Pull to refresh

Comments 40

Спасибо за статью.
Но вот как учили Хоровиц и Хилл, если схема зависит от параметров транзистора, то это плохая схема :) Там имелось ввиду, что не должно зависеть от таких параметров как h21, Vth и т.д.
Это правило никогда не подводило.
Не совсем так, она не должна зависеть от конкретных значений, но, например, h21 должно быть не менее определенного значения.

Так источник проблемы-то в том, что ММК оставлял резистор R1 висеть в воздухе. А он, как раз, и отвечает за измерение тока. В итоге на висящем входе имеем какое угодно напряжение, вот защита от сверхтока и срабатывает.

И припаянный правильно резистор тоже приводил к проблеме, я это забыл указать.
для верхнего плеча потребуется n-канальный транзистор (если мы не собираемся делать накачку), для нижнего P-канальный, а в общем случае сопротивление последнего ниже

А N канальный с P канальным не перепутаны?
Вполне может быть, я их постоянно путаю (по крайней мере биполяры я называю «стрелочкой наружу» и «стрелочкой внутрь»), вниз ставим открывающийся плюсом, вверх — минусом.
Мне не нравится полевик T1.
Его надо горизонтально развернуть. Сток/исток по-другому.
Иначе COUT не сработает.
Если развернуть — будет работать по AND — COUT && DOUT.
Земля тут (-) от батарейки.

Иначе, что мы подаём на затвор T1? Относительно чего?
Разворачивать их нельзя, иначе не получится двунаправленного ключа — все-таки, через встроенный диод ток будет течь!
Этот же встроенный диод позволяет произвести начальный «запуск» системы. Посмотрите, как устроен «супердиод» на полевом транзисторе!
Нельзя поворачивать, будет не дву-полярный ключ. Здесь просто меняются местами сток и исток, у изолированного затвора так можно и параметры существенно не меняются.
Спасибо. Правильная статья. Нужная. Учащая очевидной истине — не все можно нагуглить, надо еще и думать. К сожалению ситуация до боли знакомая.
И да, список Ваших тем… Прямо Леонардо Да Винчи своего времени. Но тем интереснее почитать про BUCK-BOOST на микроконтроллере. А еще про регулируемые источники тока не нем же (это так, тонкий намек).
Да ну, Вы прямо меня смущаете, все темы связаны с микроконтроллерами. А BB будет с возможностью регулировки по току, это видно из плана цикла (хотя стоп, я же его еще не опубликовал).
В общем, складывается впечатление, что после установки аккумулятора микросхема считает необходимым его зарядить (хоть на сколь угодно малую величину) и лишь затем готова разрешить ему работать как источник. Ну, во-первых, это довольно таки странное поведение


Нет, ничего странного. Во многих устройствах это как раз желаемое поведение — после установки аккумулятора устройство остаётся в безопасном выключенном состоянии и активируется только после подключения к зарядке.
Согласен, у каждого свои представления о странном, но документировать в любом случае надо.
Согласен, у каждого свои представления о странном, но документировать в любом случае надо.
Страница 17 даташита:
When the battery is connected for the first time, the discharging circuit might not be enabled. In this case, short the V– pin to the VSS pin.
Alternatively, connect the charger between the Pack+ and Pack– terminals in the system.

Иногда достаточно просто прочитать))
Просто офигеть, пошел смотреть страницу 17, перечитал раздел 9.4.3 Over-Discharge Status еще два раза и ничего такого не нашел (как и ранее).
Уже собирался пойти на сайт, может, выложили новую версию доки, но набрал в поиске по документу «first time» и вот оно, процитированное Вами предупреждение, специально в серой рамочке и с подзаголовком «Предупреждение».
Как же я мог такое пропустить — ответ простой: уникальные спецы по написанию документации из TI разместили это предупреждение в финале раздела 9.4.1 «Normal operation» (в самом начале страницы 17) и я естественно (или, как еще говорят, разумеется) на него внимания не обратил.
Ну где логика!!! Хотя и я тоже виноват — рекомендую всем читать до конца, а сам целые разделы пропускаю.
поиске в Инете и на форме е2е был обнаружен вопрос об аналогичной ситуации, на который гуру от TI дал несколько странноватый (на мой взгляд) ответ, что данная микросхема предназначена для работы со впаянными аккумуляторами, а вставляемый будет неприемлем.

Ответ этот не странный, если принять предположение что такое поведение side effect.
Вполне возможно, что контроллер именно и расчитан, на то что его припаяют к батарее, а после того протестируют (подключат питание), и больше батарею никогда не отключат. Про режим съемной батареи и вовсе не думали.
С этими контроллерами (не этой моделью, а вообще), есть еще забавный глюк, что иногда при низком напряжени аккумулятора они уходят в защиту (закрывают транзистор). Но штатный зарядник телефона (контроллер) не может их после этого зарядить. Помогает только подача внешнего питания отдельно.
Мне кажется, что такое поведение при съемной батарее, может быть завязано как раз на защиту по низкому напряжению аккумулятора.
В данном случае виноваты криворукие разработчики телефона. Телефон при подключении зарядника на короткое время включает зарядку батареи, после чего запускается сам в режим зарядки, но при этом запуститься пытается не от зарядника, а от батареи. Тут возможно 2 варианта: в первом — батарея сразу улетит в защиту повторно, во втором — телефон увидит что аккум разряжен в хлам и сразу же отключится, дальше процесс повторяется снова.

Поменяйте местами третий и четвертый пункт голосования, пусть будет все! И котики!

