи и чтении это очень критично, так как теплу просто некуда бежать, оно будет греть соседние ячейки.
Скоросто ограничена портом, через который это SSD подсоединен к системе. Если SATA2 (как выяснилось один известный китайский производитель до сихпор использует этот атавизм в своих серверах) — то это 3 гигабита в секунду, если SATA3 — 6 гигабит, PCI — в районе 10 гигабит, PCI 2x — в районе 20 гигабит.
Но микросхемы способны на большее, и их скорость ограничена лишь скоростью шины, к которой они физически прикреплены внутри SSD модуля — так что действительно высокие скорости, хоть немного приближающиеся к оперативной памяти (Для DDR3 нормальным считается 1-1,5 Террабита), у нас еще впереди.
Но микросхемы способны на большее, и их скорость ограничена лишь скоростью шины, к которой они физически прикреплены внутри SSD модуля — так что действительно высокие скорости, хоть немного приближающиеся к оперативной памяти (Для DDR3 нормальным считается 1-1,5 Террабита), у нас еще впереди.
Лучше (ну, скорее — не хуже), чем у обычной.
Я думаю, там 2-3 бита на ячейку (как у всех), а больший физический размер каждой ячейки делает их более надежными.
Все остальное упирается в контроллер — а это тоже, как у всех.
Я думаю, там 2-3 бита на ячейку (как у всех), а больший физический размер каждой ячейки делает их более надежными.
Все остальное упирается в контроллер — а это тоже, как у всех.
Последнее предложение про надёжность… Сколько лет уже ссд на восстановление приносят, а производители особо не сдвинулись в сторону надёжности. Нанд и надёжность не совместимые вещи)))
[sarcasm]Ага. Наверное именно поэтому некоторые производители дают на свои накопители гарантию в пять лет. Очень ненадёжные девайсы. Прям ну очень.[/sarcasm]
Кто и на какие модели для домашнего использвания, будьте добры перечислить — стоит вопрос покупки SSD, а выкладывать каждый год (как это приходится делать уже 3 года кряду) на новую недешевую железку не очень хочется.
Например, OCZ. Внизу перечислены модели и сроки гарантии.
Меньше трехлетней гарантии на SSD вообще не встречал, кажется, последнее время. Что вы там каждый год меняете — мне непонятно.
Во-первых — OCZ вот-вот обанкротится (если уже не обанкротилась), а это значит что скоро по гарантии вам никто ничего менять не будет, а во-вторых, у меня был SSD от OCZ, и мне отказали в гарантии, потому что
Ограничение гарантии
…
Естественный износ
…
Любые другие причины, не являющиеся результатом дефекта материалов или производственного брака
Так что если если SSD у вас работало, но за год вы исчерпали количество циклов записи/перезаписи, никто вам сдохшую железку не поменяет, а это не гарантия РАБОТЫ, а гарантия ОТСУТСТВИЯ ДЕФЕКТОВ, что принципиально разные вещи.
Я работаю с большим количеством часто изменяемых данных (как и многие программисты, кстати, тоже), поэтому SSD быстро приходит в негодность — сначала деградирует производительность, потом уменьшается объем (если контроллер правильно прошит), и через год после покупки (± 2-3 месяца) все что можно наблюдать при загрузке системы — SYSTEM DISC BOOT FAILURE.
Это значит пора брать 5к из бюджета и идти за новой SSD.
Ограничение гарантии
…
Естественный износ
…
Любые другие причины, не являющиеся результатом дефекта материалов или производственного брака
Так что если если SSD у вас работало, но за год вы исчерпали количество циклов записи/перезаписи, никто вам сдохшую железку не поменяет, а это не гарантия РАБОТЫ, а гарантия ОТСУТСТВИЯ ДЕФЕКТОВ, что принципиально разные вещи.
Я работаю с большим количеством часто изменяемых данных (как и многие программисты, кстати, тоже), поэтому SSD быстро приходит в негодность — сначала деградирует производительность, потом уменьшается объем (если контроллер правильно прошит), и через год после покупки (± 2-3 месяца) все что можно наблюдать при загрузке системы — SYSTEM DISC BOOT FAILURE.
Это значит пора брать 5к из бюджета и идти за новой SSD.
А вы не считаете это нормальным? Есть срок гарантии и гарантированное число циклов. Банальная наработка. Гарантия перестает работать после окончания одного из таких «счетчиков».
Срок гарантии по сути — среднее время исчерпания ресурса (достижения гарантийного числа циклов записи в случае с SSD).
Насколько помню, аналогичная ситуация, например, с принтерами. Там гарантия по времени и по числу напечатанных страниц. Аналогию можно провести и с заменой масла в автомобиле: по километражу и сроку, что первое наступит.
Если вы знаете, что требуется большое число перезаписей, то нужно понимать, на что идете, когда покупаете устройство с заведомо ограниченным числом их циклов, и либо быть готовым отдавать деньги периодически, либо искать компромисс.
Срок гарантии по сути — среднее время исчерпания ресурса (достижения гарантийного числа циклов записи в случае с SSD).
