Comments 111
Помнится, видел статью про нечто подобное ещё при кондовом совке, лет эдак 40 назад, то ли в ИР, то ли в ТМ. Но там острым был только катод (электростатическая эмиссия), сетка имела всего одно соосное катоду отверстие, а анод плоский, и вся конструкция была похожа на многослойный сэндвич. Всё это в микронных размерах. Производство предполагалось тоже групповое (т.е. нечто вроде нынешних микросхем), но о работоспособности в газовой среде речи не велось — предполагалось корпусирование всей группы и по-видимому откачка.
После той статьи никаких упоминаний ни о чём-то подобном я не встречал (ясное дело, идея сильно опередила своё время), и вот спустя такой огромный срок тема всплыла вновь.
Да тоже не раз читал про новый виток ламповости. Интересно где быстрее случится прорыв: в аккумуляторах, холодном термояде или лампах?
" Интересно где быстрее случится прорыв: в аккумуляторах, холодном термояде или лампах?"

Научный прорыв: холодный ядерный синтез стал управляем
Наука
В российской и мировой ядерной физике осуществлён долгожданный научный прорыв. Впервые реализована управляемая реакция ядерного синтеза при комнатной температуре
Научный прорыв: холодный ядерный синтез стал управляем
Дмитрий Иконников. В единстве производства и науки — могущество и будущность страны! 1986

Москва, 26 мая 2018, 10:36 — REGNUM Этот сенсационный результат получен международной исследовательской группой под руководством известного физика-экспериментатора (Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова) Аллы Александровны Корниловой.

Подробности: regnum.ru/news/2421626.html
Любое использование материалов допускается только при наличии гиперссылки на ИА REGNUM.
Эпично! Звуковой резонанс из тепловых волн раскачивает атомы дейтерия до энергий, достаточных для синтеза — прям фантастика какая-то! Хотя скорее всего до промышленных мощностей дорастать будет долго, но прорыв.
До этого уже давно показывали возможность «холодного» (на самом деле не очень холодный) синтеза при помощи ультразвука — вызывая сильную кавитацию в дейтерий-тритиевой воде(вода где обычный водород замещен на дейтерий или тритий), при достаточной мощности ультразвука и достижении звукового резонанса при схлопопывании пузырьков (сонолюминисценция) на короткий момент создаются условия достаточные для начала вялых реакции синтеза.

Но из-за сильно подпорченной разными фриками и мошенниками репутации у «холодного термояда» никто не воспринимает подобные исследования всерьез. Тема считается «токсичной», большинство ученых категорически не хочет, чтобы даже имя их рядом с обсуждением этой темы появлялось.

С этой работой скорее всего так же будет.
Эта самая сонолюминисценция (и, кстати, в ацетоне с дейтерием, а не в воде) — тоже плод фрика. Методы фиксации протекания реакции были «немного» не совсем научными. А точнее никаких реальных признаков реакции там не было.
Есть вполне реальный общепризнанный вариант холодного (да хоть в жидком водороде!) ядерного синтеза — мюонный катализ. Только, увы, при современных технологиях производства мюонов он энергетически выгодным никак не получается, а как «удешевить» их производство совершенно непонятно. Но реакция точно идёт, тут сомнений нет.
«Не вводите людей в заблуждение информацией, полученной из ненадёжных источников, пожалуйста.»
А почему бы вновь не обратить внимание?
Из тупика нехватки энергии надо выползать.
А то на Марс и Луну собрались, почти-что с голым задом, но уверенные в себе.
Надо, никто не спорит. Для этого есть проект ITER и ещё какие-то экспериментальные установки.
На ненаучных проектах далеко не улетишь — они для другого нужны и вложенные в них государством деньги просто осядут в карманах мошенников.
Вспомните на ту же российскую "Гравицапу", которую всё же запустили, несмотря на мнение экспертов.
А вы ссылку сподобились прочитать прежде чем бросаться «опровергать»?

Какое отношение разбор КЛН по биологической трансмутации (якобы происходящий в некоторых живых организмах) имеет к опубликованной работе о возможности резонансного синтеза в кристаллах металлов, насыщенных дейтерием под воздействием звуковых волн?
сколь помню форма электродов деградируют от проходящего тока
а температура слабо влияет.
К счастью, при низком напряжении электроны никогда не наберут достаточно большой энергии для ионизации гелия. Поэтому, если размеры вакуумного транзистора будут гораздо меньше среднего свободного пути электронов (чего легко достичь), а рабочее напряжение будет достаточно низким (и это устроить нетрудно), то устройство сможет прекрасно работать при атмосферном давлении. То есть, в этой, номинально вакуумной электронике миниатюрного размера вообще не нужно будет поддерживать никакого вакуума!


