Как стать автором
Обновить

Комментарии 31

НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Обратного и не утверждается, но до настоящего времени микропроцессоры развиваются согласно предсказанию Мура.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Неверно? Разве динамика изменилась?
Честно говоря между «будет удваиваться» (удваивается) и «должно удваиваться» есть достаточно большая разница. И хотя закон все еще действует, закон не всегда действовал строго. Были периоды, когда рост замедлялся, были — когда ускорялся.

В английской версии вики есть отсылка на прогнозы, что после 2013 года произойдет замедление темпа роста.
НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
Уже писал в комментариях к другой статье (http://habrahabr.ru/blogs/hardware/136414/#comment_4538065)
При увеличении плотности (кол-ва бит на квадратный дюйм) неизбежно уменьшается время жизни данных
image

Описанное в статье, несомненно, прорыв, только до применения пройдёт минимум года два исследований, а устройства, которые выйдут на рынок, будут с менее запредельными параметрами и будут по характеристикам существенно ближе к нынешним, чем к теоретическим и лабораторным.
Автора изобретения намного пессимистичнее, говорят о 20 годах, если получится. Хочу напомнить, что пока они сделали один бит из 12 атомов, даже не один байт.
Я дал минимальную оценку, то есть раньше чего не стоит даже думать об этом.
А почему такая маленькая оценка? За последнее время период перехода от лабораторных экспериментов к промышленному производству с десятилетий до годов/месяцев и постепенно сокращается. Плюс ко всему кто-то обещал где-то в период 2012-2020 революционный скачек технологий (технологическая сингулярность)
Я разговаривал с одним из авторов, он не надеется, что и через 20 лет произойдет промышленное внедрение этого устройства. Патент-то уже есть, но технологические проблемы там абсолютно другого масштаба, чем текущие. Даже охлаждение до 1 Кельвина — простая задача по сравнению с подавлением вибраций. Все известные мне лабы с СТМ находятся в специальных зданиях.
Лично я не могу представить как будут развиваться технологии даже через 10 лет, не то что через 20.
Ждём 20 лет и смотрим что будет ^_^
Вы не поверите, но в полупроводниковой индустрии (это там, где экспоненциальный рост и все такое) в 2001 году отлично представляли себе, что нужно сделать к 2011 году и какие будут сложности
Вот ITRS 2001 по милому моему сердцу front-end процессу.
Практически все в индустрии за последние 10 лет происходило по этому плану.
Так что люди, которые занимаются технологией себе все довольно ясно представляют.
«только до применения пройдёт минимум года два исследований, а устройства, которые выйдут на рынок, будут с менее запредельными параметрами и будут по характеристикам существенно ближе к нынешним» — вы описали экспоненциальный график развития существующих технологий.
И тем забавнее приставка «только».
30 лет такого «только» и технологическая сингулярность постучится в ваш дом под прикрытием миксера с бутербродницей.
Она уже должна была постучаться, согласно многим прогнозам, вчера или позавчера, однако этого не произошло. Если что-то и случится через 30 лет — мы будем только рады.
В статье не раскрыта серьёзная и важная проблема, а именно неустойчивость сканнирующего туннельного микроскопа к вибрации. Один из авторов эксперимента строит специальную лабораторию под такой микроскоп — отдельное здание, имеет специальный фундамент, с дополнительными тоннами бетона, для виброустойчивости.
Осталось начать массовое производство СТМ. :)
> Hitachi подсчитали, что их жесткий диск использует в среднем около 800 000 атомов для хранения одного бита информации… простым математическим действием мы получаем результат, в котором 8 Гб флешка использует примерно 69 квадриллионов атомов.

zomg, если Вы пишете о памяти, то хотя бы потрудитесь разузнать, как физически бит на жестком диске отличается от flash cell transistor, например, floating gate…
Это влияет на количество атомов хранящих единицу информации?
Да, поскольку у HDD и у флешки различные принципы хранения информации, то, соответственно, и количество атомов, занятых хранением одного бита информации, будет существенно различаться.
Но ±70 квадриллионов атомов на 8 Гб флешке — это верная информация и взята из научной статьи на Science, а первое значение предоставлено компанией Hitachi. Я неверно поставил их в зависимость друг от друга.
Да, именно. Претензии были к взаимосвязи фактов, а не к самим цифрам.
Прошу прощения — это не повторится в будущем.
Еще как!