Думает руками техник (в традиционном понимании, а не новом буржуинском), а не инженер. Инженеру вредно излишне руками.
Недобро то что и для изделий TI уже требуются танцы с бубном. Всё по тонкому и документация недостаточно проработанная.
Так на доки и жалуюсь, зато есть о чем писать посты, как говорил Жванецкий «Или мы будем жить хорошо, или мои произведения будут бессмертными».
Как раз именно у TI я не первый раз встречаюсь с переусложнённой внутренней логикой или не совсем документированным поведением.

Видимо, следствие чрезмерно раздутой продуктовой линейки (хотя в TI ещё год назад обещали её сильно сократить).
Если позволите, Олег, небольшая шалость в тему:
«Документация — это как секс. Если она хорошая, то все замечательно. А если не очень… это все равно лучше, чем ничего».
Да, я как-то работал с чипом в LGA, у которого в даташите не было чертежа корпуса :)

После вдумчивого анализа референсной схемотехники (она в даташите была) и особенно именования ножек в ней пришли к выводу, что у нас всего два явных кандидата в логически непротиворечивый способ именования этих ножек на чипе.
У них есть другая микросхема зарядника, там внутри мк и большой флэш с параметрами. Так вот, в документации описано назначение областей памяти, но нет адресов. Где их брать? В программе BQ Studio, но чтобы их там увидеть, надо залезть в настройки и включить галочку «расширенный вид». И один хрен пришлось логическим анализатором прослушивать i2c чтобы понять как именно этот флэш читать-писать.
> n-канальный транзистор (если мы не собираемся делать накачку), для нижнего P-канальный, а в общем случае сопротивление последнего ниже (и они дешевле)
Но ведь наоборот, н-канальники в общем случае дешевле и сопротивление у них ниже
для верхнего плеча потребуется n-канальный транзистор (если мы не собираемся делать накачку), для нижнего P-канальный, а в общем случае сопротивление последнего ниже (и они дешевле), вот и выбирают такой способ.

Что-то не сходится. Видимо опечатка. Для нижнего (минус) N-канальный, а для верхнего — P-канальный.

транзисторы включены носиками друг к другу
Ну я, вообще то, так и написал, я просто не стал называть включение противоположными концами, хотя мы здесь взрослые люди, рискну: «попками».
Потому что жопой транзисторы всегда к инженеру.

А вот носиками могут быть и друг к другу.

А почему не "Затвор", "Сток", "Исток"? Вы же не наивная школьнице, поди? Вопрос не к вам, к автору

Ну тогда уж анод и катод, поскольку речь идет о встроенном диоде, но автор и сам их частенько путает, поэтому так и назвал, можно было «стрелочками», главное, чтобы поняли ВСЕ.

Уважаю, статья с формулами, обоснованиями, красивыми графиками. Заодно и молодого коллегу можно на всякий случай опустить, пусть знает кто тут "старшой". Но Вы же в Хабр статью пишете не для доярок (пусть уж простят меня родимые). Если честно, то это чушь какая то. Я (лет под 40 в теме) не понимаю носиков у транзисторов. Но подозреваю, что те ВСЕ, кто транзисторами называют даже радиоприёмники — обязательно поймут. Можно конечно делать умный вид и молчать, как будто, так и надо.

Ни в коей мере не хотел обидеть своего молодого коллегу, более того, сугодня поделился с ним, что я (как и он) на заметил написанного предупреждения именно о таком поведении микросхемы (что мне указали в комментарии), так что мы одного поля ягоды.

Я Вам, конечно, не советчик, но не подставляйтесь, что бы такие как я, не могли ни к чему придраться. Бывает общаешься с человеко, жаргон из него аж прёт, измеряет инф объёмы метрами и гектарами, а скажешь, что правильней кибибайтами или гибибайтами, смеётся, никогда о таком не слышал. Мощность ещё меряют в киловатах за час. Короче, не дайте к себе придраться.

UFO just landed and posted this here
В итоге была отключена защита на плате с tp4056?
UFO just landed and posted this here
Можно было просто перепаять минус батареи к минусу питания платы и перерезать дорожку по схеме на участке между R3 и R6.
image

Блин, пишите про мк!!! У вас очень интересно получается!)))

Был уже здесь в обсуждении совет — читайте документацию. В пунктах 7.5 и 7.6 описания есть все данные. Параметр Rv-d — подтягивающий резистор вывода V- к плюсу аккумулятора. При закрытых транзисторах при начальном включении там будет напряжение Vbat. Для запуска схемы нужно, чтобы напряжение на V- было менее Vocc — порога определения превышения тока. Можно подключить зарядное устройство, можно замкнуть PACK- на минус аккумулятора. Время включения- менее секунды.
По выбору транзисторов. Напряжение аккумулятора 2.5… 4.2 В. Транзисторы должны быть выбраны с порогом перехода в ключевой режим не более 2.3 В. Два канала открытых транзисторов используются как датчик тока. Уровень срабатывания Vocc от 45 до 155 мВ. Выбираем транзисторы, чтобы на сопротивлении двух транзисторов при напряжении на затворе 2.5 В уровень напряжения при максимальном токе разряда не превышал Vocc. Сопротивление канала полевика сильно зависит от температуры. Смотрим график на транзистор. Сопротивление канала различается в разных партиях транзисторов. В документации часто указан разброс чуть ли не в два раза. При теоретическом подборе берем максимальное значение из документации.
Sign up to leave a comment.

Articles