А как насчет того, что при атмосферном давлении поверхность всегда покрыта в несколько слоев адсорбированными молекулами атмосферных газов, а также воды и органики? Удаляются эти слои только в сверхвысоком вакууме при нагревании.

Чистое производство как раз не проблема. Давно отработано на классической электроннике. А вот производство объёмных конструкций строгой геометрии и размеров уже даёт сложности.

Вы меня не поняли. Адсорбционный слой — это не какое-то «загрязнение извне». Это фундаментально, обязательно согласно законам природы присутствующий на поверхности слой, скорость образования которого зависит от давления газа, но даже при сверхвысоком вакууме время заполнения монослоя измеряется отнюдь не годами (при минус десятой степени мм рт.ст. — он заполнится за несколько суток, а это очень глубокий вакуум, практически предельный для отпаянного прибора). А при атмосферном давлении он образуется практически мгновенно — за микросекунды.

Мало "закачать" внутрь идеальный вакуум. Его надо сохранить внутри. А все материалы на таких уровнях вакуума газят. Причем собственными парами. Именно поэтому экстремальные уровни вакуума получаются только при непрерывной откачке, да и ламповая девятая степень живет там только за счет непрерывного поглощения газа геттером. А тут девятой степени мало.

Предполагается использовать рабочий газ — гелий. Значит при производстве должен быть он же.
Тут же вылазит проблема утечки гелия.
А это не страшно с точки зрения работы такого транзистора. Главное чтобы в место гелия другие газы не «натекали» сквозь корпус чипа.
Сам гелий тут для работы не нужен вообще, это только более простое средство избавиться от других газов(вытеснив их гелием) не прибегая к сверхглубокому вакууму.
На современном ПП производстве это уже давно решили — поверхности при производстве очищают, после чего покрывают изолятором, чтобы заново ничего потом не осело.

Даже слой в 1-2 молекулы «левого» состава осевший там где не надо неприемлемо ухудшает свойства транзисторов при современных производственных нормах. И от них научились избавляться при производстве.
Но мы не можем покрыть изолятором катод и анод, т.к. тогда ток между ними идти не будет… Но тут нам этот гелий на поверхности ничем не помешает.
UFO landed and left these words here

Этот слой сплошной. Длина свободного пробега там равна нулю, как в жидкости.

Откуда там атмосферные газы или уж тем более вода или органика, если с атмосферой все это не сообщается и сообщаться не будет?

«при атмосфером давлении» <> «сообщающееся с атмосферой»

Все это тщательно зачищается, пустоты заполняются гелием, и наглухо запечатывается.

Гелий тоже же будет адсорбироваться, только с меньшей скоростью. И при атмосферном давлении монослой его образуется не за микросекунды, а допустим, за миллисекунды. Но только абсолютно чистого ничего не бывает. И получить гелий, в котором доля примесей 10^-17 ничуть не проще, чем вакуум в 10^-14 мм рт.ст. А в отпаянном объеме и вовсе нереально.

Дайте ссылочку или хотя бы официальный термин как это называется в науке. Как образуются монослои инертных газов, оседающие на твердых поверхностях подобно «жидкости» при температурах заведомо намного больших их температур конденсации.

Я от вас о таком вообще впервые слышу. Проблемы очистки и дегазации — полно и разных. А вот чтобы например гелий «налипал» плотным слоем скажем на кремний или германий при «комнатных» температурах — впервые слышу.

Как понимаю речь об обычной адсорбции (2D аналог абсорбции), а не чем-то экзотическом?.. Но при адсорбции далеко не все газы «липнут» далеко не ко всем поверхностям. В формулах скорости адсорбции газов есть коэффциент адсорбции зависящий от конкретных веществ газа и материала поверхности. И показывающий какая в среднем доля молекул газа из достигших поверхности «приклеивается», а какая «отскакивает» (обычный эффект давления газа на стенки).
И меняется он в очень широких пределах — от практически абсолютного 0 и до 1.

Не нашел пока коэффициентов для пары гелий-кремний, но в процессе нагуглились для азота, аргона, водорода и других газов относительно кремния:
Адсорбция газов поверхностью кремния

Даже для таких довольно активных газов как водород и угарный газ этот коэффициент определяемый экспериментально порядка 0.00001, т.е. всего 1 «прилипшая» молекула газа на 100 000 столкновений с поверхностью и скорость адсорбции соответственно в 100 тыс. раз ниже чем у вас насчитано.

