Во-вторых, про микроновские 90 нм уже писали тут не раз, сомнительного они качества.
Не знаю, кто и что тут "писал не раз", но Вы ерунду полную воспроизвели. Микроновские 90 нм, это лицензированная у ST-M CMOS90 LP, т.е Low Power технология оптимизированная на малопотребляющие приложения, соответственно никаких предельных скоростей она обеспечивать и не собиралась by design.
Это, извините, не туториал, а больше на набор вредных советов смахивает. От таких "обучалок", в том числе, у некоторых глазик дёргаться начинает при словах об Ардуине и её "сообществе".
Проблема в том, что Вы описали как соединить три не самых выдающихся образца электроники проводами и "подрыгать ножками" из IDE, но не пишете, а как это собственно работает. Работать-то оно будет, но на письменном столе и недолго. А в "дикой природе"; передаю по буквам; это решение не выживет. "Ардуинщикам" такое невдомёк, они ж по "тьюториалу всё соединили", и любой шаг в сторону приводит к воплям, а-а-а спаситя-памягитя!!! За это их не любят, в основном.
Что плохо. Про железки. Вы тут пишите про конкретные модули не делая никаких обобщений, так что ругать я буду тоже конкретно это.
Китайский релейный блок - гавно. Реле с намёком на "силовую нагрузку" Вы не сможете так использовать. Т.к. на плате нет снабберных цепочек, у реле контакты быстро погорят с хорошей вероятностью. Опторазвязка - это фикция при общем питании на обе стороны. Накойхер эта схема вообще такая китайцы скромно умалчивают. Ну и в эти винтовые клеммы я поостерёгся бы заводить какие-нибудь прилично нагруженные 1.5 мм2.
Китайский расширитель портов - гавно. На нём нет конденсаторов по питанию, зато наглухо распаяны резисторы подтяжки шины. В реальных условиях будут проблемы с самопроизвольным переключением GPIO и зависаниями шины. Ещё возможны чудеса с обменом, когда Вы повесите гирлянду подобных "модулей" и кто-то на шине в конце концов офигеет тягать связку из n-цати подтяжек.
Что делать? Собрать из этих какашек модель шоколадного торта, порадоваться, что получилось, разобрать и сделать годные платы под свой проект самому. Никогда не ставить никакие китайские "модули для Ардуино" ни в какие боевые решения.
Про содержание. Как уже заметили, "вот же ж круто, а зачем"? Если пишите для новичков, то такие вещи указываются в первую очередь: что мы будем делать и какую проблему мы этим решим. Опять же, если для новичков, то надо бы было объяснить, а как вообще эта шина работает на аппаратном уровне? Что такое подтяжка уровня и зачем она? Сколько может быть мастеров, сколько слейвов, как у них арбитраж устроен? Сколько слейвов может быть в теории (не 64 это точно, это я Вам, как большому любителю I2C, намекаю), а сколько на реальной физической шине? С чем связано ограничение (электрическая емкость портов и линии, напряжение питания, сопротивление подтяжки)? Как решить проблему большого числа слейвов и длинных линий (буферы I2C)?
Про PCF8574 тоже молчок, хотя и там не всё так просто. У неё квази-двунаправленный GPIO порт со "слабой подтяжкой" к высокому уровню. Что это за зверь новичку невдомёк. Вот он посадит какую-нибудь нагрузку порта на землю, чтобы, значит, она логической единицей включалась "как на Ардуине тыщу раз делал", а она не заработет. Имеет полное право.
Про программные нюансы уже написали. Повторяться не буду. Общий посыл один: обучалка должна обучать пониманию того, что ты делаешь, зачем и почему, а не попугайскому втыканию проводков и копипасте скетчей.
Слышал про такое и готовился уже отдать пошлину за ослиллограф с Али, но... Посылка трекалась как отправление Почты Китая до Казахстана, после чего пропала с радаров на три недели и материализовалась уже в Москве на складе СДЭКа. После чего пересылка Москва-Москва по накладной СДЭКа, доставка до двери и... всё. Никакой пошлины. Что это было, я без понятия. Ничего специально не просил у продавца, способ доставки ничем не выделялся. Так что, методы у китайцев явно существуют.
Мне надо нормальный столик с обоймой для стекания резиста
Обычно столик крутится в чаше, а внизу чаши есть сток системы "дырка". Вы это имеете в виду? На всякий случай обращу внимание, отработанный резист не используется повторно. Вы, конечно, можете попробовать для своих целей так сделать, но, помимо проблем с дефектностью (узнаете ещё про дефекты типа "комета" :), ещё и непредсказуемую нестабильность толщины получите. Оно может для Ваших целей и не критично, но зачем?
Важно продумать надёжную механику крепления для заготовки и её балансировки. Обычно столики вакуумные делают, но надо точить полый вал, вращающееся уплотнение для него, столик с каналами, насос ставить. Наверное, всё же механический зажим Вам проще будет придумать. Для примера величины проблем, на пластинах 150 мм с базовым срезом возникает такая сильная вибрация на 6000 об/мин, что рядом стоять страшно. Это только из-за базового среза, а Вам прямоугольники центровать надо... Кстати, в углах наверняка будут зоны неравномерной толщины, но это в принципе не лечится на центрифуге. Не удивляйтесь, и это не причина не пробовать, на квадратные заготовки фотошаблонов резист также наносят и ничего.
Еще мысль была а что если аэрографом на центрифугу сразу наносить :)
Можно попробовать, но большого смысла не вижу. Аэрозольное нанесение используют обычно при необходимости покрывать очень развитый рельеф пластины. Вам полезнее будет сконстролить дозатор с закреплённой по оси вращения трубкой подачи. Воспроизводимость процесса поднимется многократно.
Наносится жидкий фоторезист методом центрифугирования, определённый объём наливается в центр пластины, даётся некоторое время на растекание и врубается центрифуга. Проблема в том, что если в документации написано сколько и как лить, и с какой скоростью раскручивать — так и надо делать. Очевидно что у моторчика от жёсткого диска для этих целей просто недостаточно мощности. Получаются лучевидные подтёки, и рисунок нормально не проявляется
Вы описываете один из вариантов нанесения, на практике достаточно редко встречающийся. Что касается современных автоматических рецептов нанесения, то там всё несколько сложнее, но для варианта "ручной полив" вполне рабочий такой рецепт:
раскрутить пластину до n1 об/мин.
"мгновенно" вылить в центр пластины 5-10 мл ФР
сразу после полива поднять скорость вращения до n2 об/мин.
фаза распределения ФР 20-40 с.
остановка
Скорость n1 обычно берут порядка 1000 об/мин, скорость n2 - 1000-5000 об/мин. От второй скорости зависит толщина плёнки. На малых скоростях ухудшается равномерность, на больших - пластину сорвёт со столика. (Кстати, а как у Вас стекло на столике держится?) Таким образом приходим к тому, что для определённого диапазона толщин плёнки нужна своя вязкость ФР. S1813 "разбавлен" для получения плёнки 1.3 мкм при 4000 об/мин в условном типовом процессе нанесения. Тут возникает вопрос, а хватит толщины ФР для вашего процесса травления?
