Comments 74
Спасибо, очень интересно! Знал про EUV, но не мог понять почему все никак не могут внедрить.

Это не лазер, а сканнер (машина для фотолитографии). В нем нет лазера. Источник EUV (та самая капризная плазма) на этой картинке в правом нижнем части машины (откуда выходит пучок излучения, показанный фиолетовым).

Зеркала, очень больная тема. А так же их срок жизни и сервисное обслуживает. Сейчас только Zeiss может их производить за разумные (?) деньги.
Есть много версий закона Мура, на мой взгляд, самая адекватная — это «Количество коммерчески выгодных транзисторов удваивается каждые сколько-то там месяцев»
С этим дополнением всё встаёт на свои места — да у Intel проблемы, но проблемы с ценой при новом техпроцессе, поэтому они сделали финт и поместили 2 кристалла, собраные по старому техпроцессу в 1 корпус ( Xeon Platinum 92xx) — закон продолжает работать.
Мне кажется, что сформулировано то, что сформулировано, а остальное — натягивание совы на глобус. На мой взгляд, мы уже выбрали практически все возможности для развития уремниевой электроники и теперь будущее а) за новыми материалами, б) за новыми технологиями вычислений (всякие тензоры и прочее).

Xeon Platinum… стоит он правда 10k… сомнительное решение для масс-маркета.
а мой взгляд, мы уже выбрали практически все возможности для развития уремниевой электроники

Во-первых, новые техпроцессы от Samsung выглядят вот так:
image
Растить стопик транзисторов ввысь можно будет еще долго, главное придумать, как это потом охлаждать.

Во-вторых, возможности развития кремниевой электроники — это уже давно не только и не столько закон Мура и вычислительная мощность фон Неймановских цифровых микропроцессоров. Есть, как вы верно сказали, новые технологии вычислений, например, аппаратные реализации нейросетей. Есть огромный рынок, не имеющий отношения к высокпроизводительным вычислениям — IoT, автоэлектроника, радиоэлектроника и т.д. и т.п. Там традиционный КМОП кремний в каком-то виде будет совершенно точно актуален еще очень много лет.
Смотрел аналитическую статью по 92хх — возникло ещё больше вопросов: в текущих дата-центрах не получится отводить на ~40% больше тепла с сервера и подводить 80кВт на серверную стойку без перестройки самого датацентра, и на текущий момент только HP анонсировали использование этих процессоров.
IMHO, нишевое и маркетинговое решение ( Наши новые камни быстрее AMD EPYC!)
Ну EPYC быстр только в синтетических тестах. В реальности же (по крайней мере, моей научной) 2 раза по 15-20 ядер мало кто сможет загрузить целиком и полностью. Мы с год назад купил такой монстр за 5k евро, оказалось, что COMSOL не тянет больше 16 ядер принципиально, а с 12 прироста уже не наблюдается, а для Molecular Dynamics CPU играет вспомогательную роль, считается всё на GPU. Плюс, все рассчёты сильно зависят от оптимизации самих алгоритмов и кода…

Кстати, я голосовал за 1x CPU, но на 20 ядер, но 2x GPU — это ж так круто…
На кластерах hadoop можно легко загрузить любое количество ядер кривыми или просто тяжёлыми запросами, не говоря уже про машинное обучение.
Нашёл статью, где сравнивали hadoop поверх Intel / AMD, но делали это немного странно: мало нод, не самые быстрые конфигурации, и в облаке (AWS), при этом, в процессе сравнения обнаружилось, что у серверов на AMD ниже пропускная способность дисков.
В итоге получилось, что в среднем (но не везде) Intel быстрее, но дороже.
>> COMSOL не тянет больше 16 ядер

Не знаю, что такое COMSOL, но «не тянут» только алгоритмы, точнее — возможность их параллелизации. А так просто запустить миллион потоков на миллионе ядер — никаких проблем. Только это работает для допускающих независимую обработку данных алгоритмов.
Я сильно извиняюсь, но обычно покупают железо под нужный софт, а не пишут свой софт чтоб загрузить новое железо.
Давно занимаюсь MD, и честно говоря про COMSOL услышал первый раз. Обычно загрузить под пару тысяч ядер не представляет большой сложности на подобных кодах. Тем более что параллелизация под GPU, о которой вы упомянули выше, подразумевает хорошо распараллеленный алгоритм.
Нет какого то оpensource аналога?
Вы правы!
Однако, COMSOL — это не MD, нам надо было купить и под то, и под то.
У железа под MD проблема в том, что 2x CPU/2x GPU считает далеко не в 2 раза быстрее, чем 1x CPU/1x GPU при прочим равных.

https://www.comsol.ru/


А причину "не тянет" вы примерно сформулировали, но стоит уточнить что сделать обработку сильно независимой там нельзя. До какой-то степени можно разнести обработку по ядрам с обменом через общую память, но довольно быстро всё упирается именно в обмен.