Для инертных же газов (инертные газы инертны не только в плане химических реакций, но во многих других тоже — конфигурация электронной оболочки влияет на все физические свойства), например азота и аргона при «комнатных» температурах она вообще стремится к нулю (как минимум меньше точности лабораторных измерений):
Аргон и азот подводились к нити отдельно. В каждом случае не наблюдалось никакой десорбции при нагреве нити до 600°. Можно поэтому предположить, что при 300° К и давлениях ниже 10в-4 мм рт. ст. не происходит адсорбция аргона и азота. Подобный результат при тех же условиях был получен для германия.
Да, покрыта. Но у нас это всё будет покрыто исключительно только гелием, который при напряжениях порядка 10 В и менее невозможно ионизировать, так что этот слой ни на что влиять особо не будет.
Лет 20 подряд натыкаюсь на статьи по нескольку раз в год, как открыли новый вид транзисторов, работащих на десятках-сотнях гигагерцах

У логического элемента, чтобы он работал в ключевом режиме, должнл быть достаточно большое усиление. Так что чтобы он работал на частоте 3 ГГц, транзисторы нужны с граничной частотой десятки гигагерц.

Если есть элемент на терагерц (а они есть уже нескольких видов) — то теоретически он может работать логическим ключом на сотню гигагерц.

Вариантов я вижу два:
— Все эти изобретения не показали практичность.
— Отрасль не хочет менять налаженный процесс и делать революционные изменения, обгоняющие «закон Мура» (который больше маркетинговый, чем технологический).
Одиночным ключиком — может.

Но чип это не один такой ключик, а сотни миллионов штук таких ключей, которые должны работать синхронно в одной схеме. Даже если брать не весь чип целиком, а какой-то минимальный логический блок (один сумматор/умножитель, один декодер, блок регистров и т.д.) то это десятки-сотни тыс. таких ключей в одной схеме.

А между ними существуют не нулевые расстояния и задержки распространения сигнала. Которые дает как собственно скорость света — которая ограничивает минимальное время прихода фронта сигнала. Так и разные паразитные емкости и индуктивности схемы, ограничивающие минимальное время нарастания сигнала до порогового уровня срабатывания следующего ключа в схеме.

Совсем простенькие схемки в отличии от сложных микрочипов уже работают на десятках ГГц. Например приемники/детекторы/усилители передатчиков на спутниках и РЛС: Ku и Ka диапазоны.

А сложные чипы типа микропроцессоров в это время с большим трудом пытаются штурмовать только отметку 5 ГГц.

P.S.
А где хотя бы одиночные транзисторы на 1 ТГц? Кремниевые работают максимум до нескольких десятков ГГц, альтернативные, не на базе кремния максимум сотня другая ГГц. 1 ТГц еще вроде никто не брал даже в лабораториях, не говоря уже о производстве.
>> А где хотя бы одиночные транзисторы на 1 ТГц?

В 2014 году преодолели — 10dB усиления на 1THz. Навскидку:
www.electronicsweekly.com/news/research-news/us-claims-thz-transistor-speed-record-2014-10
www.extremetech.com/extreme/193343-darpa-creates-first-1thz-computer-chip-earns-guinness-world-record
www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1327330

Скорость фронта импульса — только трехмерную структуру делать и переходить на формат потоков «сообщений» между узлами. Т.е. проц-кэш-память вместе, а между такими ячейками передача пакетов, «сеть на чипе». И таких ячеек много, как на GPU.

Одиночные "Si" транзисторы достаточно быстры — сотни "ГГц": 2011 https://ieeexplore.ieee.org/iel5/5976318/5984315/05984622.pdf peak fT/Fmax of 349/265GHz for NMOS, 242/184GHz for. PMOS
https://www.semiwiki.com/forum/content/7604-fdsoi-status-roadmap.html 28FDS provides fmax >400GHz for RF applications,


Задержка одиночных логических вентилей (не нагруженных множеством потребителей) сравнительно невелика: https://en.wikipedia.org/wiki/Logical_effort


Delay is expressed in terms of a basic delay unit, τ = 3RC, the delay of an inverter driving an identical inverter with no parasitic capacitance
In a typical 600-nm process τ is about 50 ps. For a 250-nm process, τ is about 20 ps. In modern 45 nm processes the delay is approximately 4 to 5 ps.

