Открыть список
Как стать автором
Обновить

Комментарии 45

Уже 5нм на подходе… Предел скоро наступит. Очень интересно, как дальше будут развиваться события.

Скоро не наступит
Закон Мура из линейного превратится в асимптотический, каждое дальнейшее продвижение будет требовать бОльших вложений средств и времени. Со стремлением к пределу в бесконечности.
Будут поиски диэлектриков с меньшим размером кристаллической решетки, есть технологии изменения размера и вида кристаллической решетки под давлением, не обратимые. По принципу получения алмазов и металлического водорода. И даже изменения размера атома — переход валентных электронов на другую орбиту.

Изменение размера атома? Ссылочку не дадите?
впринципе уже порядка нескольких ангстремов — невозможно.
Спасибо за ссылку, статья интересная. Но речь тут не о изменении размера атома, а о смене координации атомов, кристаллической решетки.
При давлении
4 ГПа у цезия происходят еще два перехода.
После первого перехода, как показал РСА, возникает
также ГЦК-структура, но с периодом решетки на
∼3% меньше. Структура второго перехода еще не
расшифрована. Изоморфный переход с уменьшением
объема может происходить, если уменьшается
“радиус” атома. Это и наблюдается на опыте.
Размер атома, обусловленный его валентными
электронами, уменьшается за счет перехода электрона
в состояние с меньшим радиусом электронной
оболочки.
Это к создателю)))

И в итоге приведет к удорожанию конечной продукции, но бесконечно нельзя цены поднимать.

Ну это в Западном «рыночном» обществе как правило приводит к удорожанию цены. Китай несколько другая экономика. Он может субсидировать это производство различными путями, от прямых разовых «чеков» на закупку оборудования, до снижения пошлин на сырье для этой отрасли, а также налогов и даже ставку кредита, и при этом они продолжают резво занижать юань, так что цена в будущем может даже не измениться. И если запад делает подобное эпизодически, то Китай это делает постоянно и систематически обеспечивая конкурентное преимущество своим отраслям при первой же возможности ни с чем не считаясь.
Как говорил старик Эйнштейн, все в мире относительно.
www.xe.com/currencycharts/?from=USD&to=CNY&view=10Y
За десятилетний отрезок времени я вижу максимальные колебания аж в целых 15%. Такая «резкость» даже не снилась крупнейшему государству в мире) Можно только мечтать.
Я сказал «резво», а не «резко» :). Китайцы молодцы снижают когда надо для экономики (например сейчас), а не просто когда вздумается. :)

p.s. Минус не я вам поставил. :)
Эйнштейн никогда не говорил, что все в мире относительно
А ведь размеры кристаллической решётки кремния 0.54307 нм. В школе, когда изучал физику, считал маленькие размеры атомов большой проблемой, из-за которой нам сложно понять всю эту физику. А теперь при производстве транзисторов мы почти подошли к минимальному пределу размеров и теперь атомы кажутся не такими и маленькими.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь

Я понимаю, в свое время читал эту статью.
Но все равно, некоторые расстояние в транзисторах из-за квантовых эффектов уже особо не уменьшишь. Понятно, что мы ещё какими-то хаками будем уменьшать техпроцесс, но предел уже близко.

НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Квантовые эффекты это одна сторона, но как дела с радиационной стойкостью? Ведь «капля никотина» меньше не становится, а лошадь до размеров хомячка почти уже уменьшили. :)
Там где нужна радиационная стойкость никто не будет вешать мессенджер на электроне.
Это к тому что радиация на Земле есть везде. Любой державший в руках счетчик радиации неплохо представляет, что заряженные частицы не редкость. А так как речь идет о вполне себе «бытовых» чипах, то и стойкость какая-то должа обеспечиваться.