"Мгновенно" выливать, это имеется в виду как можно быстрее. Можно просто прицелиться и опрокинуть в нужный момент из обычного стаканчика заранее подготовленную дозу. Вполне годный способ, кстати, если надо по-быстрому сделать оценку нового материала, а на заполнение системы либо материала не достаточно, либо канала пустого нет в треке, либо пачкать его нет желания. Можно подавать ФР из шприца, но это не так удобно и практически ничем не лучше.
Ваш результат со стрелами обычно получается, когда недостаточно ФР вылили на пластину. Важно ещё попасть в центр вращения. Для автоматических процессов на пластине 150 мм считается приемлемым расход ФР порядка 3 мл/пл. Да, большая часть окажется на стенках чаши центрифуги. Для ручного нанесения берите с запасом.
Можете ещё, для лучшего растекания, попробовать предварительное смачивание поверхности растворителем, прямо во время вращения, до подачи ФР. Используйте этил лактат, он же EC Solvent 11, берётся там же, где и сам ФР.
Не забудьте ещё про сушку: горячая плита 115 гр.С 60 с.
PS: Что приятно с этими старыми резистами, так это то, что это "классика" и на неё просто шикардосная документация в открытом доступе. См. тут, например. На современные материалы хрен кто даст такой каталог теперь, только под NDA.
Казалось бы да, но нет. То, что написано в части "разбираемся в слоях" имеет мало общего с релевантной английской терминологией. Как минимум, я не вижу адекватной кальки для "покрыть N полупроводником", "вставляем диффузии типа P и типа N", "где диффузия (diff) соприкасается с PSDM", "вставляется слой поликремния", "поликремний испаряется", "микрочастицы (Что это вообще? Так тип дефектов называют обычно.) вставляются в области". Так можно написать только, если не знать и русскую, и английскую терминологию одновременно. Ну или иметь только практику "рисования", где логично "покрывать", "вставлять" и "соприкасать" полигоны, но никак не понимать сути происходящего с пластиной, и что из себя представляют физические слои представленные слоями дизайна, т.к. каша в маршруте начинается практически с самой первой литографии.
Тут, конечно, есть и вина skywater, т.к. могли бы маршрут свой описать хотя бы схематично. Я уже не говорю о явной провокации с иллюстрацией "Process Stack Diagram", т.к. это ничего общего с STI не имеет, более того, там результат принципиально другого маршрута FEOL изображён, и эта структура ну никак не может образоваться при использовании STI (см. различие по высоте затворного поликремния и на FOX).
Я тут до конца не понял, что они делают на самом деле. По картинке "Process Stack Diagram" имеются только n-well и p-sub. Никаких p-карманов нет. Да на ней даже STI нет. Но открываем описание приборов и видим совсем другое дело. Всё как у людей.
Раз 1.8V PMOS FET:
Два 1.8V NMOS FET:
Тот "Process Stack Diagram" скорее всего не полный в транзисторной части. Причём слоя p-well может и не быть в дизайне, а карман всё равно сделают :) На этапе преобразования дизайна в масочные слои автоматически его сгенерируют и ФШ закажут. С другой стороны, в перечне масок SKY130 он всё-таки не указан, а на структуре приборов есть :/ Что-то ребята темнят.
А ионные импланты типа Вас не смущают? Это ж всё-таки не про лечение зубов статья. "Производится легирование областей n-карманов мышьяком методом ионной имплантации".
Про технологию в целом написано чудовищным языком. К сожалению, это просто надо переписывать.
Позитивный момент - больше энергия фотонов, немного проще засвечивать фоторезист
А проще ли? Со стохастикой проблемы не увеличатся? Поинтересуюсь, как там актуальная ситуация с материалами, на чём сейчас работают в продакшн, не знаете, модернизированные под EUV CAR или какой-то другой тип резистов выбрали?
Ну почему, почему, когда тут появляются статьи про технологию ПП, никто не отдаёт тексты на вычитку специалисту, хоть мало-мальски соображающему в предмете? Авторы, вам пишу, ну неприятно же такое читать, вы ни других, ни себя, что ли, не уважаете? Тут есть буквально один-два квалифицированных человека, оригинальные материалы которых в самом деле приятно читать, остальные переводы и компиляции - полнейший трешак :(
Остальным очень советую читать оригинал. Тем более, что хороший кусок вкусноты переводчики просто выкинули (не осилили?). Краткий список "опечаток":
В Intel 4004 было 2200 транзисторов, а я разместил 1200 на такой же пластине. Не на пластине, а на одном чипе. На пластине у него много чипов. В оригинале: "на куске кремния такой же площади".
но у алюминия слишком большая разница рабочих функций с кремниевым каналом под ним, Work function - этот устоявшийся термин переводится как работа выхода, а не рабочая функция.
у самовыравнивающегося затвора Тоже самое. Есть технология с самосовмещёнными затворами. С самовыравнивающимися нет.
что затрудняет зондирование. to probe, хм, тут интересно. У нас так не принято сокращать смыслы. Хотя удобно. Но, или измерения зондовым методом, или измерения зондами, или даже измерения электрических параметров.
N-МОП-транзистор с небольшим смещением в металлическом слое С рассовмещением.
используется силан silane (англ.) - моносилан (рус.)
Поскольку я купил пластину с хорошим высококачественным оксидом, который изначально изолирован толстым слоем поликремния, Не изолирован, а закрыт. Изоляция - электрическое свойство, а тут обсуждается вопрос поверхностных загрязнений.
Активное травление Травление активных областей. Хотя, тут уже вопрос к автору оригинала, это скорее n-S/D маска, чем active. Active - это формирование активных областей, и оно же, межэлементная изоляция. Тут этот шаг в маршруте пропущен вовсе. Интересно, как он его реализует?
Добавка допанта для стока/истока Это называется легирование (примесью) истоков/стоков.
Занятный опыт, конечно. Только, для изучения технологии такой вандализм не пригоден, к сожалению. А что вы хотели этим сказать? У меня то нет сомнений, как мы делали контакты и переходные окна на этой схеме ;)
Мы-то все термическим распылением наносили, там окно зарасти не может.
Вы напрасно так категорично думаете. Я же не зря писал про аспектное отношение. Очень может зарасти и при PVD процессе. Вот, нагуглил более-менее подходящую иллюстрацию из статьи (см. DOI: 10.1063/1.1937476), это PVD:
Видите, из-за чего получаются войды? Статья, вообще-то про барьерные слои, но легко представить, что получится, если попробовать полностью заполнить окно. Всё очень сильно зависит и от требуемой геометрии, и от конкретного типа реактора, а их не два условных PVD и CVD, а достаточно много разновидностей каждого процесса и разных поколений. То, что в одной технологии делается легко и непринуждённо, в другой технологии может и не получиться на том же оборудовании или вообще не получится с тем же типом процесса. Не зря же под новые технологии меняется не только оборудование ФЛ, но и существенная часть всех остальных установок.
