Pull to refresh

Comments 31

А разве наш Микрон не умеет делать какой-то FLASH (NAND или NOR, точно не помню)?
Вы правы, у Микрона на нормах 180 нм есть EEPROM. Я поправил текст, большое спасибо!
А с Крокус-наноэлектроника дело темное, они что-то реально производят? Если да, то кто это покупает? Я так ничего толкового и не нарыл…
Не темное, почему? Вполне производят, и кто-то вполне покупает. Просто они в основном на экспорт работают и избегают связей с отечественной оборонкой, поэтому ничего и не слышно.
Что не имеют дел с военкой это гуд, для них) Но вот с продукцией не очень понятно. Видимо это что-то сильно заказное. А могли бы как Миландр делать в пластике на продажу. А если работают на экспорт, то неужели делать кристалл на Tower/SMIC, а потом доращивать слои и корпусировать у нас дешевле чем купить готовый чип у Everspin?
Я не имею отношения к принятию бизнесовых решений в КНЭ, но раз работают — видимо, какой-то бизнес-план у них есть)

Спасибо за обзор! Буду рекомендовать студентам.

Миландр ещё вроде какое то количество флешек делает, даже радстойких
И то же ОЗУ для систем с их микроконтроллерами

Миландр — фаблесс-компания. Они и некоторые другие разработчики действительно занимаются в том числе и спецстойкими чипами памяти разных видов, но производство, как правило, расположено за границей.

Кстати, я думал, что они производятся на том же нашем микроне и ангстреме, благо они чуть ли не в соседних зданиях сидят, не задумывался об этом, спасибо, что просветили)


Тогда тот же НИИИС или Модуль, чьи микросхемы с блоками памяти в составе часто в работе используем, тем более скорее всего зарубежом диффузятся. Совсем грустно тогда(

В случае с НИИИС и НИИСИ для неновых микросхем есть шансы, что они произведены на их собственных фабриках в России.
Наши разработчики микросхем вообще не очень жалуют Микрон. Сделать за границей зачастую дешевле, быстрее и качественнее чем на у нас. Иногда доходит до маразма, вот взять новые ПЛИС от КТЦ Электроника, серии 5578ТС064/84/94..., там по условиям ОКР они должны были их делать в России, т.е. на Микроне. У последних на 90нм нет 3.3в совсем. Так что все эти ПЛИС с IO на 2.5В. Это устраивает 5% разработчиков, в итоге никому они не нужны(

О да, как раз сейчас имею дело с Воронежскими ПЛИСами, очень странная субстанция, дружить их с НИИИСовским процом, Миландровской памятью и 3 разными АЦП от Модуля на отладочной плате это садомазо какое то, у всех разные напряжения логической единицы, разные интерфейсы, разная вообще адекватность))
Зато всё радстойкое

Знакомая боль) можно понять откуда возникают разные уровни (но простить нельзя), но вот совершенно не понятно чем иногда думают разработчики разных ИС. Особенно мне тут нравится Микрон. ИС их собственной разработки часто ставят в тупик. Например СОЗУ с хорошей емкостью и спецстойкостью, но у которой добавили дополнительные строб на запись (помимо nCE nWE), который отсутствует на шине любого ЦП и который очень затруднительно получить внешней логикой и сохранить хорошую времянку. Или их же FLASH которому помимо напряжения питания 5В нужен строб записи в 13...14В (да-да, именно в таком диапазоне). Начинаешь завидовать черной завистью коллегам с их Xilinx и 3D Plus… П.С.: уже присматриваемся к Французским ПЛИС от NanoExplore, говорят их Medium уже к нам поставляют официально.
Потому что разработчики ЭКБ оторваны от разработчиков приборов, делают как могут, как им удобно.

Так-то для ячеек флеш памяти требуется высокое напряжение для записи, только в нормальных микросхемах делают интегральные преобразователи, а тут что-то поленились, или не смогли этот узел сделать стойким, хз… Пусть хотя бы такая будет.
Стойкий charge pump — это не самая простая задачка. Ноя конечно, никакого rocket science там нет.
Они собираются их дорабатывать, чтобы буферы были к 3.3 В толерантны.
Непонятно, почему они не были толерантны к 3.3 В изначально. Библиотеки-то соответствующие у «Микрона» есть.
Я думаю были причины. Когда был по работе в КТЦ Электроника они мне много о своей боли про работу с Микроном рассказали.
Кстати, некоторые чипы, 1895ВА3Т вроде, которые лезут в 180нм, Модуль делает на Микроне. Но жрет ВА3Т в 2 раза больше чем ВА1Т, который делали давно и не у нас.
В обычной ситуации на плавающем затворе нет никакого заряда, и он не влияет на работу схемы, но если подать на управляющий затвор высокое напряжение, то напряженности поля будет достаточно для того, чтобы какое-то количество заряда попало в плавающий затвор, откуда ему потом некуда деться – даже если питание чипа отключено! Собственно, именно так и достигается энергонезависимость флэш-памяти – для изменения ее состояния нужно не низкое напряжение, а высокое.

Но заряд со временем всё равно рассасывается. И тут возникает резонный вопрос — а какое реальное безопасное время хранения данных на Flash при отсутствии питания? Вот на «классический» HDD диск записал данные, положил его на полку и через три года без проблем достал и данные считал (за 3 года с магнитными доменами ничего не случится). А что будет с SSD через три года?