В целом всё похоже на тренировку нейросетей, когда 4-ре акселератора через InfiniBand иногда дают лишь 30% прироста.

Есть еще закон Амдала, следствием которого является предел, после которого увеличивать количество ядер для данного алгоритма становиться бесполезным.
в текущих дата-центрах не получится отводить на ~40% больше тепла с сервера и подводить 80кВт на серверную стойку без перестройки самого датацентра

На самом деле, с использованием внутрирядных кондиционеров и шинопроводов все вполне нормально апгрейдится. 60 кВт на стойку работают с 2011 года, 72 кВт на стойку работают с 2012 года. (да-да! стандартные 42U, 600x1000 мм!) Охлаждать воздухом можно и больше — как раз в 12-м году вышли вентиляторы, которые позволили бы отводить 150-170 кВт из стандартной 42U стойки.
Может быть, я всё-таки не настоящий сварщик, у более железнячных админов спросил — те отвечают, что без переделок серверной не взлетит.
А вендорское железо — тем более, у вендоров строгие требования к температуре / питанию / охлаждению, какой-то пункт не выполнен — прощай гарантия ( в смысле — вот гайд, сделайте хорошо и оплатите выезд специалиста для освидетельствования на бис, а если что-то сломалось до восстановления гарантии — ремонт за ваш счёт)
у вендоров строгие требования к температуре / питанию / охлаждению

Ага. Обычно «100-240В, 50/60 Гц, от 0 до 35 градусов C, влажность от 0 до 95% без конденсации». Выйти за эти пределы, при наличии минимального мониторинга — задача нетривиальная.

без переделок серверной не взлетит

Там не просто, а очень просто. Кондиционеры — внутрирядные. Ставятся прямо на пол или фальшпол, разводку труб можно сделать армированной полиэтиленовой трубой сверху (при этом трубы внутри серверной могут быть вообще без стыков, кроме как внутри кондиционера). Шинопровод, опять же, одна дыра в стене. Это все можно практически без пыльных работ провести в живой работающей серверной. Да, где-то снаружи нужно будет место под ИБП, чиллеры и т.п. Но внутри помещения серверной — все очень легко апгрейдится.
Посмотрел доки, допускается: 5-32 градуса и 10-90% влажность без конденсации, 2 отдельных ( основная и резерв ) линии питания в 14 кВт/стойка.
Рекомендуемые — 20-22 градуса тепла на вход с 40-50% влажностью.
Пожалуй, всё лучше, чем я думал до изучения доков.
PS спасибо за описание работ, возможно, когда-нибудь пригодится.
PPS я немного не о том, не о физической невозможности охладить/запитать новые сервера с горячими процессорами, а о том, что в большинстве случаев нельзя вытащить старые сервера и вставить новые без доп.работ.
в большинстве случаев нельзя вытащить старые сервера и вставить новые без доп.работ.

Примерно никогда нельзя. Другое дело, что очень часто можно обойтись сравнительно небольшим апгрейдом. Например, очень часто для того, чтобы все заработало достаточно просто закрыть в стойках пустые юниты и другие щели, убрать красивые стеклянные двери, выключить потолочные вентиляторы, где они есть. Если не помогает — изолировать холодный или горячий коридор. Дальше апгрейтиться уже после того, как уперлись в максимальную мощность ИБП и кондиционеров.
Хм. Из-под капота какогонть простого дизельного Додж-Рэма или Форда 150 запросто отводят 300 кВт тепла, там объём на треть поменьше простой стойки. Температура, конечно, повыше, но может и здесь стоит перейти на весёлые жидкости?
Не забывайте еще о том, что чтобы отводить тепло от стойки, надо сначала отвести тепло в стойку от самих чипов.
Тут есть маленькая тонкость. Задача «отвести тепло от кристалла на крышку» — это сложная задача, но она никак не пересекается с задачей «отвести тепло с крышки». Отвести тепло, после того, как оно оказалось на «крышке процессора» — эта задача уже решена множеством способов и вариантов. Воздух, вода, масло, Новек.
Самое грустное здесь, что, например, охлаждать непосредственно кристалл «водой» — в любом случае будет нетривиальной задачей, требующей промежуточных теплообменников и сложной механики — вода достаточной степени очистки, чтобы на кристалле не образовывалась накипь, трубки/помпы/теплообменники из материалов, которые гарантированно не будут в воду выделять примеси/ионы, которые могут отложиться на кристалл или вызвать коррозию. Резервирование помп, датчики давления и скорости потока жидкости, автоматизация всего этого… Причем, единственный способ гарантировать чистоту воды и качество материалов — запаивать это все в процессорный блок прямо на заводе, в чистом помещении. И, если я правильно помню, ультрачистая вода в опытах IBM оказалась слишком грязной для длительной эксплуатации — в отчете, который я встречал лет тому 10 назад, примеси в воде, кажется, упоминались как одна из больших проблем.