Я так понял, там наоборот, вольфрам служит ограничителем диффузии всякой активной гадости
Нет. Вольфрам и есть основной конструктивный материал контактных окон.
На счет заполнения контактного окна — если там прямой клин, то никакого «горла» нет
Это зависит, в первую очередь, от степени конформности процесса осаждения и аспектного отношения контактного окна. Процесс W CVD из гексафторида вольфрама имеет очень хорошую конформность. А вот с Al PVD так не выйдет. Посмотрите вот эту статью, например. Обратите внимание на картинку №7. Из этой статьи хабра-авторы как раз картинку выдернули, кстати, но дальше первой картинки читать не стали, к сожалению.
Вот, для примера, SEM снимок типичного контактного окна к активной области. Отмечено само окно и слои лайнера. Обратите внимание на аспектное отношение (это отношение глубины к ширине).
Удачи с изготовлением чего бы то ни было без ионной имплантации)
Если чего бы то ни было, то пожалуй что "да без базара", диффузию из слоя фосфор/боросиликатных стекол ещё не отменили :) Для субмикрона, конечно, опа. А вот без операций очистки действительно ничего не взлетит, хотя про них никто никогда не рассказывает...
Жаль, что технологи всего мира не в курсе и, бедные, мучаются с тем, чтобы как-то уменьшать конусность получающихся при травлении отверстий.
Ну, тут такое дело, конусность иногда и специально задают на нужном уровне, для правильного заполнения. Но в целом, есть такое. Хотя, как говорится, "есть способы". Хоть всю пластину насквозь, есть такая штука как бош-процесс. По принципу, это циклическое травление-пассивация боковой стенки. Можно "выгрызать по-частям" отверстия ну просто с очень неприличным аспектным отношением. Но они будут не "идеально гладкие", конечно.
Но необходимо признать, что в целом уровень материала радикально выше, чем у прошлой статьи.
Да ну нафиг, полно ляпов. Погнали:
Литография позволяет нам получить нужный трехмерный рисунок на поверхности чипа.
Трёхмерный рисунок в слое ФР? "Я должен это видеть!" Кстати, уже бывает, но это вообще не про планарную технологию.
Ну и наконец-то заливка бетоном вашего фундамента — это осаждение. Получение в конце концов именно того фундамента, который изначально был нанесен с помощью литографии.
Эм, хм. Неудачный пример. Осаждение покрывает всю пластину. Это как вытряхивать бетон из миксеров с вертолёта на стройплощадку. Для формирования "фундамента" как раз потребуется либо ФЛ после осаждения, либо ФЛ до осаждения и химико-механическая полировка (CMP) после, если дамасский процесс делаем.
В целом, есть два вида травления — сухое и мокрое.
Я вот знаю технолога, которая за "мокрое травление" может и сказать пару ласковых про автора. Жидкостное травление.
жидкость затекает во все места, ведь это жидкость и травление происходит равномерно во все стороны, а не вертикально вниз, как мы хотим. Это называется подтрав под маску!
Это называется изотропный процесс. А подтрав под маску - так называется результат. "Вертикально вниз" - это анизотропный процесс. ПХТ тоже может быть изотропным, так между прочим, а степень изотропности может быть даже управляемой. Если в создании материала участвовал технолог по ПХТ, то приведённое описание весьма странно...
При этом, как и в случае с жидким травлением, те участки, которые мы хотим сохранить, мы можем покрыть специальной маской, которая останется нетронутой в процессе сухого травления, а открытые участки просто улетят!
Вау! Мечта ПХТ'шника, бесконечная селективность к маске! Это же круче чем IDKFA. Пойду расскажу, у кого консультации брать, а то коллеги всё волнуются, хватит им резиста или не хватит. Оказывается ваще не проблема. Ну перепутали рабочий слой и маску, не вычитали, не разобрались и кинули текст как есть. Так сойдёт.
медь для контактов транзистора
Ы-ыыы! Тут уже все должны пасть ниц. Медь - быстродиффундирующая примесь, делать из неё контакты к транзисторам это как бы сказать... ну, не очень круто. Медь на производстве вообще любят убирать в отдельный участок. По началу, так вообще в отдельную изолированную чистую комнату выводили и даже меняли перчатки после каждой передачи контейнеров с "медными" пластинами. Потом немного убрали степень паранойи, но всё равно медные перекрёстные загрязнения могут в прямом смысле убить всё производство фаба. Поэтому с медью - очень осторожно и по специальному протоколу.
И ещё, даётся описание PVD процесса осаждения вольфрама, я даже специально посмотрел свои записи, от 0.5 мкм, как минимум, используется CVD процесс.
При чем самое крутое, что все эти процессы, как осаждения, так и травления, можно проводить для нескольких пластин одновременно,
Можно, но не нужно. Все промышленные установки травления и PVD на субмикроне для индивидуальной обработки пластин. Невозможно обеспечить достаточную равномерность по пластине и по партии в реакторах групповой обработки. CVD есть индивидуальные и в виде вертикальных групповых печек.
PS: Стал ли уровень материала выше? Не думаю... Так, для детского сада сойдёт. Уровень: "я взял Ардуину и три китайских модуля..."
Контакты делают вольфрамовые из-за возможности получения очень хорошей конформности осаждаемого слоя. Другим металлом просто не получится заполнить контактное окно с нужным аспектным отношением. Горловина окна зарастёт раньше, чем сформируется тело пробки, получится здоровенная полость и брак по отсутствию контакта. Но под вольфрам обязательно нужен Ti/TiN лайнер для обеспечения адгезии вольфрама и предотвращения диффузии в кремний. Больше подробностей не скажу, это не мои процессы, надо консультироваться у профильных технологов.
Я и говорю, что это новые идеи "для внутреннего применения". Как Вы думаете, с ними микроэлектроника затащит в новое качество? Ну скажем развитие направления ИИ в виде нейронки на кристалле. Всё-таки (с моей колокольни) сейчас развитие вычислений, в основном, идёт квадратно-гнездовым методом: пихаем память - пихаем логику. Оптимальна ли эта организация и сама КМОП технология для других архитектур (и каких) или придётся переигрывать на уровне функциональных ячеек или даже на уровне элементов? Брутфорсить GFLOPS'ы и Gbit'ы круто конечно, но это же boring... Не?
Да я с этим и не спорю, с точки зрения изнутри микроэлектроники, это определённо развитие, просто афигеть какое, в самом лучшем смысле. Я как бы сам 20 лет как технолог, и читаю про все эти нововведения с огромным интересом и сам прочувствовал, как всё изменилось изнутри, от технологий порядка полмикрона до довольно неплохого уровня. Я про взгляд со стороны. Со стороны, это определённый застой. Микроэлектроника "созрела" как технология, мы тут вряд ли уже увидим совершенно новые идеи. Она сама, конечно же, не виновата. Просто удивляет вера некоторых во "всесильность и бесконечность" микроэлектроники.
