Comments 32
Таки тяжелее, и таки MoS2 не самая лучшая кандидатура для высокогерцовых процессоров (грется будут слишком сильно), лучше уж графеновые нанорибоны выпиливать гелиевым пучком…
Они их разных миров: 1D и 2D. Или, если хотите в 2D, полуметалл и полупроводник. Кроме того, мне всегда казалось, чем меньше щель (хм, band gap), тем больше напряжение необходимо для работы, следовательно, больше мощности рассеивается.

В общем, вы можете предоставить ссылку на соответствующее исследование?
почему из разных-то? MoS2 — планарный, 3 атома толщиной и графеновые рибоны — планарные, но 1 атом толщиной.
Потому что графеновый нанорибон — это одномерная структура. Графен и 2D MoS2 — двумерные. Графит и MoS2 — трёхмерные.
Тоже не понял, с чего это вдруг электроны стали менять свою массу. Речь скорее все идет о так называемых электронах проводимости, больше математических модельных частицах, которыми описывают поведение электронов в полупроводниках, или если хотите квазичастицах электрона, эффективная масса которых может значительно отличаться от массы реального электрона. Чисто квантовая история, но имеет место быть:)
«больше математических модельных частицах»

Они так и называются — электроны и дырки. Если вас что-то напрягает в терминологии, то сообщаю вам, что те «настоящие» электроны тоже являются квазичастицами: коллективным поведением кварков, из которых они состоят.
я знаю тему достаточно поверхностно, так что… спасибо за пояснение, настоящий электрон конечно в этом смысле тоже квазичистица

Октябрь на дворе. Деревья пожелтели, птицы улетели в теплые края, а на гиктаймсе началось осеннее обострение. В этом сезоне нас ждут упоительные истории про электроны из кварков и одномерные нанориббоны (то-то весь мир краевые эффекты в них изучает). А все новые и непонятные вещи будут громко называть "квазичастицами".

По нынешним представлениям все лептоны — неделимы. Такие же фундаментальные((С), не мой) частицы, как и кварки.

А в твёрдом теле «электрон», конечно, квазичастица, со своей Мэфф вовсе не равной 0.511МэВ/c^2
Достижение сомнительно. Учитывая, что тут используется карбоновая трубка, которую 1) сложно сделать в большом количестве в нужных местах 2) невозможно сделать длиной равной ширине.

Оба ваших пункта — дело техники, они показали, что ограничение в 5 нм, которое раньше считалось абсолютным теоретическим минимумом, не действует.

Приведите, пожалуйста, ссылку на работу, где, когда и кем это считалось?!
Думаю, речь идет о теоретизированиях директора DAPRA:

https://www.cnet.com/news/end-of-moores-law-its-not-just-about-physics/

Для тех, кому лень копипастить: он 2013 году сказал, что у них нету никаких планов продвигать технологию меньше 5 нм. Вероятно, это будет концом закона Мура (что есть теория).
Нет, вы не правы. Размер ЭЛЕМЕНТА менее 5нм ЭКОНОМИЧЕСКИ НЕОПРАВДАН, если применяется промышленная литография, поскольку переоснащение заводов будет стоить(в соответствии с текущим трендом при каждом уменьшении) просто нереальные деньги равные 100+ доходам всей индустрии. А теоретическая граница — одна молекула. В лабораторных условиях возможен теоретический предел.
Ну давайте тогда, просветите нас конкретнее почему переход на 7 нм — оправдан, а на 5 — нет?
На 5нм РАЗМЕР ЭЛЕМЕНТА неоправдан. При 7нм литографии размер намного больше 7. Хотя некоторые считают, что на 7нм тоже не выгодно.
Ааа ну теперь мне всё понятно. Раньше бы так. Да, а теперь-то всё понятно. Понятно теперь всё.
Возможно, благодаря этому сомнительному достижению появился повод научиться делать трубки в большом количестве и в нужных местах. А там, того и гляди, ещё в каких отраслях пригодится.
>> Сейчас минимальный размер затвора транзисторов составляет 20 нанометров.
А у меня процессор в десктопе 14нм. Или у вас старые данные или опять проделки маркетологов
UFO landed and left these words here
Таки проделки маркетологов. Техпроцесс XX нм говорит о разрешении литографического оборудования а не о размере транзистора. Сам транзистор больше.
Техпроцесс говорит не о разрешении литографического оборудования (оно гораздо хуже, меньше 50 нм напрямую напечатать современной промышленной литографией [иммерсионной 193 нм] нереально). Technology node (то, что у нас называется «техпроцесс») — это электрическая длина затвора: скорость переключения транзистора зависит от длины затвора, таким образом измерив максимальную скорость переключения, мы можем посчитать длину затвора — это и будет то число, которое используется для маркировки техпроцесса.

Когда размеры были большими (больше 65 нм), физический размер затвора и электрический практически совпадали, но дальше началось расхождение — чем дальше, тем больше. Странно, что в википедии написано, что это началось с технологии 22 нм — когда я работал на заводе GF и мы выпускали чипы по технологии 28 нм (LTE для 5-х айфонов), реальный физический размер затвора был около 54 нм. Справедливости ради добавлю, что контактные окна к транзисторам были размером как раз 28 нм.

Так что маректологи тут особо не при чем.
UFO landed and left these words here
Заголовок желтый. Все таки, есть разница между размерами всего транзистора в сборе и одной из его частей.
Так по моему уже давно все меряются именно размером «ворот», а не всего транзистора.
Ну тогда бы и писали, что создали транзистор с затвором, размером в нанометр.
Согласно закону количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца. Этот «закон» известен уже более полувека. Собственно, это и не закон, но его положения, в целом, справедливы.

В чуть более общем случае — система с положительной обратной отдачей развивается в первом приближении по экспоненте.

Это я к тому, что в таких статьях не совсем понятно, как смена чипов с транзисторами на что-то ещё будет по сути противоречить этому закону.


График стоимости производительности в первом приближении выглядит как экспонента даже если мы полностью абстрагируемся от транзисторов и добавим на него системы с лампами и системы с перфокартами.

Only those users with full accounts are able to leave comments. Log in, please.