PS: 300 кВт тепла из под капота автомобиля — это уже что-то…
сильно ближе к Бугатти
На тот же Додж RAM стоково самый мощный двигатель шел 380 кВт (бензиновый, от Viper...). Это значит, что тепла под капотом (масло+охлаждающая жидкость+излучение и конвекция от самого двигателя) было что-то около 200 кВт. Остальное тепло шло в выхлопную трубу в прямом смысле слова.
А на изменение потенциальной и кинетической энергии авто сколько мощности уходит?
При чем здесь это?
А так, дизельный двигатель выделяет в тепло в моторном отсеке и радиаторе 30-40% от номинальной мощности в ваттах. Бензиновый — немного больше. => 300 кВт тепла для дизеля — это мощность двигателя порядка 700-1000 кВт (950-1360 л.с.).
И да, цифры все приблизительные, т.к. баланс между температурой выхлопа и тепловыделением в охлаждающую жидкость производители двигателей могут менять в зависимости от целей и задач…
Не забывайте, что турбина АГТН тоже пользует свой теплоперепад, и тоже излучает
Вы просто не сталкивались с лёгкой форсировкой Каминсов и Фордов, когда из них без особых проблем выкручивали по 600+ л.с.). У до предела наддутого турбонаддувом дизеля в трубу после турбины улетает значительно меньше.
Вот же ж зацепились за несчастные двигатели. Нет там ничего такого и нет там ничего запредельного в охлаждении. Столетиями отработанные решения.
Так же как и задача охлаждения любого плоского объекта, которым является примерно любая микросхема. Это отработано, есть масса вариантов, выбирай на вкус исходя из задач, целей и бюджета.
Задача отвода тепла от кристалла на крышку процессора — чуть более сложная, но тоже пока вполне нормально решается для микросхем с тепловыделением больше 200 Вт. (там реально более прикольная штука — как завести 130-150 ампер тока так, чтобы сокет не отпаялся и чтобы соседний QPI на полной скорости работал… Но опять же, это все решается на этапе разработки референс-дизайна и те, кто серийно штампует материнки, с проблемой уже практически никогда не сталкиваются...)
Задача отвода тепла от кристалла на крышку процессора — чуть более сложная, но тоже пока вполне нормально решается для микросхем с тепловыделением больше 200 Вт.
Во-первых, отведите мне пожалуйста 100 Вт от десятиногого чипа с площадью кристалла скажем десять квадратных миллиметров)
Во-вторых, речь про охлаждение идет в контексте вертикальной интеграции транзисторов, а значит роста тепловыделения на порядок по сравнению с существующими процессорами.
Элементарно. Запаиваем кристалл в герметичный корпус, вакуумируем, заливаем внутрь правильно подобранную жидкость… чуть-чуть. Принцип тепловой трубки. Площадь теплосъема можно тогда сделать сколь-угодно большой, за счет кипения жидкости на кристалле можно отводить очень много энергии. Главная, как обычно, проблема — жидкость должна быть экстремально чистой, чтобы не оставлять отложений на кристалле.
Но тут вторая тонкость: нас уже больше 10 лет пугают чипами, которые будет невозможно охладить, но… их все еще нет. И все еще всякие наработки с микро каналами для воды в кристалле так никому и не понадобились…
Другой вопрос — как вы будете 75А по 10 ногам заводить в микросхему?
Но тут вторая тонкость: нас уже больше 10 лет пугают чипами, которые будет невозможно охладить, но… их все еще нет.
Есть они, вполне себе. прсто это не процессоры. В силовой автоэлектронике миллиарды в переход на карбид кремния инвестируются, потому что от него, в отличие, от кремния, можно нормально отводить тепло.