Насколько помню, аналогичная ситуация, например, с принтерами. Там гарантия по времени и по числу напечатанных страниц. Аналогию можно провести и с заменой масла в автомобиле: по километражу и сроку, что первое наступит.
Если вы знаете, что требуется большое число перезаписей, то нужно понимать, на что идете, когда покупаете устройство с заведомо ограниченным числом их циклов, и либо быть готовым отдавать деньги периодически, либо искать компромисс.
Ну кто ж вам виноват если вы сами себе в карман какаете? Кто вас просит на SSD создавать временные файлы? Для этого DRAM есть.
Я тоже программист, но как бы ваших проблем я в упор не вижу. Но у меня на SSD живут только исходники, которые меняются, конечно, но не то, чтоб уж прям каждые пять секунд, а вот временные файлы (объектники, бинарники) — теоретически на HDD, но реально-то они в памяти живут (64GiB памяти на машине), так что тормозов никаких нету. Да, переключение между разными режимами (от x86 к x86_64 или к arm'у) занимает несколько секунд, но, опять-таки, мне редко бывает нужно вот уж прямо со всеми режимами сразу работать.
Я тоже программист, но как бы ваших проблем я в упор не вижу. Но у меня на SSD живут только исходники, которые меняются, конечно, но не то, чтоб уж прям каждые пять секунд, а вот временные файлы (объектники, бинарники) — теоретически на HDD, но реально-то они в памяти живут (64GiB памяти на машине), так что тормозов никаких нету. Да, переключение между разными режимами (от x86 к x86_64 или к arm'у) занимает несколько секунд, но, опять-таки, мне редко бывает нужно вот уж прямо со всеми режимами сразу работать.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Подтверждаю. В наличии два SSD от них, одному уже года 4, другому два (оба Вертексы). Оба живы и здоровы.
Ну если вы используете их только для чтения, они у вас и 10 лет прослужат.
У всех разные кейсы использования, и экстраполировать свой опыт мягко говоря не совсем корректно.
У всех разные кейсы использования, и экстраполировать свой опыт мягко говоря не совсем корректно.
Оба в ноутах — дуалбут, виртмашины, разработка под жаву, игры и т.д. Имхо, вполне общий кейс, плюс-минус.
у меня большая часть записей приходится на mySQL и mongoDB — именно для них большей частью и держу ссд, иначе просто невозможно работать.
У меня на том 4-х годичном примерно год крутился postgreSQL. Ничего не умерло. Сейчас MySQL, но в виртмашине, настроенной соотв. образом.
Значит объяснение одно — вы хронический везунчик, а я хронический неудачник в данном плане, а может это только я неудачник, а вы — статистически средний пользователь SSD, и мой опыт нельзя экстраполировать уже :)
А у вас какие именно модели OCZ помирали? Я такое про новые Vector'ы и про старые Agility слышал. А вот про Vertex'ы отзывы больше положительные.
Самая первая была Vector — точно не помню номер — 64гб — та, которая с плохим контроллером. Ее хватило примерно на 8 месяцев.
Потом Samsung, Рекламировали ее на сайтах тем, что ставят в эйры. Эта прослужила почти полтора года, и в принципе на ней можно и сейчас работать, но из 64-х гигов осталось 55, и эти 55 работают не лучше жесткого диска.
Потом я решил что в принципе все равно хватает на одно и то же время, решил купить Vertex, потому что он самый дешевый из нормальных. Год и три есяца он отработал, объем в принципе не сильно уменьшился, но из-за износа скорость почти на 80% диска стала 20-30 мегабит — не, скрипя зубами и матерясь можно работать, но менять уже просто необходимо.
Вот сейчас решил взять Intel, не пожалел бабла — надеюсь пару лет хотя бы прослужит.
Потом Samsung, Рекламировали ее на сайтах тем, что ставят в эйры. Эта прослужила почти полтора года, и в принципе на ней можно и сейчас работать, но из 64-х гигов осталось 55, и эти 55 работают не лучше жесткого диска.
Потом я решил что в принципе все равно хватает на одно и то же время, решил купить Vertex, потому что он самый дешевый из нормальных. Год и три есяца он отработал, объем в принципе не сильно уменьшился, но из-за износа скорость почти на 80% диска стала 20-30 мегабит — не, скрипя зубами и матерясь можно работать, но менять уже просто необходимо.
Вот сейчас решил взять Intel, не пожалел бабла — надеюсь пару лет хотя бы прослужит.
я бы взял Micron или Intel, они явно никуда не денутся с рынка как OSZ, качество у них на уровне. Гарантия от 3х лет, зависит от модели.
Самое важное при использовании SSD, это делать бекап.
Самое важное при использовании SSD, это делать бекап.
> Самое важное при использовании SSD, это делать бекап.
По-моему, делать бэкап — это вообще достаточно важная штука, независимо от того, какой диск вы используете.
По-моему, делать бэкап — это вообще достаточно важная штука, независимо от того, какой диск вы используете.
Сколько лет эти водители привозят свои машины в сервис…
Продолжать?