Однако за длительность такта должна сработать целая сеть комбинационной логики и выдать результат в регистры.
Для заданного цифрового дизайна можно оценить задержку такта в единицах задержки FO4 (https://en.wikipedia.org/wiki/FO4 "Fan-out of 4 — delay of an inverter, driven by an inverter 4x smaller than itself, and driving an inverter 4x larger than itself."). Подставив значение FO4 для техпроцесса приближенно оценивается частота дизайна (процессора). Процессоры с высокими (и сверхвысокими) частотами могут иметь достаточно короткую задержку в FO4, например "IBM Power6 (4-5ГГц) has design with cycle delay of 13 FO4;[3] clock period of Intel's Pentium 4 at 3.4 GHz is estimated as 16.3 FO4.[4]". Обратной стороной становится удлинение конвейера и рост задержек исполнения в тактах (например, простые целочисленные операции начинают занимать не 1 такт, а 3; попадание в l1 кэш — не 3-4 такта а 6-10 и т.п.). Также часть длительности такта приходится тратить на задержки проводов, различные перекосы дерева тактирования, работу регистровых станций между комбинационной логикой и учет вариаций техпроцесса (углы TT, FF, SS, ..).


Для конкретных схем (сумматор, сдвиг, flop; для каждого формата — 32 или 64 бита) есть разные варианты реализации. Некоторые имеют минимальную площадь, но большую задержку в штуках fo4, другие для снижения задержки используют большую площадь и "лишние вычисления". https://www.realworldtech.com/fo4-metric/3/ https://www.realworldtech.com/fo4-metric/4/ ("it appears clear that a 32 bit barrel shifter will not be able to fit within a single cycle timing budget of the previously given estimate of 12~16 FO4 delay depth").
Схожие проблемы и при адресации массивов памяти, таких как кэш или регистровый файл. Чем больше память — тем дольше будет к ней доступ. https://books.google.com/books?id=OR6yVXCPcLUC&pg=PA400&lpg=PA400&dq=fo4+metric


Подробнее про Logical effort http://bwrcs.eecs.berkeley.edu/Classes/icdesign/ee141_f05/Lectures/Notes/ComputingLogicalEffort.pdf
про FO4 (2002) https://www.realworldtech.com/fo4-metric/2/
или https://habr.com/post/401815/#comment_18076761 — ответ пользователю Mad__Max от 2 марта 2017 (там же пример "процессора на 20 ГГц" в котором "для одной операции над 8 битным регистром требуется 12 тактов")

Транзисторы работающие на частотах в десятки ГГц уже давно появились и сейчас широко применяются на практике. Как раз благодаря исследованиям о которых вы читали.

Но вы видимо почему-то хотели/ждали процессоров (или других сложных микрочипов) работающих на таких частотах. Хотя читали про транзисторы, а не про чипы.
я понимаю, что это перевод, но все же: Беленко летал не над Сибирью…
«средний свободный путь» — Длина свободного пробега википедия в помощь
Последняя фраза статьи:
Only then did they begin to appreciate the value of a little nothingness. — И только тогда они смогли понять ценность этого маленького пустяка.
пустяк, пустой — игра слов.

Про воздействие ядерного взрыва на различные электронные компоненты было бы полезно упомянуть. Это кстати, одна из причин долгой жизни вакуумных приборов в военной электронике.

А вот и мимо.

Основная проблема совсем в другом. Вояки консервативны по отношению к имеющемуся оборудованию. ОЧЕНЬ КОНСЕРВАТИВНЫ! А очень серьёзные системы типа СПРН выключать вообще нельзя ни на минуту, тут только строить новое и сносить старое. Собственно, только там лампы с дискетами по большей части и остались. Разумеется, если используется бронированный олдскул из 60-70-х, то там лампы тоже будут.

Однако, тренды таковы, что старое реально модернизируется путём выбрасывания сотен кг радиодеталей в пользу пары небольших IP68-ящиков с электроникой. Совсем другое дело, что лампы и платы из 5-мм текстолита легко нас с вами переживут, в отличие от хайтека…
Не затрагивая тему сложностей модернизации, отмечу, что вакуумные приборы наиболее устойчивы к электромагнитным импульсам. Пруф «навскидку», там табличка image
Несомненно! Устойчивость к ЭМИ у ламп это неоспоримый плюс, но по собственному опыту могу сказать, что именно морально-этически-сексуальные предпочтения/заблуждения военных чинов обязывают служивых иметь дело с достижениями электроники середины прошлого века.

Просто сам как раз сейчас участвую в модернизации хайтека прошлого до актуального железа. Повезло, что мы заказчик в ТЗ дал явное добро на извлечения большинства шкафов радиодеталей взамен на компактное, куда менее потребляющее и более понятное человеку из XXI века автоматизированное рабочее место. Правда, от ЭМИ будет очень больно))
Из статьи в КП за 2003 год. "Вчера американцы сбросили электромагнитную бомбу на министерство информации Ирака. После взрыва все системы главного информационного рупора страны перестали работать. Но через 10 часов иракские инженеры сумели восстановить аппаратуру."
Эх… жаль всего на 10 часов. А то включил тут телевизор — и сразу понял — хорошая идея-то… хорошая! Развивать надо!