Если не считать структуру и управляющие элементы, то в современной flash информация хранится в виде зарядов в поликремнии (или на дефектах), так вот в одной ячейке этих разрядов немного, менее 100.
А вся активная область состоит из примерно 500.000 атомов. И, кстати, в такой ячейке хранится 3 бита информации. При комнатной температуре. Если считать с контактами и control gate, то, конечно, больше, но ведь IBM тоже забыли посчитать атомы иглы СТМ, с помощью которой они снимают данные.

Если же считать для памяти, которая появится на рынке в ближайшие годы и уже работает в лаборатории (в ней заряды будут храниться на дефектах, числом менее 20), а весь размер активной зоны будет около 50000 атомных размеров.
Но, если говорить об «атомах хранящих бит» — то их будет около 10. И это при комнатной температуре.

Так что сравнивать магнитную память и flash по «количеству атомов, хранящих бит» это примерно как мягкое с холодным.
Атомы иглы СТМ не хранят информацию, поэтому для одного бита информации необходимы как раз 12 атомов железа. Насколько я понял, IBM не собирается делать память на этом эффект. Пока. Интересно было найти границу возможного.
Тогда в современной флеш памяти (которая еще не в серии, но прекрасно работает в лаборатории при комнатной температуре) «атомов хранящих бит» — примерно 20-30. (все остальное — это для считывания).
Учитывая, что на основе такой ячейки можно сделать 3-х битный MLC, получается примерно 6-10 атомов на бит.

Так что никакого «прорыва» особо нет. Просто в IBM, похоже полюбили простенький PR на играх с STM с тех самых пор.
image
А ссылочкой не поделитесь на эту лабораторную флеш-память? Уж что-то очень мало атомов надо.

Прорыв всё-таки есть — используют не ферромагнит, а антиферромагнит. Это означает, что не нужен заботится о stray field, которое как раз и является проблемой для современных хардов.
en.wikipedia.org/wiki/SONOS

Правда статья сильно устаревшая. Ссылку на реальные документы дать не могу — их в открытом доступе просто нет, но принцип тот же.

Те ловушки, которые имеются в виду — маленькие (например, просто хитрой формы вакансия). Заряды хранятся именно на ловушках, так что если считать только их, то получается совсем мало…
Спасибо за ссылку, очень интересно! Если я правильно понимаю, то бит в данной конфигурации — это заряд на нитриде кремния, которого 50 ангстрем, что будет минимум десятки атомов только по высоте. Думаю, нечестно считать только вакансии, у IBM реально было только 12 атомов.

Статьи в журналах есть про свежие наработки? Платные тоже ОК.
Нитрид-то толстый (хотя, конечно, его толщина может быть и сильно меньше), но: нитрид — диэлектрик. В нем нет свободных зарядов вообще.
Они сидят на ловушках, которые суть точеные дефекты. И которых мало.
Так что если считать пресловутые «атомы, хранящие заряд», то их до сотни.

Не думаю, что что-то серьезное публикуют. Безопасность и все такое
Вот презентация довольно свежая, но по старому материалу.

www.ieee-jp.org/japancouncil/chapter/ED-15/2010/DL-talk_TIT_Oct_2010.pdf

Рекомендую посмотреть на страницу 7 — the next big thing: располагать 16 ячеек (вертикально) на той же площади, где (при хорошей литографии) можно воткнуть 3-4
PS
А у IBM атомы в вакууме висят? и сигнал на глаз снимается? :)
По тексту 800 000 против 12 = 66 тысяч раз. На картинке почему-то всего 100 раз.
Зарегистрируйтесь на Хабре , чтобы оставить комментарий