Другой вопрос — как вы будете 75А по 10 ногам заводить в микросхему?
Если импульсно, то почему нет? Это не говоря уже о том, что я имел в виду десять ног у микросхемы всего, а не каждого типа силовых.
я имел в виду десять ног у микросхемы всего

И я про то же… 75 А нужно ну хотя бы 10 квадратных миллиметров меди… при хорошем охлаждении.

В силовой автоэлектронике миллиарды в переход на карбид кремния инвестируются

А тем временем китайские и не китайские производители ИБП уже выпускают силовые модули (AC-DC-AC) мощностью 50 кВт в 3U. С КПД 97% и выше. И прекрасно охлаждают их воздухом.
Я не против карбида кремния и не говорю, что это бессмысленно. Другое дело, что развитие идет несколькими путями. Кто-то придумывает новую элементную базу, кто-то разрабатывает новую схемотехнику, на которой все будет работать как надо. Например, 4 и 5-уровневые инверторы, которые позволяют резко уменьшить необходимый размер силовых транзисторов и резко снизить количество коммутаций этих транзисторов, что позволяет сильно поднять КПД и плотность мощности.
Ну так вот же ж зацепились за несчастные ИМС. Отводить тепло надо жидкостью и всех делов.
Сейчас специальные жидкости с высоким коэффициентом преломления (до 1,8)

А нет ли ссылки, что это за жидкость такая, что и 1.8 и облучение УФ держит? Самому поиграть захотелось )

Мы как-то при поиске материалов натыкались на такую жидкость. Правда это был УФ-отверждаемый компаунд. :D

нестабильная плазма ...
Да? А я как-то в детстве (10 класс) поинтересовался этим вопросом и мне удалось получить стабильную плазму.
В плазме всегда идет автоколебательный процесс (даже если питать лампу постоянным током). То, что на глаз выглядит стабильным — на самом деле пульсирует. Это хорошо видно, если осциллографом снимать ток с шунта, подключенного последовательно к электроду.

А из-за неустранимых неоднородностей в колбе эта пульсация плазменного пучка приводит к его танцу вокруг среднего положения (что-то вроде лоренцовского аттрактора, только по-другому).
Вот как раз я это это и узнал в то время. И нашел способ застабилизировать плазму. Мне это было нужно для создания ровного светового потока от люминесцентных ламп. Я, кстати, среди своих научных открытий/изобретений, рекламирую «источник стабильного света на люминесцентных лампах». Увы, пока никто не купил.
Скажем так, я осторожно сомневаюсь, что вы в 10 классе решили задачу, которую не смогли решить инженеры, учитывая то, что у них было больше опыта, и что более важно, реальная необходимость и ресурсы.
Ну, и для «ровного светового потока» хватит увеличить частоту колебаний до невидимого глазом уровня.
Вы правильно рассуждаете. Идеала, стабилизации вплоть до одного атома, достичь невозможно. Но можно сколь угодно близко приблизиться к этому идеалу, были бы средства. Колебания плазмы до 100 килогерц эффективно подавляются. Больше и не требовалось.
Кстати, несколько раз удавалось получить плазменный «шнур», закрученный в спираль (2-4 витка на полтора метра) при токе в несколько миллиампер (лампа ЛД80). От положения в пространстве ничего не менялось. То есть, незаметно, что бы было влияние магнитного поля земли.

В люминесцентных лампах есть примерно три разных "нестабильности": (1) пульсации 100 Гц из-за питания переменным током 50 Гц, (2) турбулентные флуктуации (конвекция газа, броуновское движение, внешнее электро-магнитное излучение и т.д.), (3) автоколебательный процесс в плазме.


С первым (пульсации 100 Гц) легко бороться питая ламу более-менее постоянным током (http://eco-e.ru/goodies/stati/svetovaya-sreda/20-pulsatsiya-lyuminestsentnykh-lamp).
От второго и третьего избавится примерно невозможно, но можно существенно уменьшить.

Послушайте, коллега. Вы же должны понимать, что неэтично пытаться выведать подробности научно технического решения. Если вам нужно по работе — нет проблем, договоримся (не за гроши, конечно).
Когда я работал в НИИ, не сразу привык к интеллигентному обращению. Никто не допытывался как мне что-то удалось и практически никто не выражал недоверия к моим рассказам. Да, я люблю эпатировать и эффектно подать. Но я никогда не переходил в область вымысла. Некоторые неточности были, но это от того, что у меня было мало инструментальной аппаратуры (особенно точной, метрологической).
Если я говорил, что создал предусилитель с динамическим диапазоном 126 дБ, то никто не высказал недоверия. А когда понадобилось для работы — смакетировал и продемонстрировал. Это были 70-е годы, когда 80-90 дБ были верхом достижений.