Как то все это звучит опасно. "Аля улю, шашки наголо, гони городских к лесу!!!" Какие предпочтения блин? Есть утвержденные нормативы и стандарты. Либо ваша новая аппаратура их соблюдает и проходит испытания и приемку, либо нет. А Вы рисуете какой то модный хайп "куяк куяк и в продакшен".

По очевидным причинам не стоит распространяться о конкретных целях и задачах, но проблема системная. Классическая аналоговая аппаратура куда более живучая, нежели современная элементная база. Ясное дело, что надо всё защитить, а не в продакшн дендрофекальным методом проектирования, это вам не html-программирование всё ж таки
Классическая аналоговая аппаратура
Дискретные логические элементы без разницы на чем собирать, можно на тех же лампах. Были АВМ, там как и лампы, так и полупроводники и микросборки/микросхемы применялись. И даже простые гидравлические механизмы использовались. И эти АВМ успешно решали задачи интегрирования и дифференцирования. Просьба не путать эти понятия.

Кстати, думаю, что из всех указанных приборов по стойкости данный вакуумный прибор будет ближе к СВЧ диоду.

А я считаю, что вояки отнюдь не дураки использовать лампы. Их до сих пор производят в Саратове и номенклатура давно известна и не менялась уже 70 лет. А вот попробуйте купить японский транзистор, выпущенный хотя бы в 90х. Это очень трудно. С отечественными деталями тоже очень непонятная ситуация. У меня такое впечатление, что сейчас можно купить только детали 80х годов производства, которые не отличаются особым качеством.

Полупроводники деградируют со временем. С лампами в чем то проще в этом плане

А знаете почему? Потому что её не выключают. Именно резкое включение убивает лампу накаливания. В продаже появились специальные выключатели с плавным пуском, но потом производство ламп накаливания резко сократили и они потеряли актуальность.
продавцы тёплых ламповых лампочек поняли, что их заговор раскрыли, и переключились сначала на энергосберегайки, а затем — и на светодиодные… (/сарказм)
Ждем «теорию заговора производителей светодиодных ламп»…
Лампы для света — действительно имеют запланированное устаревание.
Но, что не так с радиолампами? Ведь они должны быть надёжнее, а это, увы, не так.
но все равно основная причина — потеря эмиссии. а «последствия сложности» типа межэлектродных замыканий — в гораздо меньшей степени, на уровне обычных «дефектов исполнения»
Естественные процессы — начиная от диффузии газов и заканчивая перегоранием нити их-за неравномерной толщины.
Я, честно говоря, не интересовался ЭВП ввиду того, что не планировал с ними работать… Да и читали нам всего лишь часть ЭВП — в курсе АиУСВЧ, всякие там клистроны-магнетроны-ЛБВ.
Ртутные не смотря на такое же потреблиние и одинаковый световой поток(люмен) даже выгодней смотрятся(не считая страхов по поводу ртути), т.к. на всём протяжении долгого срока службы не теряет яркость в отличии от светодиодных ламп и уж куда надёжней чем они(по крайней мере по сравнению с некоторыми).
Я какое то время часто менял светодиодные(порой 2-3 раза за год гарантии).
А сдать по гарантии заметно потускневшие, но рабочие лампы, не получилось.
Сейчас взял за правило не брать лампы меньше чем с двухлетней гарантией
Ртутные тоже теряют яркость. Деградация люминофора, потеря эмиссии… В общем, нет серебряной пули.

А еще КЛЛ в холодных помещениях при включении набирают яркость до номинальной аж несколько минут.
Да и в теплых не сразу яркость выдаёт, но это даже хорошо, т.к. глаза успевают приспособиться.
По поводу деградации, у меня есть несколько ртутных ламп на е27 отработавших лет 5(или даже более) и у них яркость заметно выше в отличии от светодиодной проработавшей год.
У меня в доме КЛЛ разных марок перебывало десятка три (в основном, всякая дешевка типа Naviator, но были и Toshiba). Все в итоге или потускнели или стали очень долго выходить на режим (десятки минут).
Так, светодиодные IEK на 11 Вт оказались ярче чем 30 Вт КЛЛ после 4 лет работы.