Хм :/ Меня тут как-то гоняли в комментариях за высказывание, что микроэлектроника упёрлась в идеологический предел и дальше уже не будет развиваться. Все эти ячейки стопками, WLP и прочее как-то сильно смахивает на типичный застой, когда уже требуются новые продукты, но существующие технологии, по сути, ничего оптимизированного под запросы не могут предложить, только экстенсивный путь "складывания в стопки" того, что уже имеем. Если прищуриться, то мы уже частично вернулись в эпоху мэйнфреймов с централизованными вычислениями в датацентрах. Хорошо, когда тяжёлую работу можно скинуть на серверную сторону с машзалами и МВт'ами питания. И когда есть интернет. А если считать надо здесь, и на том что есть прямо сейчас? Я тут топлю, как минимум, за поиск каких-то принципиально новых архитектур под кремний, хотя, по большому счёту, вероятно, строить их оптимальнее будет уже на каких-то других физ.принципах. Очень мне интересно, когда и что наконец вырастет, и доживу ли я до этого.
Как обычно, по технологии позорище и полно косяков.
Скорее всего вы знаете, что процессоры производят путем фотолитографии. Иными словами, лазер светит через трафарет, который называется маской, и процессор буквально выжигается на кремниевой подложке.
Лютый бред! "Скорее всего" вы НЕ знаете каким путём производят процессоры. Основная ошибка в "выжигании". Естественно, это не так, и никакого отношения к лазерной гравировке фотолитография (ФЛ) не имеет. Освещая, предварительно нанесённый на подложку, слой фоторезиста через фотошаблон (ФШ), излучением, к которому чувствителен фоторезист (ФР), в последнем создаётся скрытое изображение, т.е. участки с модифицированными химическими свойствами. В простейшем случае, для "классических" позитивных новолачных ФР, эта модификация состоит в увеличении скорости растворения экспонированного фоторезиста в растворах щёлочи, которые и являются проявителями. После проявления на подложке остаётся защитная фоторезистивная маска (ФРМ), повторяющая топологию ФШ. ФРМ обеспечивает селективность воздействия на подложку на следующих за ФЛ технологических операциях: жидкостного или плазмохимического травления, ионной имплантации, в некоторых случаях даже осаждения (т.н. взрывная lift-off (англ.) литография). После выполнения этих операций остатки ФРМ удаляются. Для её удаления обычно используют комбинации операций сжигания ФР в кислородной плазме и жидкостной очистки поверхности.
Так индустрия и развивалась: когда достигали предела разрешения лазера — меняли его на лазер с более короткой длиной волны.
Для начала, тут просто нелепица написана: у лазера нет разрешения. Дальше будет также сказано, оказывается, до лазеров тоже была жизнь! Так там что же меняли, одну ртутную лампу на другую? А может фильтр? "Да ну нафиг, не будем этого вообще писать, к чёрту подробности! Ну и что, что бред получился? Зато с огоньком!"
Сначала освоили 248 нм — средний ультрафиолет, а потом 193 нм — глубокий ультрафиолет или DUV.
Ошибка. Средний ультрафиолет (MUV) - это 365 нм, 248 нм - это уже DUV. Чтобы не путать 248 нм DUV и 193 нм DUV часто их обозначают как KrF и ArF (от применяемой среды лазерного источника) ФЛ соответственно. Если лезть в особенности ФЛ процессов, то будет ещё один критерий раздела: для DUV процессов используются исключительно ФР с химическим усилением контраста (CAR). Для 248 нм и 193 нм ФР тоже разные, но принцип работы у них одинаков, в MUV ФР этого нет. По этой причине есть существенные различия в процессах ФЛ для MUV и DUV, в т.ч. даже в принципах построения технологических установок.
193 нм — глубокий ультрафиолет или DUV. Такие лазеры давали максимальное разрешение в 50 нм
Ещё раз: лазеры не могут давать разрешение. Разрешение - есть параметр установки экспонирования (и процесса ФЛ, вообще-то говоря, на чём те же ASML с удовольствием "соскакивают с базара", при первом же удобном случае). Если сравнивать процессы без иммерсии, то для установок с источником 193 нм излучения предел по разрешению порядка 65 нм - 100 нм (и эта величина, и далее, именно разрешение по ФРМ, а не технологическая нода!) в зависимости от "крутизны" модели. ASML даёт аж 57 нм для топовой машины, но хз, я бы вот не стал такой процесс делать в продакшн... То, что ниже, это так называемая ArFi ФЛ, т.е. иммерсия, т.е. когда пространство между последней линзой проекционного объектива и поверхностью ФР при экспонировании заполняется водой. Это совершенно другое поколение установок, хотя "лазер" там с той же длиной волны. Там предел разрешения до 38 нм получен. Всё что ниже, это multiple patterning (MP), и к разрешению самой ФЛ уже не имеет никакого отношения, в общем-то. Зато имеет отношение к точности совмещения слоёв. Вот по этому параметру как раз последние модели ArFi установок и отличаются в первую очередь.
Гиганты Кремниевой Долины потратили сотни миллионов долларов для перехода на 157 нм (лазеры на основе фторид-кальциевой оптики), однако всё было впустую.
Это называется "слышал звон". Эксимерные лазеры на 157 нм делают на фторе (F2). На флюорите делают проекционную оптику установки экспонирования. Проблемы были не только в ней, но и в разработке подходящих материалов для ФШ и ФР. При этом переход 193 нм -157 нм не дал бы практически никакого продвижения вперёд, но предполагал очень большие финансовые затраты и окончательное закатывание в тупик. Поэтому, этот путь был похерен ещё на очень раннем R&D. Вместо него пошёл MP, что конечно никого сильно не обрадовало, но было меньшим и единственно приемлемым злом.
Это как-то меняло преломление луча и позволяло повысить разрешение.
Как-то? Ё-прст!!! "КАК-ТО", Карл! А вы не в курсе КАК? А на хера, простите за мой французский, вы вообще тут делаете? Отличная статья, нечего сказать... Дифракционное ограничение оптического разрешения обратно пропорционально числовой апертуре. Числовая апертура прямо пропорциональна показателю преломления среды. "Как-то" запихиваем воду (n=1.44) под объектив вместо воздуха (n=1.0) и получаем профит по разрешению почти в полтора раза. Да, это, блин, формулы, но могли бы потратить полдня и нарисовать красивые наглядные картинки. За одно сами бы разобрались о чём пишете.
Стали использовать множественное экспонирование, т.е. они стали использовать несколько масок, с разными рисунками, которые дополняют друг-друга.
Ещё одна залепуха от непонимания языка, на котором разговаривать пытаются. Multiple patterning к multiple exposure не относится от слова никак. Это вообще разные техники и делаются для разных целей разным способом. В контексте статьи про "множественное экспонирование" можно вообще не вспоминать. И я про это, кажется, уже как-то писал в комментарии к другой статье этих же оболтусов, но с тех пор никому, видимо, там так и не почесалось почитать матчасть перед тем как нести ахинею... Хотя бы для приличия.