Нисколько не пытался ни выведывать что-либо, ни как-либо Вас задеть.
Просто из контекста и из предыдущих сообщение (IMHO) не следует что серьезно занимались плазмой в НИИ.
В частности, потому что для люминесцентных ламп не нужна плазма "стабильнее" чем без существенных 100-герцовых пульсаций и их гармоник (устранение которых сложно отнести к проблеме стабилизации плазмы).

Ну, во первых, тлеющий разряд, это холодная плазма.
Занимался не в НИИ, а у себя дома. Хотелось иметь источник света без пульсаций и максимально естественный. Питание постоянным током (со стабилизацией тока) как раз и выявило хаотические пульсации лампы. На глаз практически незаметно, но это до тех пор, пока не застабилизировать световой поток, устранить шум плазмы. Вот после этого, даже стабильный ток воспринимается как «некомфорт».
Вышло громоздко (там большой конденсатор 1500 мкф — 400 вольт + транзисторы генератора тока, радиатор). Да еще и проблема с «ионным насосом» — переключать с помощью реле слишком неудобно (щелчок, мигание...), а высоковольтных транзисторов в то время не было у меня.
Главное — идею проверил, отработал основную технологию. И отложил до лучших времен.
тайваньская TSMC перейдут на EUV-литографию

В 2017 рассказывали, что им электричества слишком много требуется:
https://english.cw.com.tw/article/article.action?id=1663 Can Taiwan Power TSMC’s Dream? 2017-08-25


TSMC is planning to locate its advanced 5-nanometer foundry in the Southern Taiwan Science Park, which will increase demand for electricity and water far beyond the capacity the park was designed for.… TSMC’s 5-nanometer plant will need an estimated 720 megawatts of electricity… Chuang said the less TSMC used of the EUV technology the better because “it is too expensive and uses too much power.” ASML has yet to disclose how much power one of its EUV machines consumes… TSMC manager… 5-nm foundry will use 48 percent more power than a mainstream 28-nm foundry… “And only half of the production in the 5-nm plant will use EUV technology,” says an analyst

Попадаются интересные презентации в https://euvlitho.com/2018/ и рядом https://www.euvlitho.com/2018/2018%20EUVL%20Workshop%20Proceedings.pdf
Оптика для EUV "Starlith 3400" от Carl Zeiss https://www.euvlitho.com/2018/P22.pdf
https://www.euvlitho.com/2018/P3.pdf Continued Scaling in Semiconductor Manufacturing with EUV Lithography, ASML
резисты — https://www.euvlitho.com/2018/P48.pdf https://www.euvlitho.com/2018/P42.pdf

Спасибо большое за статью. Мне было приятно вспомнить студенческий годы, когда нам всё это читали, а мы настырно и демонстративно не желали ничего понимать. =)
Спасибо за интересную статью!

На самом деле, все эти технологические нормы в единицы и десятки нм давно оторвались от физических размеров и стали больше элементами маркетинга. Как минимум последние лет 15: после перехода со 130 нм на 90 нм.


Поэтому я дома использую PowerMac G5 с 90нм IBMовским PowerPC чипом 2005 года. Какой смысл тратить $12к на новую «тёрку» от Apple если всё это лишь маркетинг? ;)
Если хотите напишу статью про выбор компьютера для расчётов aka workstation. Данные есть и по COMSOL и по MD. К счастью, у нас 2 поколения маков (через 4 года 2008 и 2012) и собранный на EPYC калькулятор (2018). К сожалению, EPYC рвёт эти маки на тряпки…
Напишите — будет интересно.