Светодиодные я всего года полтора начал устанавливать и год как перевёл на светодиодки весь дом. Пока снижения яркости незаметно — как дальше будет, посмотрим. Что касается сдыхания — за это время я установил 33 лампы (дешевых REV, IEK и т.п.), сдохло 6 — почти 20%. Одну разобрал — увы, дешёвка на то и дешёвка, никакой стабилизации тока — только выпрямитель и сглаживающий конденсатор.
У меня все выжившие ртутные камелион. Светодиодные то же этой фирмы закупил(причём выбрал ту же фирму случайно по характеристикам и сроку гарантии в 3 года.
Я потрошил средние по цене(ASD, Ecola, Saffit), везде полноценные драйвера, куча емкостей, правда все сдохли от перегрева. Особенно выделился saffit, максимальная экономия на радиатора, плюс светодиоды распаяны на отдельной пластине, соединяясь с радиатором краями пластины. Соединение сухое, ни пайки, ни термопасты. В результате их завалили возвратами.
> Ждем «теорию заговора производителей светодиодных ламп»…

Держите.
Разбирал недавно одну сгоревшую. Прослужила где-то полгода. Так там сердечник мелкого тороидального транса был сделан из какого-то говна. Транс буквально рассыпался на куски в руках.
Еще у парочки сгоревших был совершенно никакой теплоотвод от полос с диодами. Которые от такого расклада помирали только так. При вскрытии там прямо припой потекший был :(
Они зачастую работаю в жутком перегреве, что диоды, что драйвера.
Производитель(если есть договор с местным магазином) сам себя наказывает. Как к примеру я писал выше с Saffit. Их просто завалили возвратом(там где я сдавал, было сразу несколько коробок за неделю). К концу срока гарантии(1 год всего) к примеру меняли уже на переделанные лампочки(правда проработали они полгода максимум). И так раза три за год менял(сгорели все 100%)
И магазины и покупатели в следующий раз задумаются над покупкой ламп этой фирмы.
Благо я их взял всего пять, сейчас осталось 4, одну пустил на донорские органы(лампы прекрасно разбираются, драйвера попались живучие, а диоды легко перепаиваются).
Нет, не поэтому, а потому, что она в жёстком недокале.
Нормальная лампочка имеет температуру около 2700 К, а у той — что-то типа 1300 К. И это гигантская разница! При 1300 К вольфрамовая нить и должна жить сотни лет.

Она в жутком недокале, вот и весь ее секрет. Включи нынешнюю лампочку на 220 В в 42 вольта и оставь в покое без включений-выключений и сотрясенй — тоже сто лет может проработать.

Параметры электронных ламп могут уплыть еще быстрее, чем у полупроводников. Заводы-изготовители, в среднем, заявляют 500-5000 часов работы у бытовых ламп и вдвое больше у военных. Лампа чем проще — она на панельке и может быть и заменена любым солдатом.

Ну до определенных пределов уход параметров можно схемотехникой скомпенсировать. Да и сама схемотехника у ламп проще.
Насчет замены — это да, конкуренции нету. Даже агрегатная замена не шибко быстрее.
Лампа чем проще — она на панельке и может быть и заменена любым солдатом

Видно невооружённым взглядом неисправности?

По сути, в военных приборах, если это не компьютер, ламп не так много и их все разом можно заменить. Ну а потом методом исключения… А еще можно слегка ногтем пощелкать по лампам, работоспособность может восстановиться или помехи уходят, или их еще больше. Обычно лампа-то не так быстро дохнет, если конечно, не перегорает нить накала. Внешне вполне можно определить лампы, выработавшие свой ресурс по зеркальному/темному налету (не геттер), там где его не должно быть.

Ну это все равно не «любой солдат», а все таки технарь, которому можно доверить щелкать ногтями и вообще лезть в технику.
Тем более, что многие виды приборов опломбированы и вскрывать их можно только в присутствии особиста, по особому разрешению. Или вообще нельзя, ремонт только на секретном заводе.

Ну тады пусть шлют прибор на секретный завод. А там его все равно быстро починят. Кстати, мне дед рассказывал, в армии был радистом и сам менял лампы, хотя высшего образования у него не было, да и сам скорее механик, чем электрик. Но это давно было, конечно, пломб наверное еще не было.

