Comments 25
позвольте с вами немного не согласиться с пунктами

* высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление;
* высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей);

в реальной жизни все не так просто. Снаружи затвор будет для нас обкладкой конденсатора. И для смены полянам нужно будет куда то девать заряд. И уже допустим в применении в импульсных блоках питания на частотах порядка 200кГц ток управления транзистором могут достигать нескольких ампер пиками длительностью порядка 5.0 × 10-7 секунды
Вы правы. Я пропустила в статье фразу «по сравнению с биполярными». Исправила.
Добавила. По правде сказать, сама в первый раз эту аббревиатуру услышала.
Небольшое дополнение. Из-за особенностей конструкции МОП-транзистора, а именно, из-за соединения истока с подложкой, образуется т.н. встроенный диод — p-n-переход между стоком и истоком. Часто этот диод рисуют на схемах:

По этой причине большинство МОП-транзисторов могут нормально работать только при прямой полярности напряжения сток-исток. При обратной полярности встроенный диод открывается и пропускает весь ток через себя.
Если сравнивать их с биполярниками это будет их отличием, если же сравнивать с тем ради чего они созданы, это скорее их плюс…
Вообще главный минус всех этих тем, это отсуствие описания диагностики при поломке элемента.
Для меня главный минус этих тем в том, что я хочу все это знать, но видать умом не вышел, хотя с радостью напаял бы чего-нибудь.
Боюсь, дело тут не только в вас, но и в авторах. И это печально.
Вообще, говорят, что в электронике только два вида возможных проблем: есть контакт там, где его быть не должно, или нет контакта там, где он должен быть. Надо просто вникнуть в алгоритм работы схемы, сравнить с действительностью и найти отличие.

Конкретно по транзисторам: МДП должен прозваниваться как диод, а биполярный — как два встречных диода, подключенных к базе. Если это не так, то у вас с ним проблемы.
Был бы автор девушкой, я бы в него влюбился… Конечно местами цитаты из учебника, но именно те которые несут смысл… Прекраснейшая статья…
Был бы автор девушкой, я бы в него влюбился…
Дык это… автор — девушка.
Еще главный минус, этих статей в том, что они о графиках, а не о смысле.
самое удачное объяснение есть у DIHALT на его сайте.
Спасибо за наводку! Очень здорово написано :D Особенно мне понравилось:
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец
Поддерживаю. DiHALT и WildCat — это лучшее, что у нас сейчас в стране есть по электронике. Они несут невероятно полезные знания в массы.
В отличия полевых транзисторов от биполярных добавил бы следующее: у биполярных транзисторов температурный коэффициент сопротивления коллектор-эмиттер отрицательный (т. е. с ростом температуры сопротивление уменьшается и ток коллектор — эмиттер растет). У полевых транзисторов все наоборот — температурный коэффициент сток-исток положительный (с ростом температуры сопротивление растет, и ток сток-исток уменьшается). Важное следствие из этого факта — если биполярные транзисторы нельзя просто так включать параллельно (с целью умощнения), без токовыравнивающих резисторов в цепи эмиттера, то с полевыми все намного проще — благодаря автобалансировке тока сток-исток при изменении нагрузки/нагрева — их можно свободно включать параллельно без выравнивающих резисторов. Это связано с температурными свойствами p-n перехода и простого полупроводника p- или n-типа. По этой причине у полевых транзисторов гораздо реже случается необратимый выходной тепловой пробой, чем у биполярных.

Сейчас полевые транзисторы гораздо шире используются в производстве микросхем (особенно цифровых), чем биполярные, поскольку позволяют делать схемы с практически нулевым статическим током потребления. Аналоговые микросхемы тоже практически всегда делаются на полевых транзисторах (за исключением свервысокочастотных), потому что позволяют получить лучшую линейность усилительной характеристики, по сравнению со схемами на биполярных транзисторах, в широком диапазоне питающих, входных и выходных напряжений. В частности, стало возможным делать reel-to-reel схемы, у которых максимальный размах от пика до пика входных и выходных сигналов одинаков, и почти совпадает с уровнем питающего напряжения. Это позволяет очень просто соединять выход одной усилительной схемы со входом другой, без специальных цепей ограничения напряжения (резисторных делителей).
>без специальных цепей ограничения напряжения (резисторных делителей)

я бы не назвал делитель напряжения на резисторе — ограничителем напряжения, он его делит от не ограничивает. Ограничителем можно назвать операционный усилитель который на выходе не когда не даст больше своего напряжения питания, а на вход может выдержать приличные перегрузки (от конкретной модели зависит)
Я использую полевой транзистор в качестве изменяющегося сопротивления между выводами сток-исток, которое изменяется в зависимости от амплитуды сигнала на затворе.

Есть ли смысл в направлении сток/исток при использовании схемы с общим затвором в этом случае? Нужно ли думать о защите транзистора если один из выводов сток или исток переключается на другие цепи.

Заметил, что почти все статьи и учебники по электронике имеют свой непередаваемый стиль.

Спасибо за статью, наверное, одна из лучших в рунете по полевым транзисторам.
Объясните пожалуйста:
Как вообще может возникнуть обратное напряжение Затвор-Исток? Я так понимаю в схеме с одним источником питания разница потенциалов З-И может быть либо 0, либо положительная (рассматриваем полевой транзистор с каналом n-типа). Пусть питание схемы 5В, И подключён к земле. Соответственно на З я могу подать напряжение 0...5 В, отрицательное же не могу.
Only those users with full accounts are able to leave comments. Log in, please.