Менее года прошло с тех пор, как компаниями Samsung и Toshiba было принято решение совместно разрабатывать NAND флэш-память с интерфейсом Toggle DDR 2.0. В мае этого года Samsung объявил о начале производства 64 Гбит (8 Гб) NAND-чипа с многоуровневыми ячейками (Multi-Level Cell) и вышеуказанным интерфейсом.
Новинка произведена по технологии 20-нм класса и имеет пропускную способность 400 Мбит/с. Это в 10 раз быстрее наиболее распространенной сегодня SDR (Single Data Rate) NAND памяти, которая обеспечивает пропускную способность в пределах 40 Мбит/с, и в три раза выше производительности памяти с интерфейсом Toggle DDR 1.0, которая ограничивается скоростью 133 Мбит/с. Разработка нацелена, в первую очередь, на рынок высокопроизводительных смартфонов, таблеток и твердотельных накопителей. Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных может достигать 6 Гб/с).
В свою очередь, Toshiba уже готова к выпуску NAND памяти с применением 19-нанометровой технологии. В прошлом месяце компания начала пробные поставки микросхем ёмкостью 8 Гб с двухбитовыми ячейками. Шестнадцать таких чипов, упакованных в один корпус, позволяют создавать флеш-накопители на 128 Гб для коммуникаторов, планшетов и прочих гаджетов.
Новинка произведена по технологии 20-нм класса и имеет пропускную способность 400 Мбит/с. Это в 10 раз быстрее наиболее распространенной сегодня SDR (Single Data Rate) NAND памяти, которая обеспечивает пропускную способность в пределах 40 Мбит/с, и в три раза выше производительности памяти с интерфейсом Toggle DDR 1.0, которая ограничивается скоростью 133 Мбит/с. Разработка нацелена, в первую очередь, на рынок высокопроизводительных смартфонов, таблеток и твердотельных накопителей. Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных может достигать 6 Гб/с).
В свою очередь, Toshiba уже готова к выпуску NAND памяти с применением 19-нанометровой технологии. В прошлом месяце компания начала пробные поставки микросхем ёмкостью 8 Гб с двухбитовыми ячейками. Шестнадцать таких чипов, упакованных в один корпус, позволяют создавать флеш-накопители на 128 Гб для коммуникаторов, планшетов и прочих гаджетов.