Лампы тоже деградируют — теряют вакуум просто при хранении, ну и перегорают при работе.
Из тех ламп, что производят в Саратове, сейчас актуальны и полезны ЛБВ. На частотах в районе 10ГГц и выше они пока конкурируют с транзисторами. Но нитридгаллиевые транзисторы уже догоняют.
Баллистический странзистор, он же, но на английском
Оно ведь уже больше десятка лет обсуждается, в чем новость-то? Или это не тот тип транзистора?
Не тот, оказывается — в баллистическом поток электронов отклоняют, а не прерывают, затрачивая на порядки меньшую мощность, в отличии от предложенного.
Тогда тем более не ясна новизна и смысл.
Всем тёплых, светящихся триггеров на 6Ж1П, короче.
Ну, по статье, баллистические транзисторы требуют сверхпроводимости в одном из элементов, как следствие, охлаждения, а вакуумные работают при комнатной температуре. А отклонение пучка электронов в вакууме сложно сделать, не направив его в стенку, поэтому прерывать проще.
Не, там не обязательна сверхпроводимость
Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора.
Т.е. сабж тоже подходит. То, что в основном экспериментировали с двумерным электронным газом в сверхпроводнике — не значит что без него не сделать.
А отклонение пучка электронов в вакууме сложно сделать, не направив его в стенку, поэтому прерывать проще.
Там зато двуханодные конструкции aka дифпары получаются на раз-два.
Корпус летательного аппарата был сделан грубее, чем у современных ему американских истребителей, и в основном состоял из стали, а не из титана. Приборные отсеки были заполнены оборудованием, работавшим на электронных лампах, а не на транзисторах. Очевидным заключением, несмотря на бытовавшие страхи, стало то, что даже самая передовая технология безнадёжно отстала от западной.

Ведь в США электронные лампы [которые там называют вакуумными трубками / прим. перев.] уступили дорогу меньшим по размеру и энергопотреблению твердотельным устройствам за два десятилетия до этого, вскоре после того, как Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Брэттейн собрали первый транзистор в Лабораториях Белла в 1947.

1) В Миг-25 использовался титан, хотя да, почти на 90% самолет стальной. Однако, «титановый» самолет в США был только один — SR-71 Блэкбёрд. В остальных же титан применялся так же локально.
2) В современных Мигу самолетах, таких как Фантом 2, лампы ещё были в ходу. Первым (насколько я знаю) полностью «транзисторным» боевым самолетом стал F-15, который на вооружение приняли в том же 1976-ом году, когда Беленко угнал самолет.
3) Ламп в приборах в американских вооруженных силах было полным-полно, просто за счет наполнения складов и долгих сроков эксплуатации между модернизациями (на флоте например). Лампы правда, думаю, были лучше советских.
4) Была байка, что американцы такую «ламповость» Миг-25 сначала объясняли устойчивостью ламповых приборов к низким температурам (а Миг-25 летал очень высоко). Впрочем, может и устойчивость ламп тоже байка.
5) Миг-25 до сих пор держит рекорд по высоте полета (37 650 м) — безнадежно отстал…

Не то чтобы спорю с изложенным, но давайте честно — вступление про угон самолета плохо согласованно с основной темой про вакуумные транзисторы

То есть, в этой, номинально вакуумной электронике миниатюрного размера вообще не нужно будет поддерживать никакого вакуума!


Фи… Да какие это тогда лампы, без теплого вакуума
опровергатели (ну, которые полеты на Луну опровергают) утверждают, что вакуум имеет температуру 4К. :-)
Наш прототип ТВК работает от 10 В, что на порядок больше используемого микросхемами напряжения. Однако исследователи из Питтсбургского университета уже смогли сделать ТВК, работающие от 1 или 2 В, хотя это потребовало серьёзных компромиссов в гибкости дизайна.

Чем плохо питание 10 вольт?
C * U^2 / 2
Такую энергию накопленную в паразитных емкостях линий и затворов приходится рассеивать переключающим элементам схемы при каждом переключении. Именно поэтому напряжение питания современных процессоров не превышает полутора вольт, а часто и вольта (мобильные экономичные процессоры)

Плюс энергии электрона в 10 эВ более чем достаточно, чтобы оторвать атом. А значит, электроды "транзистора" будут портиться и срок его службы окажется микроскопическим.

Да, прикинул, действительно…
При заряде энергия C * U^2 / 2 зальется в емкость, и столько же рассеется в цепи заряда. При обратном переключении все это сольется в цепь разряда. Получается, на полный цикл нужно энергии C * U^2. Причем от напряжения зависимость квадратичная, при 10 В потребление в 100 раз выше, чем при 1 В.

А чем ограничен нижний предел питания в теории? Тепловым шумом?

А возможно ли какая-то рекуперация, как при торможении? Что бы эту энергию не рассеивать? (В теории, конечно).
У попупроводников — шириной запрещенной зоны.

А у подобных вакуумных штуках типа старых ламп с электронами в свободном полете — работой выхода из материала.

Хотя тут судя по статье примяют «хак» позволяющий подобное ограничение обойти — автоэлектронная эмиссия

Теоретически возможно что-то вроде «рекуперации» — обратимые вычисления
отклонился от курса тренировочного полёта над Сибирью, который он проводил в самолёте Миг-25П, быстро пересёк Японское море на малой высоте, и посадил самолёт в гражданском аэропорту Хоккайдо

Потрясающе. Где Чугуевка а где Сибирь. Одно непонятно, почему ни слова про матрешку и медведя с водкой.
Какая статья — такой и перевод.

