Как стать автором
Обновить
70.98
Рейтинг

Samsung ускоряет память

Блог компании Samsung
Менее года прошло с тех пор, как компаниями Samsung и Toshiba было принято решение совместно разрабатывать NAND флэш-память с интерфейсом Toggle DDR 2.0. В мае этого года Samsung объявил о начале производства 64 Гбит (8 Гб) NAND-чипа с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell) и вышеуказанным интерфейсом.

image

Новинка произведена по технологии 20-нм класса и имеет пропускную способность 400 Мбит/с. Это в 10 раз быстрее наиболее распространенной сегодня SDR (Single Data Rate) NAND памяти, которая обеспечивает пропускную способность в пределах 40 Мбит/с, и в три раза выше производительности памяти с интерфейсом Toggle DDR 1.0, которая ограничивается скоростью 133 Мбит/с. Разработка нацелена, в первую очередь, на рынок высокопроизводительных смартфонов, таблеток и твердотельных накопителей. Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных может достигать 6 Гб/с).

В свою очередь, Toshiba уже готова к выпуску NAND памяти с применением 19-нанометровой технологии. В прошлом месяце компания начала пробные поставки микросхем ёмкостью 8 Гб с двухбитовыми ячейками. Шестнадцать таких чипов, упакованных в один корпус, позволяют создавать флеш-накопители на 128 Гб для коммуникаторов, планшетов и прочих гаджетов.

Помимо этого, Samsung недавно приступил к массовому производству модулей памяти DDR3 ёмкостью 32 Гб, построенных на основе 4 Гбит чипов DRAM, которые созданы по нормам техпроцесса 30-нм класса. Новая оперативная память типа RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) заточена под использование в серверных системах.

image

32 Гб модули RDIMM способны работать на довольно высокой частоте 1866 МГц и требуют напряжения питания 1,35 вольт. Если сравнивать их с предшественниками аналогичной ёмкости, построенными на DRAM 40-нм класса – те выдают рабочую частоту всего 1333 МГц при напряжении питания 1,5 вольт.

image

Samsung начал штамповать 4 Гбит чипы DDR3 DRAM 30-нм класса в минувшем феврале, а в ближайшее время компания планирует приступить к поставкам схожих решений на основе техпроцесса более актуального сейчас 20-нм класса. Отгрузки чипов, созданных по последнему слову техники, должны начаться во второй половине этого года.
Теги:samsung electronicsnandtoggle ddrsata3sdrmlc flashslc flashddr3dramrdimm
Хабы: Блог компании Samsung
Всего голосов 20: ↑18 и ↓2+16
Просмотры7K

Похожие публикации

Лучшие публикации за сутки