Тут на хабре, вроде в этом году, была статья, идея которой в том, что USB флешки нужно периодически оставлять подключенными к ПК — во время простоя МК выполняет техническое обслуживание, которое тестирует блоки памяти и при необходимости замещает их из резервной области, одновременно с этим происходит обновление заряда плавающего затвора, что благотворно отражается на длительности хранения данных.

Я понимаю, это больше вопрос теоретический, так как если техникой периодически пользоваться, то этой проблемы и нет. Но вот под столом я попинаю комп 25-летней давности и если его в розетку включить, то он заработает. А что будет через 20 лет с современным ПК? Ни данных, ни ОС, ни даже EFI?)

Надо рыть сайт производителя приглянувшейся ИМС и искать отчёты о ресурсных испытаниях (в данном случае — retention bake, т.е. время хранения данных при повышенной температуре) и экстраполировать их (уравнение Аррениуса) на интресеующее время и рабочую температуру.

И тут возникает резонный вопрос — а какое реальное безопасное время хранения данных на Flash при отсутствии питания?
Чипы NAND Flash обычно специфицируются на хранение информации при комнатной температуре в течение десяти лет.

Тут на хабре, вроде в этом году, была статья, идея которой в том, что USB флешки нужно периодически оставлять подключенными к ПК
Это касается скорости доступа, а не срока сохранения информации.

Про то, что Western Digital — NAND fabless — неверно. WD с приобретением San Disk получила их долю в joint venture с Toshiba. Потом Toshiba из-за долгов со строительством АЭС вознамерилась продать свою часть в этом joint venture, за эту часть разгорелась целая война. В итоге инвест фонды выкупили ту часть и где-то через год продали снова Toshiba и та организовала отдельную компанию Kioxia. То есть WD и Kioxia продолжают делить продукцию с тех же NAND фабрик.
В свете этого мне немного смешно читать о российских SSD контроллерах. Для чего они? Откуда NAND? Тут монстрам Ssd рынка самим не хватает. Или там речь о чем-то многолетней давности со смешной плотностью? Я о том, что кто ж продаст нормальный NAND просто так с завода, если толк от нее только в готовых продуктах с очень хорошей добавленной стоимостью. Можно, конечно, готовые ssd дербанить на микросхемы… Это если там в России военку и космос сильно припрет таким мародерством заниматься. Самим никогда такую фабрику не построить — чудовищно сложные технологии и тысячи внутренних разработок на которые ушли пара десятилетий. Спецы нескольких стран работают на такой памятью даже только для Kioxia-WD фабрик. Там даже Intel на этом поприще выдохлась. Да даже нормальный надежный SSD в России повторить не смогут. Имея опыт работы в России и в Штатах могу абсолютно уверенно это утверждать — ибо тоже куча технологий и ноу-хау. Даже если все украсть (я про всяких там APT хакеров лазиющих где ни попадя), надо еще украсть производства и 50% инженеров, чтоб такое поднять.

GS Nanotech утверждают, что без проблем закупают чипы для SSD мейджоров рынка. Точнее даже не чипы, а прямо пластины, и эти пластины уже сами режут, пакуют и т.д. И никакая военка там не фигурирует, речь про гораздо более вкусные корпоративные заказы.
Так что есть, куда отечественные контроллеры девать, есть. А про собственные фабрики NAND Flash, разумеется, речи нет. Те, кто занимается бизнесом, а не распилами, обычно довольно реалистично смотрят на мир.
Спасибо, очень интересно!
Знала, что есть разная память, но чем отличается или почему используется именно так даже не задумывалась.
amartology слушай, как-то мимо GS Nanotech прошёл, они вроде в Калининградской ОЭЗ развернули производство по капсулированию памяти (да, не производство чипов, но уже хоть что-то), м?

PS: на тему конденсаторов в памяти — писал тут, собственно слои в DRAM:
image
Почему мимо? Я о них знаю, они молодцы и действительно развернули уже довольно давно класнное корпусировочное производство, на котором делают из покупных чипов системы в корпусе — в числе которых и SSD на основе NAND Flash. Но это совсем не то же самое, что собственное производство чипов, причем таких специфичных, как память, поэтому я не стал о них подробно писать.

Вообще ситуация с памятью — это такая лакмусовая бумажка импортозамещения. Если собственные процессоры, пусть «второго сорта отечественности» (своей разработки и производства на Тайване) как-то появились, что в части памяти fabless-разработка практически не развита, да и конкурировать там нечем, поэтому в этой части импортозамещение точно не заработает полноценно никак и никогда.
SCM — это Storage-Class Memory, промежуточное звено между оперативной памятью и хранилищами данных. Главные свойства — бОльшая, чем у постоянного хранилища, скорость в сочетании с энергонезависимостью.

Термин не имеет прямой корреляции с физической структурой, SCM принципиально можно реализовать разными способами — как быстрый банк флэш (Samsung Z-SSD), как PCM (Intel Optane) или даже как DRAM с резервным источником питания.
DRAM-буфер, правда небольшой, но с длительным питанием от ионисторов (без такого бекапа кеширование не включается), широко используется в серверных RAID-контроллерах.
Sign up to leave a comment.

Articles