Вообще, уже даже по одному тому, что именно подразумевается под «Сибирью», можно весьма точно отличить перевод на русский от статьи, изначально на русском написанной жителями Вост. Европы.

Иностранцы под «Российской Сибирью», обычно подразумевают Сибирь географическую( всё, что за Уральскими горами или ~75% территории РФ. Иначе говоря «где-то в РФ, но не в Мск, Питере и их окрестностях». И Чугуевка туда входит ), жители РФ в частности, да и Вост. Европы в общем, под Сибирью обычно подразумевают Сибирский Федеральный Округ, от которого до Чугуевки почти как до Москвы.
Назревает вопрос: как, не используя позитронов и антиматерии, сделать на таких транзисторах комплементарную структуру?
А нужна ли она? Если я правильно помню, комплементарная структура это просто способ уплотнения размещения транзисторов на одном кристалле. А вот как на вакууме создать n-p-n транзистор — вопрос имхо, ну или я чего-то не понимаю.
Коплементарные структуры позволяют строить логические элементы, потребляющие энергию только во время переключения и имеющие очень небольшое потребление в статическом состоянии. Так работает вся (ну, или почти вся) современная логика.
Вы еще электронную лампу n-p-n обзовите. Что она, что сабж — униполярные устройства. А любой биполярный транзистор требует наличия двух типов носителей зарядов (Электроны и дырки в полупроводниках. Проводимость позитронами в вакууме теоретически есть, но вам не захочется рядом с подобным устройством находится, хе-хе).
В современных вычислительных системах используются полевые(униполярные) транзисторы двух типов проводимости, однако ранее существовали системы на транзисторах одного типа (NMOS, PMOS)
Дырочная проводимость — просто удобное представление для другой концентрации электронов. Реальный заряд-то всё равно электронами переносится.
Так-то да, только это «отсутствие электронов» часто ведет себя как настоящая частица, поэтому…
Во всяком случае без кристаллической решетки вещества, в вакууме, подобная проводимость, ЕМНИП, невозможна, поэтому или позитроны, или никак.
Никак. А зачем? NMOS и PMOS снисходительно смотрят на вас, TTL посмеивается.
Устройствами с одним типом проводимости десятки лет обходились, ничего не мешает вернуться к ним в вычислительных устройствах.
Мешает низкая скорость переключения и большое статическое потребление.
Увы у современного CMOS статическое потребление может и превышать динамическое. Не всегда, но раз LP и LPP процессы разработали значит прецедент был.
На самом деле потребление стоит сравнивать уже после реализации конкретного устройства, потому что там еще и разные типы логики и кодирования можно применять, как в свое время в NMOS уменьшали количество одновременно открытых транзисторов, и довольно успешно.
Вы, безусловно, правы в том, что в процессе гонки за нанометрами статическое потребление CMOS растет, но все же трудно себе представить возврат к NMOS.
У некоторых «высокочастотных» полупроводников подвижности носителей зарядов почти на порядок отличаются, там подобное и сейчас применяют. Органические полупроводники вообще почти все p-типа.
NMOS не NMOS, но что-то аналогичное, вероятно, будет.
А кроме того — у этих транзисторов может оказаться нехилая внутренняя обратная связь. Управляющего поля нет — эмиссия идёт полным ходом, напряжение на канале падает — эмиссия уменьшается. И наоборот.
А это поставит крест на их использовании в логике — только «тёплый ламповый» аналог.
  • Добавляем ускоряющую сетку… Ой, динатронный эффект появился!
  • Добавляем экранирующую сетку...
  • Слушайте, а чего так неэкономно расходуем количество элементов? Давайте добавим еще пару электродов чтоб один элемент сразу функцию 'И' реализовывал.

А на выходе получится гептод.
Полупроводниковый аналог гептода (не по количеству электродов, а функциональный) придумали давно — двухзатворный транзистор. Даже в союзе были КП306, КП350.
Что за бред! — «Мы в Исследовательском центре Эймса в НАСА последние несколько лет разрабатывали транзисторы с вакуумным каналом (ТВК)»
Про такие приборы рассказывал на ютубе один инженер исследователь (из Сибири кажется) лет 10 назад сам видел. А теперь, видите ли, НАСА разрабатывает эти приборы!!! Ну кроме как продолжением откровенного предательства российской власти продавшей все наработки советских инженеров и ученых на запад назвать это никак не могу.
Пусть лучше эти наработки ещё 20 лет в столе валяются, и человечество топчется в гигагерцовом диапазоне.
Only those users with full accounts are able to leave comments. Log in, please.