В моей коллекции ещё есть Sun Ultra 45 с 130нм UltraSparc IIIi процессором и HP C8000 с 130нм PA8900 процессором. Будет интересно посмотреть насколько всё это железо отстало от жизни.
Нет, это не «всего лишь маркетинг». То, что не уменьшаются линейно физические размеры, не означает, что не становится лучше все остальное. Вычислительные технологии с 2005 года прошли огромный путь, не только в части проектных норм, но и в архитектуре, в энергопотреблении и в многих других аспектах.
Для лично ваших задач может и Intel4004 хватать, но это не будет значить, что все чипы после Intel 4004 — «всего лишь маркетинг».
Удивлен что в статье так мало упоминаний о ASML. Ведь это они производят машины для TSMC, Intel и т.д. по сути являясь монополистами в этой области.
Да, они производят сами машины для литографии, но статья, к сожалению, и без оных большая вышла…
>>пространство между крайней линзой и фоторезистом

Волнуюсь за линзу,
как предусмотрительно Вы спасли её(и нас всех?), обозвав «крайней».
Эх… чего только люди не придумают вместо того, чтоб перестать открывать в браузере не в меру разжиревшие странички.
Супер. Первое (попавшее в мое поле зрения) адекватное объяснение, как можно экспонировать маски с технологическими нормами меньше длины волны.
Tiberius, есть вопрос.
Область под затвором зовется базой.

Проясните более детально насчет области в полевом транзисторе называемой базой? Я знаком с базой в биполярных транзисторах, но про базу в полевых терминологически слышать не доводилось. Не гуглится.
Потому что этот термин автор придумал сам. Есть англоязычный термин «body», который на русский переводится как «подзатворная область» или «тело транзистора». Но «база» же гораздо короче, ну и что, что это некорректно)
Согласен, есть. Верно ли я понимаю что body это «подложка»?
Из: https://en.wikipedia.org/wiki/Field-effect_transistor
Most FETs have a fourth terminal called the body, base, bulk, or substrate. Понятно что говорится о terminal, т.е. вывод, но называется он явно по тому, к чему подключен. Да и в дискретных полевиках этот вывод называется «подложка».
Казус вот только в том, что подложка — это вроде как не «область» вовсе. Но во второй части статьи автор очень часто манипулирует понятием «база», по логике, как мне кажется, имея в виду канал. У него там даже появляется термин «пробой базы» (?)
Чтобы уменьшить напряжение (aka энергию) на переключение между состояниями открыто/закрыто, он должен быть подключён. Называется это body effect. На RG, в приницпе, дано краткое и хорошее пояснение.

Ещё отыскал картинку здесь для наглядности:
image

Собственно, вы всё правильно написали, что эта область называется тело MOSFET, база, объём п/п или — парарапам — подложка.

Канал возникает в базе/подложке, верно?
Во-первых, не обязательно уменьшить, а просто стабилизировать, убрать зависимость тока стока от напряжения на стоке (ака кинк-эффект) и удостовериться, что истоковый pn-переход никогда не открывается. Есть приложения, в которых выгодно увеличивать пороговое напряжение (например для уменьшения утечек) и есть технологические ограничения, когда все body n-канальных транзисторов в обычной КМОП-технолгии подключены на подложку. Но это не значит, что body и подложка — это одно и то же. У p-канальных транзисторов body находится в изолированном кармане, который очень часто подключают не к питанию, а к истоку, есть технологии с тройным карманом, где то же самое можно сделать и с n-канальными транзисторами, и есть КНИ, где body каждого транзистора отделен от остальных.
Но эту область никто, кроме вышеупомянутой русскоязычной страницы Википедии, не называет «база». Просто потому что это неверно. Попробуйте найти какой-то рецензируемый источник и убедитесь сами, что это невозможно.
вышеупомянутой русскоязычной страницы Википедии

Она-то как раз англоязычная ;)

По ссылке на design & reuse можете также убедиться, что: MOS transistor is a 4-terminal device having terminal drains, source, gate and body (substrate).
Как я уже написал выше, body не равно substrate для любого интегрального p-канального транзистора. То, когда body находится в substrate — это частный случай для n-канального транзистора в объемной КМОП-технологии с p-подложкой и без triple well. Это популярный частный случай, но не единственный.
Область под затвором зовется базой.

Цитата вроде как и не цитата…
Закрытый «спойлер» не отыскивается поиском браузера.

Отмотайте вверх, спуститесь до раздела озаглавленного «МОП-транзисторы»,
далее под схематическим рисунком «Схематический вид n-канального транзистора в разрезе»,
Раскройте спойлер «Описание принципов работы».
Там будет текст: «Область под затвором зовется базой.»
Если у кого-то есть желание прикоснуться к затронутым в начале статьи проблемам Intel,
то определенную гипотезу можно прочесть здесь (англ.): Intel 10nm process problems — my thoughts on this subject
Второй вопрос затронутый статьёй поднят 17 июня (англ. там же): Is Intel 10nm really denser than TSMC 7nm?
Only those users with full accounts are able to leave comments. Log in, please.