Продолжать?
Кроме того стоит учитывать, что процент машин с SSD растет. Это уже must-have, а не новомодная дорогая хреновина, как было года 3-4 назад.
Особенно учтите тенденции миниатюризации — продажи больших ПК падают, в маленькие HDD не засунешь.
Познавшие жизнь не торопятся. (с) Когда SSD упадут по ценам до уровня HDD той же ёмкости, это и будет означать must have. А пока из десятка SSD-накопителей, которые таки решились поставить себе мои друзья-знакомые, штуки 3 год-два спустя вышли из строя, и меня как-то ломает ставить такую штуку себе. Не потому, что я ещё не делаю бэкапы, а потому, что не хочу тратить время на восстановление инфы из этих бэкапов в самый неудобный момент.
Иногда SSD — просто жизненная необходимость. Стоял HDD — даже если я не делал сложных запросов, нагрузка была 50-70%, 100% загружености HDD для меня было обыденой рабочей ситуацией.
А раз в год потратить 150 баксов на возможность эффективно работать с необходимымы данными — я считаю, это отличная сделка.
А раз в год потратить 150 баксов на возможность эффективно работать с необходимымы данными — я считаю, это отличная сделка.
Когда жизненная необходимость, это отдельно. Но ведь до появления SSD как-то обходились и без оных. Полагаю, для большинства случаев всё же правдива поговорка Нестеренко (если мне память не изменяет), в которой высокие требования к системе переводились как «мне лень заниматься оптимизацией». Реальный high load с большим количеством серверов, насколько я знаю, предпочитает непосредственно для обработки больших объёмов часто меняющихся данных использовать не SSD, а ОЗУ (разумеется, с последующей записью на несколько дисков на разных машинах). Хотя простому пользователю организовать что-то такое вряд ли возможно.
Ой, по поводу перехода с HDD на SSD я могу рассказать свою историю.
Принимал участие в крупном проекте. Java. Дерево исходников (с либами и всеми делами) — где-то на 10 гигов.
Все это дело хранилось в TC-контейнере. Оттуда же и работал. Запуск всего этого дела из IDE занимал где-то минут 7-8 (я успевал сходить за чаем и покурить). Компиляция в war — минут 15-20.
После перехода на SSD (при сохранении требования работы из TC-контейнера) — запуск в IDE стал происходить секунд за 10-20. Полная компиляция — около минуты.
Я тогда такой восторг испытал, вы просто не представляете :)
Принимал участие в крупном проекте. Java. Дерево исходников (с либами и всеми делами) — где-то на 10 гигов.
Все это дело хранилось в TC-контейнере. Оттуда же и работал. Запуск всего этого дела из IDE занимал где-то минут 7-8 (я успевал сходить за чаем и покурить). Компиляция в war — минут 15-20.
После перехода на SSD (при сохранении требования работы из TC-контейнера) — запуск в IDE стал происходить секунд за 10-20. Полная компиляция — около минуты.
Я тогда такой восторг испытал, вы просто не представляете :)
При разработке (как минимум, в ощутимой части областей) ситуация выглядит следующим образом: если не жалко времени и нервов — то можно работать и на hdd. Иначе — ssd крайне полезен в жизни разработчика: быстрая работа IDE, сборка, индексация, клонирование и создание виртуалок, развертывание приложений и т. п. Часть, конечно, всё равно нужно уносить в RAM, но у меня её на ноутбуке не сильно много (16G, больше мой мобильный core i5 не поддерживает).
Так вам рабочие-то не приносят на восстановление).
Думаю, тут все дело в каком-то уровне поломок за первый год, и если накопитель прошел этот уровень — проработает минимум гарантийный срок
Вот бекапы делать — это важнее…
Думаю, тут все дело в каком-то уровне поломок за первый год, и если накопитель прошел этот уровень — проработает минимум гарантийный срок
Вот бекапы делать — это важнее…
А я, например, с удивлением узнал, что железячники в моей конторе _ищут_ умерший (в смысле заезженный до смерти, не с помершим контроллером) ССД для изучения. Это учитывая, что их в эксплуатации тысячи.
Серийный выпуск чипов первого поколения начался в августе прошлого года
Однако The Memory Guy в мае 2014 года сообщал, что образцов этих чипов (24 вертикальные ячейки V NAND) вне компании не видели: thememoryguy.com/samsung-begins-operations-at-its-xian-fab/
… nobody at Objective Analysis or at several companies we have contacted has been able to find evidence that any V-NAND products have sampled or shipped outside of Samsung since the company announced mass production last August.… until the company has broken through the barriers that prevent it from producing its V-NAND at a reasonable yield.… V-NAND involves a number of processes that have never previously been attempted in semiconductors of any kind, and such innovation usually leads to significant delays. These processes are detailed in a Memory Guy series explaining the “Whys” and “Hows” of 3D NAND.
Зарегистрируйтесь на Хабре , чтобы оставить комментарий
Samsung запускает производство первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND, имеющей 32 слоя ячеек памяти