Длина волны лазера скакнула с 193 нм до 13,5 нм, что является крупнейшим скачком за всю историю создания процессоров.
Сюрприз! "Длина волны лазера" в EUV литографии 10.6 мкм, а не 13,5 нм. Т.к. лазер там на CO2. А если вы пишите про источник экспонирующего излучения, то это, на минуточку, не лазер, а LPP (laser produced plasma) источник.
Технологию разрабатывали 81 год и только в 2020 она заработала в полную мощь.
81 год? Да ладно! Вы вообще в курсе, в каком году была создана первая микросхема? Даже писать тут не буду. Хоть это нагуглите сами.
Ключевой момент технологии в том, что она позволит уменьшать техпроцесс вплоть до 1 нм
Вам тут уже написали про названия техпроцессов и разрешение. Так, для справки, ASML сейчас заявляет разрешение топового продакшн EUV сканера на уровне 13 нм. На какие ноды удастся растянуть это разрешение, это не ко мне вопрос. Мне вот гораздо интереснее другое, что произойдёт раньше: возврат к MP на EUV или идея с FET'ами окончательно перестанет работать.
Данные по производству у Вас, ну скажем, почти правильные. А вот причины и выводы не верные. Задачи бы нашлись, да и консервировать там ничего не надо. А вот с техпроцессом "мнение автора может не совпадать...", тем не менее, не стоит надеяться, что на Микроне в текущем оснащении можно развернуть что-то вменяемое на ноде 65 нм. См. тут. Намекаю, звёздочка там не просто так стоит, стоит она там уже долго и надёжно.
Не знаю, кто и что тут "писал не раз", но Вы ерунду полную воспроизвели. Микроновские 90 нм, это лицензированная у ST-M CMOS90 LP, т.е Low Power технология оптимизированная на малопотребляющие приложения, соответственно никаких предельных скоростей она обеспечивать и не собиралась by design.
Это, извините, не туториал, а больше на набор вредных советов смахивает. От таких "обучалок", в том числе, у некоторых глазик дёргаться начинает при словах об Ардуине и её "сообществе".
Проблема в том, что Вы описали как соединить три не самых выдающихся образца электроники проводами и "подрыгать ножками" из IDE, но не пишете, а как это собственно работает. Работать-то оно будет, но на письменном столе и недолго. А в "дикой природе"; передаю по буквам; это решение не выживет. "Ардуинщикам" такое невдомёк, они ж по "тьюториалу всё соединили", и любой шаг в сторону приводит к воплям, а-а-а спаситя-памягитя!!! За это их не любят, в основном.
Что плохо. Про железки. Вы тут пишите про конкретные модули не делая никаких обобщений, так что ругать я буду тоже конкретно это.
Китайский релейный блок - гавно. Реле с намёком на "силовую нагрузку" Вы не сможете так использовать. Т.к. на плате нет снабберных цепочек, у реле контакты быстро погорят с хорошей вероятностью. Опторазвязка - это фикция при общем питании на обе стороны. Накойхер эта схема вообще такая китайцы скромно умалчивают. Ну и в эти винтовые клеммы я поостерёгся бы заводить какие-нибудь прилично нагруженные 1.5 мм2.
Китайский расширитель портов - гавно. На нём нет конденсаторов по питанию, зато наглухо распаяны резисторы подтяжки шины. В реальных условиях будут проблемы с самопроизвольным переключением GPIO и зависаниями шины. Ещё возможны чудеса с обменом, когда Вы повесите гирлянду подобных "модулей" и кто-то на шине в конце концов офигеет тягать связку из n-цати подтяжек.
Что делать? Собрать из этих какашек модель шоколадного торта, порадоваться, что получилось, разобрать и сделать годные платы под свой проект самому. Никогда не ставить никакие китайские "модули для Ардуино" ни в какие боевые решения.
Про содержание. Как уже заметили, "вот же ж круто, а зачем"? Если пишите для новичков, то такие вещи указываются в первую очередь: что мы будем делать и какую проблему мы этим решим. Опять же, если для новичков, то надо бы было объяснить, а как вообще эта шина работает на аппаратном уровне? Что такое подтяжка уровня и зачем она? Сколько может быть мастеров, сколько слейвов, как у них арбитраж устроен? Сколько слейвов может быть в теории (не 64 это точно, это я Вам, как большому любителю I2C, намекаю), а сколько на реальной физической шине? С чем связано ограничение (электрическая емкость портов и линии, напряжение питания, сопротивление подтяжки)? Как решить проблему большого числа слейвов и длинных линий (буферы I2C)?
Про PCF8574 тоже молчок, хотя и там не всё так просто. У неё квази-двунаправленный GPIO порт со "слабой подтяжкой" к высокому уровню. Что это за зверь новичку невдомёк. Вот он посадит какую-нибудь нагрузку порта на землю, чтобы, значит, она логической единицей включалась "как на Ардуине тыщу раз делал", а она не заработет. Имеет полное право.
Про программные нюансы уже написали. Повторяться не буду. Общий посыл один: обучалка должна обучать пониманию того, что ты делаешь, зачем и почему, а не попугайскому втыканию проводков и копипасте скетчей.
Слышал про такое и готовился уже отдать пошлину за ослиллограф с Али, но... Посылка трекалась как отправление Почты Китая до Казахстана, после чего пропала с радаров на три недели и материализовалась уже в Москве на складе СДЭКа. После чего пересылка Москва-Москва по накладной СДЭКа, доставка до двери и... всё. Никакой пошлины. Что это было, я без понятия. Ничего специально не просил у продавца, способ доставки ничем не выделялся. Так что, методы у китайцев явно существуют.
Обычно столик крутится в чаше, а внизу чаши есть сток системы "дырка". Вы это имеете в виду? На всякий случай обращу внимание, отработанный резист не используется повторно. Вы, конечно, можете попробовать для своих целей так сделать, но, помимо проблем с дефектностью (узнаете ещё про дефекты типа "комета" :), ещё и непредсказуемую нестабильность толщины получите. Оно может для Ваших целей и не критично, но зачем?
Важно продумать надёжную механику крепления для заготовки и её балансировки. Обычно столики вакуумные делают, но надо точить полый вал, вращающееся уплотнение для него, столик с каналами, насос ставить. Наверное, всё же механический зажим Вам проще будет придумать. Для примера величины проблем, на пластинах 150 мм с базовым срезом возникает такая сильная вибрация на 6000 об/мин, что рядом стоять страшно. Это только из-за базового среза, а Вам прямоугольники центровать надо... Кстати, в углах наверняка будут зоны неравномерной толщины, но это в принципе не лечится на центрифуге. Не удивляйтесь, и это не причина не пробовать, на квадратные заготовки фотошаблонов резист также наносят и ничего.
Можно попробовать, но большого смысла не вижу. Аэрозольное нанесение используют обычно при необходимости покрывать очень развитый рельеф пластины. Вам полезнее будет сконстролить дозатор с закреплённой по оси вращения трубкой подачи. Воспроизводимость процесса поднимется многократно.