Как-то на IBM мероприятии они хвастались, что на одном из марсоходов их Power толи 3 толи 4. А это уже были времена Power 7. Типа только они смогли предложить относительно мощный процессор общего назначачения на большом техпроссе и хорошо защищенный от космической радиации, как физически, так и схемотехнически. Говорят, что их системы отслеживания ошибок позволяют процессору повторить инструкцию прерваную из попадания высокоенергитической частицы извне (в разумных приделах, разумеется). Они даже статистику приводили по этому поводу, но я уже подзабыл цифры.

толи 3 толи 4. А это уже были времена Power 7
Это не проблема меньшей стойкости новых техпроцессов, это проблема сроков сертификации микросхем для ответственных применений. Сделать радстойкий (для космоса) процессор можно на вообще любой технологии 350 нм и ниже от любой фабрики.
Прямо сейчас уровень проектных норм космических процессоров — 65-45 нм, первые изделия по 28-20 нм появятся через пару лет.

Говорят, что их системы отслеживания ошибок позволяют процессору повторить инструкцию прерваную из попадания высокоенергитической частицы извне
Такое и на коммерческом процессоре можно сделать (и активно делается). Специально спроектированные процессоры могут не повторить инструкцию, а просто работать дальше, скорректировав ошибку за счет встроенного резервирования.
Для «земных» уровней радиации там все хорошо с радиационной стойкостью, можете не переживать.
Тут не столько переживание, сколько общий интерес. Все же статьи про ускорители и детекторы попадаются порой, вот и возникают мысли на подобную тему.
На ускорители и детекторы cutting edge технологии не попадают, потому что во-первых, слишком дорого делать по ним мелкосерийные схемы, во-вторых, сроки разработки и эксплуатации чипов очень большие, и пересаживаться с однажды выобранной технологии никто не будет, а в-третьих, там, где действительно нужна высокая радстойкость — это аналоговые схемы, а не цифра, и там передовые проектные нормы натурально ни для чего не нужны.
А цифровая обработка данных идет на серийных серверах в безопасном месте.
Как-то разошлись мы во мыслях, каждый о своём. ;)
Я вовсе не электронику сенсоров имел в виду, она может быть хоть ламповой, если в конкретном месте это наилучший вариант окажется.
Статьи же упомянул лишь к тому, что они наводят на мысли о частицах летающих как и когда им вздумается.
А, если так, то есть довольно хорошая статистика по сбоям в суперкомпьютерах, как правило построенных на самых современных процессорах (спойлер: сбои есть, и с ними борются, но в пересчете на персоналку там вероятность один сбой во много лет), и неплохая статистика по трансатлантическим авиаперелетам (несколько сбоев на самолет за рейс, там с ними тоже борются).
Главное — не ставить суперкомпьютер в метро и помнить о том, чтобы в материале корпуса микросхемы не было источников альфа-частиц.
А почему собственно метро плохое место для потенциального размещения суперкомпьютера?

По крайней мере от космического компонента радиации слой земли сверху должен давать какую-то доп. защиту, хотя и далеко не полную. А в плане того что просачивается из земли в виде разных газов (радона в первую очередь и последующих продуктов его распада) должна удалять вентиляция. Что еще есть из неблагоприятных факторов?
Гранит, которым облицованы все центральные станции московского метро — природный источник радона. Для человека нормально (хотя японцы, по слухам, пугаются), а вот сбоев в супере будет чувствительно больше, чем в негранитном помещении.
А, это локальная особенность значит. В Питерском метро к пример тогда ставить можно — у нас в метро гранит почти не используется, в основном другие материалы (и все разные) — мрамор, песчанник, стекло, металлы, керамика и т.д.

Хотя в этом плане есть и собственные «аномалии»: гранитные набережные рек, где гранит не просто для облицовки, а сплошные толстые несущие плиты из гранита. На таких гамма фон вполне в 3-5 раз выше среднего по городу может быть. Сколько там еще альфы и беты дополнительно даже не знаю.
Как там дела с радиационной стойкостью, мы вряд ли узнаем в обозримом будущем, потому что тратить 250 миллионов долларов на разработку чипа, которого потом будет нужна одна-две пластины, никто не станет, это неоправданно дорого.

