Как стать автором
Обновить

Комментарии 15

Хотелось бы понять за счет достигается «повышенная энергоэффективность». Количество транзисторов на единицу площади возрастает, теплобмен остается тот же (излучаемая поверхность не изменяется). Куда деваются излишки тепла?
Повышение энергоэффективности достигается уменьшением длинны высокоскоростных линий связи между процессором и памятью. Чем короче линия связи, тем меньше ее паразитная емкость, которую надо перезаряжать при каждом изменении логического уровня на линии.
Понятно, спасибо. Тем не менее, количество выделемого тепла все равно увеличивается с увеличением числа транзисторов, не ясно как отводить тепло от таких мисросхем. В зарубежной прессе пишут, что наука упёрлась не в размер транзисторов, который все еще можно уменьшать, а в тепловую стену (power wall) — возможность эффективно отводить тепло от растущего количества транзисторов.
давным давно читал на хабре про идею пропускать жидкий теплоноситель через чип, через специальные каналы внутри кристалла.

Идея "очевидная", но имеет недостатки. Самые очевидные из них:

  1. Канал может засорится

  2. Если каналов несколько, нужно обеспечивать более мене одинаковый ток вних

  3. Нужно обеспечивать гермитичность подключения системы охрлаждения

IBM такое, кажется, уже делали.
Тем не менее, количество выделемого тепла все равно увеличивается с увеличением числа транзисторов

Память HBM — это DRAM, она на конденсаторах, а те кушают меньше чем транзисторы. У Xilinx есть неплохая whitepaper, где они объясняют, зачем им HBM и на чём там экономия выходит, в частности, там есть табличка на с. 3 из которой следует, что 16ГБ HBM потребляет порядка 1 Вт.

В кремниевом интерпоузере нет транзисторов. Там только проводники. Это типа подложки (substrate) только в кремнии.

Еще, чем короче связи, тем более низкое напряжение можно использовать при той же частоте или бОльшую частоту при том же напряжении. В идеале, когда память и процессор работают на одной и той же частоте и напряжении. На практике этого конечно не будет, но даже приближение этих параметров дает выигрыш в производительности или энергоэффективности.
Линии передачи данных короче -> ёмкости проводников меньше -> токи ниже. За счёт этого буфера входов-выходов микросхемы потребляют значительно меньше энергии, и рассеивают тепла тоже меньше.

Чем это лучше кремниевого моста от Интел? EMIB если не путаю. Также служит для соединения чипов, но не имеет таких ограничений на размер "упаковки". Там на сколько я помню кристаллы соединяются небольшим мостом друг с другом, а не с помощью подложки. Технологию уже обкатали на Kaby Lake - g

Чем это лучше кремниевого моста от Интел? EMIB если не путаю. Также служит для соединения чипов, но не имеет таких ограничений на размер «упаковки».

Доступностью. I-Cube4 заявлен для контрактного производства, т.е. клиенты Samsung смогут использовать это для своих чипов, а EMIB доступен только Интел для её собственных продуктов и больше никому. Хотя там TSMC собиралась в этом году допилить свой аналог EMIB — LSI.

С доступностью полностью согласен, но это временное преимущество. В обозримом будущем Intel собирается выступать как контрактный производитель. Если к этому моменту они всё таки освоят свои 7нм, которые по плотности сопоставимы с более "тонкими" техпроцессами TSMC и Samsung, то у Самсунга появится на одного сильного конкурента больше. Имхо им нужно что-то более похожее на EMIB, чтобы избавиться от недостатков кремниевых подложек.

На счёт LSI не слышал. Спасибо, почитаю.

Ну вот, теперь придется перекатывать шары не только на видеочипах, но и на составляющих видеочипа :)
Только полноправные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.