Вы описываете один из вариантов нанесения, на практике достаточно редко встречающийся. Что касается современных автоматических рецептов нанесения, то там всё несколько сложнее, но для варианта "ручной полив" вполне рабочий такой рецепт:
раскрутить пластину до n1 об/мин.
"мгновенно" вылить в центр пластины 5-10 мл ФР
сразу после полива поднять скорость вращения до n2 об/мин.
фаза распределения ФР 20-40 с.
остановка
Скорость n1 обычно берут порядка 1000 об/мин, скорость n2 - 1000-5000 об/мин. От второй скорости зависит толщина плёнки. На малых скоростях ухудшается равномерность, на больших - пластину сорвёт со столика. (Кстати, а как у Вас стекло на столике держится?) Таким образом приходим к тому, что для определённого диапазона толщин плёнки нужна своя вязкость ФР. S1813 "разбавлен" для получения плёнки 1.3 мкм при 4000 об/мин в условном типовом процессе нанесения. Тут возникает вопрос, а хватит толщины ФР для вашего процесса травления?
"Мгновенно" выливать, это имеется в виду как можно быстрее. Можно просто прицелиться и опрокинуть в нужный момент из обычного стаканчика заранее подготовленную дозу. Вполне годный способ, кстати, если надо по-быстрому сделать оценку нового материала, а на заполнение системы либо материала не достаточно, либо канала пустого нет в треке, либо пачкать его нет желания. Можно подавать ФР из шприца, но это не так удобно и практически ничем не лучше.
Ваш результат со стрелами обычно получается, когда недостаточно ФР вылили на пластину. Важно ещё попасть в центр вращения. Для автоматических процессов на пластине 150 мм считается приемлемым расход ФР порядка 3 мл/пл. Да, большая часть окажется на стенках чаши центрифуги. Для ручного нанесения берите с запасом.
Можете ещё, для лучшего растекания, попробовать предварительное смачивание поверхности растворителем, прямо во время вращения, до подачи ФР. Используйте этил лактат, он же EC Solvent 11, берётся там же, где и сам ФР.
Не забудьте ещё про сушку: горячая плита 115 гр.С 60 с.
PS: Что приятно с этими старыми резистами, так это то, что это "классика" и на неё просто шикардосная документация в открытом доступе. См. тут, например. На современные материалы хрен кто даст такой каталог теперь, только под NDA.
Казалось бы да, но нет. То, что написано в части "разбираемся в слоях" имеет мало общего с релевантной английской терминологией. Как минимум, я не вижу адекватной кальки для "покрыть N полупроводником", "вставляем диффузии типа P и типа N", "где диффузия (diff) соприкасается с PSDM", "вставляется слой поликремния", "поликремний испаряется", "микрочастицы (Что это вообще? Так тип дефектов называют обычно.) вставляются в области". Так можно написать только, если не знать и русскую, и английскую терминологию одновременно. Ну или иметь только практику "рисования", где логично "покрывать", "вставлять" и "соприкасать" полигоны, но никак не понимать сути происходящего с пластиной, и что из себя представляют физические слои представленные слоями дизайна, т.к. каша в маршруте начинается практически с самой первой литографии.
Тут, конечно, есть и вина skywater, т.к. могли бы маршрут свой описать хотя бы схематично. Я уже не говорю о явной провокации с иллюстрацией "Process Stack Diagram", т.к. это ничего общего с STI не имеет, более того, там результат принципиально другого маршрута FEOL изображён, и эта структура ну никак не может образоваться при использовании STI (см. различие по высоте затворного поликремния и на FOX).
Я тут до конца не понял, что они делают на самом деле. По картинке "Process Stack Diagram" имеются только n-well и p-sub. Никаких p-карманов нет. Да на ней даже STI нет. Но открываем описание приборов и видим совсем другое дело. Всё как у людей.
Раз 1.8V PMOS FET:
Два 1.8V NMOS FET:
Тот "Process Stack Diagram" скорее всего не полный в транзисторной части. Причём слоя p-well может и не быть в дизайне, а карман всё равно сделают :) На этапе преобразования дизайна в масочные слои автоматически его сгенерируют и ФШ закажут. С другой стороны, в перечне масок SKY130 он всё-таки не указан, а на структуре приборов есть :/ Что-то ребята темнят.
А ионные импланты типа Вас не смущают? Это ж всё-таки не про лечение зубов статья. "Производится легирование областей n-карманов мышьяком методом ионной имплантации".
Про технологию в целом написано чудовищным языком. К сожалению, это просто надо переписывать.
А проще ли? Со стохастикой проблемы не увеличатся? Поинтересуюсь, как там актуальная ситуация с материалами, на чём сейчас работают в продакшн, не знаете, модернизированные под EUV CAR или какой-то другой тип резистов выбрали?
Спасибо за отличную статью!
Ну почему, почему, когда тут появляются статьи про технологию ПП, никто не отдаёт тексты на вычитку специалисту, хоть мало-мальски соображающему в предмете? Авторы, вам пишу, ну неприятно же такое читать, вы ни других, ни себя, что ли, не уважаете? Тут есть буквально один-два квалифицированных человека, оригинальные материалы которых в самом деле приятно читать, остальные переводы и компиляции - полнейший трешак :(
Остальным очень советую читать оригинал. Тем более, что хороший кусок вкусноты переводчики просто выкинули (не осилили?). Краткий список "опечаток":
В Intel 4004 было 2200 транзисторов, а я разместил 1200 на такой же пластине. Не на пластине, а на одном чипе. На пластине у него много чипов. В оригинале: "на куске кремния такой же площади".
но у алюминия слишком большая разница рабочих функций с кремниевым каналом под ним, Work function - этот устоявшийся термин переводится как работа выхода, а не рабочая функция.
у самовыравнивающегося затвора Тоже самое. Есть технология с самосовмещёнными затворами. С самовыравнивающимися нет.
что затрудняет зондирование. to probe, хм, тут интересно. У нас так не принято сокращать смыслы. Хотя удобно. Но, или измерения зондовым методом, или измерения зондами, или даже измерения электрических параметров.
N-МОП-транзистор с небольшим смещением в металлическом слое С рассовмещением.
используется силан silane (англ.) - моносилан (рус.)
Поскольку я купил пластину с хорошим высококачественным оксидом, который изначально изолирован толстым слоем поликремния, Не изолирован, а закрыт. Изоляция - электрическое свойство, а тут обсуждается вопрос поверхностных загрязнений.
Активное травление Травление активных областей. Хотя, тут уже вопрос к автору оригинала, это скорее n-S/D маска, чем active. Active - это формирование активных областей, и оно же, межэлементная изоляция. Тут этот шаг в маршруте пропущен вовсе. Интересно, как он его реализует?
Добавка допанта для стока/истока Это называется легирование (примесью) истоков/стоков.
