Главная проблема современных флэшек и SSD-дисков на их основе — слишком короткий срок жизни микросхем. Несмотря на все ухищрения, сейчас одна ячейка выдерживает всего лишь около 10 000 циклов записи-стирания. Из-за недолговечности микросхем невозможно уменьшить размер ячеек и сделать более ёмкую память, потому что при производстве транзисторов с техпроцессом менее 20 нм срок жизни флэш-памяти уменьшится вообще до критических значений.
Именно в этом направлении сейчас работают лучшие умы в R&D-центрах крупнейших компаний из индустрии микроэлектроники. На этой неделе стало известно сразу о двух интересных разработках.
Инженеры из Numonix, дочерней компании Intel, предложили для покрытия ячеек те же материалы, которые применяются в производстве компакт-дисков, то есть слоистую структуру из теллура, германия и сурьмы. Теоретически, такая структура Phase Change Memory (PCM) может позволить уменьшить размер ячеек аж до 5 нм. При этом сохранится чрезвычайно высокий срок жизни (до 1 млн циклов записи-стирания), как и в уже созданном ими тестовом модуле на 128 МБ. Это в сто раз больше, чем при существующей технологии.
Японские учёные придумали альтернативный способ. Они предлагают внедрить в существующую флэш-память нечто вроде механизма «горячей замены», когда выход из строя отдельных ячеек не сказывается на работе всего модуля. По расчётам японцев, срок жизни «ферроэлектрического» модуля NAND увеличивается до 100 млн циклов, а техпроцесс можно уменьшить до 10 нм.
Именно в этом направлении сейчас работают лучшие умы в R&D-центрах крупнейших компаний из индустрии микроэлектроники. На этой неделе стало известно сразу о двух интересных разработках.
Инженеры из Numonix, дочерней компании Intel, предложили для покрытия ячеек те же материалы, которые применяются в производстве компакт-дисков, то есть слоистую структуру из теллура, германия и сурьмы. Теоретически, такая структура Phase Change Memory (PCM) может позволить уменьшить размер ячеек аж до 5 нм. При этом сохранится чрезвычайно высокий срок жизни (до 1 млн циклов записи-стирания), как и в уже созданном ими тестовом модуле на 128 МБ. Это в сто раз больше, чем при существующей технологии.
Японские учёные придумали альтернативный способ. Они предлагают внедрить в существующую флэш-память нечто вроде механизма «горячей замены», когда выход из строя отдельных ячеек не сказывается на работе всего модуля. По расчётам японцев, срок жизни «ферроэлектрического» модуля NAND увеличивается до 100 млн циклов, а техпроцесс можно уменьшить до 10 нм.