Нынешние и переспективные разработки радстойких микропроцессоров — это уровень 28-20 нм, и там все с радиационной стойкостью довольно неплохо. Особенно если учесть, что в FDSOI технологии (на которой делается перспективный европейский процессор DAHLIA) нет тиристорного эффекта.

Ну и в целом, с радиационной стойкостью у маленьких проектных норм все обычно хорошо, хуже как раз со старыми нормами и с теми новыми процессами, где используются большие размеры (например, в высоковольных схемах).
Ну все-таки у кремния не простая кубическая решетка, а межатомное расстояние вдвое меньше, чем 0.543 нм.
Так что, скажем, 5 нм в затворе транзистора — это не 9-10 атомов, а 18-19. Еще есть куда двигаться!
Вы не учитываете, что вероятность дефекта очень сильно вырастает.
Наверное поэтому теперь появились i9, из неудавшихся которых выйдут i7, i5, i3.

ИБМ ещё с алмазными полупроводниками экспериментирует, вроде бы. Там размер атомов ещё меньше.
Блин, ум за разум заходит, как представляю транзистор, размером в десяток атомов. Там же ещё легирующие элементы, их вообще считанные атомы получаются на элемент. Колдунство какое то.

Туннельный эффект говорит, что двигаться особенно некуда. Из-за него уже довольно давно пришлось заменить технологически удобный SiO2 в подзатворном диэлектрике на технологически неудобный, но более толстый оксид гафния.
Про фокусы с долегированием германием и прочими растянутые решетки для преодоления падения подвижности я даже начинать не хочу.

Про литографию, немного странно: 193 нм используют уже много лет, скорее бы стоило написать, что она иммерсионная и с четырехкратным экспонированием.


И, конечно, не переход к EUV позволил улучшить характеристики транзисторов, а просто набор performance knobs: различных приемов оптимизации структур, распределений стресса и примесей и тп.
EUV дает чисто финансовый плюс: можно вместо сложной многократной экспозиции сделать все за один раз. Но процесс крайне медленный и дорогой, так что пока не ясно, войдет ли он в технологию действительно, хотя и тайваньцы и корейцы и американцы делают на него ставку.

А как решили поглощение столь жесткого УФ в материале?
Что там с «оптикой»? И наверное уже не в воздухе?

Зеркала в вакууме.


image
Картинка: ASML

Тут уже писали что это размер «плавников» у транзисторов.
А сам транзистор далеко не 5нм и даже не 14…
Так что никакого прорыва нет.

Ну в той статье, неплохой кстати, это место было вообще не в тему: ширина фина к нормам производства и плотности транзисторов не имеет отношения (вернее имеет, но очень сложное): она определяется ограничениями, связанными с квантовой физикой (которая определяет распределения плотоности тока в канале в таким маленьких системах) и механическими свойствами: фин надо делать повыше, но если он слишком тонок, он просто сломается.

А где там 7 нм? Читаем википедию по ссылке из статьи:
EUV-литография делает возможной печать линий шириной до 30 нм и формирование элементов структуры электронных микросхем размером менее 45 нм
Т.е. 7 нм нет даже близко. Кроме того, было 7 нм, стало 7нм, но при этом "снизилось энергопотребление производимых микросхем на 8% и увеличилась плотность транзисторов на 20%". Как?
Видимо нынешние нанометры какие-то неправильные, подпорченные маркетологами.
Вот вырасту большой, изобрету 3D-принтер, который будет печатать объёмные микросхемы, а не эти плоские «блины».
Только полноправные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.

Информация

Дата основания
Местоположение
Россия
Сайт
www.it-grad.ru
Численность
201–500 человек
Дата регистрации

Блог на Хабре