Занятный опыт, конечно. Только, для изучения технологии такой вандализм не пригоден, к сожалению. А что вы хотели этим сказать? У меня то нет сомнений, как мы делали контакты и переходные окна на этой схеме ;)
Вы напрасно так категорично думаете. Я же не зря писал про аспектное отношение. Очень может зарасти и при PVD процессе. Вот, нагуглил более-менее подходящую иллюстрацию из статьи (см. DOI: 10.1063/1.1937476), это PVD:
Видите, из-за чего получаются войды? Статья, вообще-то про барьерные слои, но легко представить, что получится, если попробовать полностью заполнить окно. Всё очень сильно зависит и от требуемой геометрии, и от конкретного типа реактора, а их не два условных PVD и CVD, а достаточно много разновидностей каждого процесса и разных поколений. То, что в одной технологии делается легко и непринуждённо, в другой технологии может и не получиться на том же оборудовании или вообще не получится с тем же типом процесса. Не зря же под новые технологии меняется не только оборудование ФЛ, но и существенная часть всех остальных установок.
Нет. Вольфрам и есть основной конструктивный материал контактных окон.
Это зависит, в первую очередь, от степени конформности процесса осаждения и аспектного отношения контактного окна. Процесс W CVD из гексафторида вольфрама имеет очень хорошую конформность. А вот с Al PVD так не выйдет. Посмотрите вот эту статью, например. Обратите внимание на картинку №7. Из этой статьи хабра-авторы как раз картинку выдернули, кстати, но дальше первой картинки читать не стали, к сожалению.
Вот, для примера, SEM снимок типичного контактного окна к активной области. Отмечено само окно и слои лайнера. Обратите внимание на аспектное отношение (это отношение глубины к ширине).
Если чего бы то ни было, то пожалуй что "да без базара", диффузию из слоя фосфор/боросиликатных стекол ещё не отменили :) Для субмикрона, конечно, опа. А вот без операций очистки действительно ничего не взлетит, хотя про них никто никогда не рассказывает...
Ну, тут такое дело, конусность иногда и специально задают на нужном уровне, для правильного заполнения. Но в целом, есть такое. Хотя, как говорится, "есть способы". Хоть всю пластину насквозь, есть такая штука как бош-процесс. По принципу, это циклическое травление-пассивация боковой стенки. Можно "выгрызать по-частям" отверстия ну просто с очень неприличным аспектным отношением. Но они будут не "идеально гладкие", конечно.
Да ну нафиг, полно ляпов. Погнали:
Трёхмерный рисунок в слое ФР? "Я должен это видеть!" Кстати, уже бывает, но это вообще не про планарную технологию.
Эм, хм. Неудачный пример. Осаждение покрывает всю пластину. Это как вытряхивать бетон из миксеров с вертолёта на стройплощадку. Для формирования "фундамента" как раз потребуется либо ФЛ после осаждения, либо ФЛ до осаждения и химико-механическая полировка (CMP) после, если дамасский процесс делаем.
Я вот знаю технолога, которая за "мокрое травление" может и сказать пару ласковых про автора. Жидкостное травление.
Это называется изотропный процесс. А подтрав под маску - так называется результат. "Вертикально вниз" - это анизотропный процесс. ПХТ тоже может быть изотропным, так между прочим, а степень изотропности может быть даже управляемой. Если в создании материала участвовал технолог по ПХТ, то приведённое описание весьма странно...
Вау! Мечта ПХТ'шника, бесконечная селективность к маске! Это же круче чем IDKFA. Пойду расскажу, у кого консультации брать, а то коллеги всё волнуются, хватит им резиста или не хватит. Оказывается ваще не проблема. Ну перепутали рабочий слой и маску, не вычитали, не разобрались и кинули текст как есть. Так сойдёт.
Ы-ыыы! Тут уже все должны пасть ниц. Медь - быстродиффундирующая примесь, делать из неё контакты к транзисторам это как бы сказать... ну, не очень круто. Медь на производстве вообще любят убирать в отдельный участок. По началу, так вообще в отдельную изолированную чистую комнату выводили и даже меняли перчатки после каждой передачи контейнеров с "медными" пластинами. Потом немного убрали степень паранойи, но всё равно медные перекрёстные загрязнения могут в прямом смысле убить всё производство фаба. Поэтому с медью - очень осторожно и по специальному протоколу.
И ещё, даётся описание PVD процесса осаждения вольфрама, я даже специально посмотрел свои записи, от 0.5 мкм, как минимум, используется CVD процесс.
Можно, но не нужно. Все промышленные установки травления и PVD на субмикроне для индивидуальной обработки пластин. Невозможно обеспечить достаточную равномерность по пластине и по партии в реакторах групповой обработки. CVD есть индивидуальные и в виде вертикальных групповых печек.
PS: Стал ли уровень материала выше? Не думаю... Так, для детского сада сойдёт. Уровень: "я взял Ардуину и три китайских модуля..."
Контакты делают вольфрамовые из-за возможности получения очень хорошей конформности осаждаемого слоя. Другим металлом просто не получится заполнить контактное окно с нужным аспектным отношением. Горловина окна зарастёт раньше, чем сформируется тело пробки, получится здоровенная полость и брак по отсутствию контакта. Но под вольфрам обязательно нужен Ti/TiN лайнер для обеспечения адгезии вольфрама и предотвращения диффузии в кремний. Больше подробностей не скажу, это не мои процессы, надо консультироваться у профильных технологов.
Я и говорю, что это новые идеи "для внутреннего применения". Как Вы думаете, с ними микроэлектроника затащит в новое качество? Ну скажем развитие направления ИИ в виде нейронки на кристалле. Всё-таки (с моей колокольни) сейчас развитие вычислений, в основном, идёт квадратно-гнездовым методом: пихаем память - пихаем логику. Оптимальна ли эта организация и сама КМОП технология для других архитектур (и каких) или придётся переигрывать на уровне функциональных ячеек или даже на уровне элементов? Брутфорсить GFLOPS'ы и Gbit'ы круто конечно, но это же boring... Не?
Да я с этим и не спорю, с точки зрения изнутри микроэлектроники, это определённо развитие, просто афигеть какое, в самом лучшем смысле. Я как бы сам 20 лет как технолог, и читаю про все эти нововведения с огромным интересом и сам прочувствовал, как всё изменилось изнутри, от технологий порядка полмикрона до довольно неплохого уровня. Я про взгляд со стороны. Со стороны, это определённый застой. Микроэлектроника "созрела" как технология, мы тут вряд ли уже увидим совершенно новые идеи. Она сама, конечно же, не виновата. Просто удивляет вера некоторых во "всесильность и бесконечность" микроэлектроники.
Хм :/ Меня тут как-то гоняли в комментариях за высказывание, что микроэлектроника упёрлась в идеологический предел и дальше уже не будет развиваться. Все эти ячейки стопками, WLP и прочее как-то сильно смахивает на типичный застой, когда уже требуются новые продукты, но существующие технологии, по сути, ничего оптимизированного под запросы не могут предложить, только экстенсивный путь "складывания в стопки" того, что уже имеем. Если прищуриться, то мы уже частично вернулись в эпоху мэйнфреймов с централизованными вычислениями в датацентрах. Хорошо, когда тяжёлую работу можно скинуть на серверную сторону с машзалами и МВт'ами питания. И когда есть интернет. А если считать надо здесь, и на том что есть прямо сейчас? Я тут топлю, как минимум, за поиск каких-то принципиально новых архитектур под кремний, хотя, по большому счёту, вероятно, строить их оптимальнее будет уже на каких-то других физ.принципах. Очень мне интересно, когда и что наконец вырастет, и доживу ли я до этого.
Как обычно, по технологии позорище и полно косяков.
Лютый бред! "Скорее всего" вы НЕ знаете каким путём производят процессоры. Основная ошибка в "выжигании". Естественно, это не так, и никакого отношения к лазерной гравировке фотолитография (ФЛ) не имеет. Освещая, предварительно нанесённый на подложку, слой фоторезиста через фотошаблон (ФШ), излучением, к которому чувствителен фоторезист (ФР), в последнем создаётся скрытое изображение, т.е. участки с модифицированными химическими свойствами. В простейшем случае, для "классических" позитивных новолачных ФР, эта модификация состоит в увеличении скорости растворения экспонированного фоторезиста в растворах щёлочи, которые и являются проявителями. После проявления на подложке остаётся защитная фоторезистивная маска (ФРМ), повторяющая топологию ФШ. ФРМ обеспечивает селективность воздействия на подложку на следующих за ФЛ технологических операциях: жидкостного или плазмохимического травления, ионной имплантации, в некоторых случаях даже осаждения (т.н. взрывная lift-off (англ.) литография). После выполнения этих операций остатки ФРМ удаляются. Для её удаления обычно используют комбинации операций сжигания ФР в кислородной плазме и жидкостной очистки поверхности.
Для начала, тут просто нелепица написана: у лазера нет разрешения. Дальше будет также сказано, оказывается, до лазеров тоже была жизнь! Так там что же меняли, одну ртутную лампу на другую? А может фильтр? "Да ну нафиг, не будем этого вообще писать, к чёрту подробности! Ну и что, что бред получился? Зато с огоньком!"
Ошибка. Средний ультрафиолет (MUV) - это 365 нм, 248 нм - это уже DUV. Чтобы не путать 248 нм DUV и 193 нм DUV часто их обозначают как KrF и ArF (от применяемой среды лазерного источника) ФЛ соответственно. Если лезть в особенности ФЛ процессов, то будет ещё один критерий раздела: для DUV процессов используются исключительно ФР с химическим усилением контраста (CAR). Для 248 нм и 193 нм ФР тоже разные, но принцип работы у них одинаков, в MUV ФР этого нет. По этой причине есть существенные различия в процессах ФЛ для MUV и DUV, в т.ч. даже в принципах построения технологических установок.
Ещё раз: лазеры не могут давать разрешение. Разрешение - есть параметр установки экспонирования (и процесса ФЛ, вообще-то говоря, на чём те же ASML с удовольствием "соскакивают с базара", при первом же удобном случае). Если сравнивать процессы без иммерсии, то для установок с источником 193 нм излучения предел по разрешению порядка 65 нм - 100 нм (и эта величина, и далее, именно разрешение по ФРМ, а не технологическая нода!) в зависимости от "крутизны" модели. ASML даёт аж 57 нм для топовой машины, но хз, я бы вот не стал такой процесс делать в продакшн... То, что ниже, это так называемая ArFi ФЛ, т.е. иммерсия, т.е. когда пространство между последней линзой проекционного объектива и поверхностью ФР при экспонировании заполняется водой. Это совершенно другое поколение установок, хотя "лазер" там с той же длиной волны. Там предел разрешения до 38 нм получен. Всё что ниже, это multiple patterning (MP), и к разрешению самой ФЛ уже не имеет никакого отношения, в общем-то. Зато имеет отношение к точности совмещения слоёв. Вот по этому параметру как раз последние модели ArFi установок и отличаются в первую очередь.
Это называется "слышал звон". Эксимерные лазеры на 157 нм делают на фторе (F2). На флюорите делают проекционную оптику установки экспонирования. Проблемы были не только в ней, но и в разработке подходящих материалов для ФШ и ФР. При этом переход 193 нм -157 нм не дал бы практически никакого продвижения вперёд, но предполагал очень большие финансовые затраты и окончательное закатывание в тупик. Поэтому, этот путь был похерен ещё на очень раннем R&D. Вместо него пошёл MP, что конечно никого сильно не обрадовало, но было меньшим и единственно приемлемым злом.
Как-то? Ё-прст!!! "КАК-ТО", Карл! А вы не в курсе КАК? А на хера, простите за мой французский, вы вообще тут делаете? Отличная статья, нечего сказать... Дифракционное ограничение оптического разрешения обратно пропорционально числовой апертуре. Числовая апертура прямо пропорциональна показателю преломления среды. "Как-то" запихиваем воду (n=1.44) под объектив вместо воздуха (n=1.0) и получаем профит по разрешению почти в полтора раза. Да, это, блин, формулы, но могли бы потратить полдня и нарисовать красивые наглядные картинки. За одно сами бы разобрались о чём пишете.
Ещё одна залепуха от непонимания языка, на котором разговаривать пытаются. Multiple patterning к multiple exposure не относится от слова никак. Это вообще разные техники и делаются для разных целей разным способом. В контексте статьи про "множественное экспонирование" можно вообще не вспоминать. И я про это, кажется, уже как-то писал в комментарии к другой статье этих же оболтусов, но с тех пор никому, видимо, там так и не почесалось почитать матчасть перед тем как нести ахинею... Хотя бы для приличия.
Сюрприз! "Длина волны лазера" в EUV литографии 10.6 мкм, а не 13,5 нм. Т.к. лазер там на CO2. А если вы пишите про источник экспонирующего излучения, то это, на минуточку, не лазер, а LPP (laser produced plasma) источник.
81 год? Да ладно! Вы вообще в курсе, в каком году была создана первая микросхема? Даже писать тут не буду. Хоть это нагуглите сами.
Вам тут уже написали про названия техпроцессов и разрешение. Так, для справки, ASML сейчас заявляет разрешение топового продакшн EUV сканера на уровне 13 нм. На какие ноды удастся растянуть это разрешение, это не ко мне вопрос. Мне вот гораздо интереснее другое, что произойдёт раньше: возврат к MP на EUV или идея с FET'ами окончательно перестанет работать.
Данные по производству у Вас, ну скажем, почти правильные. А вот причины и выводы не верные. Задачи бы нашлись, да и консервировать там ничего не надо. А вот с техпроцессом "мнение автора может не совпадать...", тем не менее, не стоит надеяться, что на Микроне в текущем оснащении можно развернуть что-то вменяемое на ноде 65 нм. См. тут. Намекаю, звёздочка там не просто так стоит, стоит она там уже долго и надёжно.