Comments 87
Во-вторых, микросхема изготавливается по техпроцессу 130 нм двадцатилетней давности (на нём делались Pentium III и 4, например).
такой, что за 20 лет истекли все патенты. Если Вы вдруг повторите с 1 января 2020 года именно те технологии, что были запатентованы в до 31 декабря 1999 года (а точно 130 нм тогда уже было у Intel?), то никто не может требовать с Вас денег за «имущественные права» на ИС.
А топологию придумают уже сейчас. Причем топология защищена авторским правом 70 лет после смерти автора, а в этом случае нужно права отдать «общественности».
Запатентовали размер 130 нанометров? Давайте ещё число пи кто-то запатентует.
Это ещё хорошо, что никто не может (?) запатентовать понятие типа «применение в электронике оксида Hf вместо/одновременно с оксида Si». Тогда наверное 10% статей «оптических» в «Journal of Applied Physics» не было бы создано:)
А так, идея у Вас отличная. Нужно запатентовать TM — «11 nm». Конечно уже устарел, но Intel с трудом 10 нм делает.
А специфика по нормам для стойких к специальным воздействующим фактором такова, что спецстойкие чипы делают и по 45 нм и даже по 22 нм. 12 нм на очереди в ближайшем будущем.
Во первых, нужно узнать ширину з.з. конкретной модификации скажем оксида кремния. Здесь вижу в комментариях величины 5.5-6.3 эВ. Значит, если энергия фотонов выше — идет генерация пары «электрон + дырка», на что тратится часть энергии фотона.
По поводу комментария amartology. Конечно протон с кин. энергией 75 ГэВ сделает микросхеме много проблем. И как где-то уже обсуждали, как защищать конкретно п/п от частиц с кин. энергией скажем 142 эВ — большой вопрос. Если защита превращает фотон или протон в лавину частиц шириной 22 нм — плохо будет многим транзисторам/резисторам.
Во первых, нужно узнать ширину з.з. конкретной модификации скажем оксида кремнияА как УФ-излучение доберется до оксида кремния, если у чипа (и у спутника, раз уже на то пошло) есть металлический корпус?
Если защита превращает фотон или протон в лавину частиц шириной 22 нм — плохо будет многим транзисторам/резисторам.Правильная схемотехника способна решать такие проблемы, там все достаточно хорошо понятно и отработано.
если у чипа (и у спутника, раз уже на то пошло) есть металлический корпус?
Это конечно аргумент. От гамма-излучения создадим слой в 4.75 см железа и хватит. Как раз превратим 1 фотон с энергией 100 кэВ в 20000 фотонов с энергией 5 эВ и потом будем смотреть, правы ли Вы в этом:
Правильная схемотехника способна решать такие проблемы
20000 фотонов с энергией 5 эВКакая часть этой энергии таких фотонов будет передана кремнию? Но вы правы в том, что защита из тяжелых элементов, уменьшая дозовую нагрузку, ухудшает ситуацию по одиночным сбоям. Но эта проблема тоже понятна и хорошо известна, и как с ней бороться, тоже понятно. В худшем случае будет разумно выключить всю систему на некоторое небольшое время, чтобы минимизировать риски.
Только не надо, пожалуйста, передергивать и подменять УФ-излучение на гамму. Это просто некрасиво. Вы задали один вопрос, а ответа на самом деле требуете на совсем другой.
И, на самом деле, металл хорошо поглощает всякое излучение. Тот же рентген — берем металл с атомной массой 40 или выше, плотность хотя бы [0.04*Z] г/куб. см — хорошо поглощаться будет, ИМХО.
Переведет в ток, это как бы возникнет ЭМ волна, которая разойдется во все стороны по металлу.
Зато они замечаются с продуктами ядерных реакций при взаимодействии материала защиты с прилетающими протонами/нейтронами. По одиночным сбоям ситуация становится хуже, но тоже не катастрофическая.
Вот ссылка, чтоб не быть голословным.
Механизм поглощения (основной) при энергии явно больше 1 МэВ — рождение электрон-позитронных пар. Значит потом эти позитроны куда-то летят и рождают 2 или 3 фотона с суммарной энергией 1 МэВ.
Там энергии и скорости такие, что метр свинца могут прошибить, не то что полиэтилен. Невозможно экранировать обозримыми мерами.
А что КА не может нести защиту от таких частиц — это факт. Нужно силовое поле из «научной» фантастики. Или просто магнитное поле B = 1020 единиц СГС.
Тогда рождается гамма-излучение и необходимы хотя бы 25 см. свинца после точки столкновения протона с условным полиэтиленом.С учетом того, что в любой современной микросхеме контакты от транзисторов к первому уровню металлизации сделаны из вольфрама, вся затея с металлической защитой выглядит не очень)
контакты от транзисторов к первому уровню металлизации сделаны из вольфрама
Интересный факт, не знал. А 25 см. брал для условной потери энергии 30-40 МэВ до энергии 1 эВ. Так что вполне возможно, что получим 40 миллионов вторичных фотонов или хотя бы электронов с энергией явно выше «тепловых» 0.026 эВ.
А вот как защищают детекторы LHC от «лавины» столкновения с частицей энергии 6.5 ТэВ (кроме нужных частиц) — другой вопрос.
скорее всего будут размещать на краях стандартной круглой пластины, отсюда и ограничение в 10см.кв и технологию 130нм, так что это попутное производство будет.
Разместить что-то в качестве «попутного производства» только по краям какой-то пластины, предназначенной для большой серии — во-первых, глупо, во-вторых, дорого, в-третьих, неудобно.
В реальности это будет, повторюсь, один комплект шаблонов на все проекты, с площадью 400 квадратных миллиметров и примерно семьюдесятью копиями этого шаблона на двухсотмиллиметровой пластине. Если пластину делать будут одну — раздадут участникам по пятьдесят чипов. Если две — по сто.
Во-вторых, на краях пластины можно произвести что-то только по той же самой технологии, что в центре платины.
В-третьих, MPW — это просто запуск 1-2 пластин с комплектом фотошаблонов, на котором много разных проектов. Не надо изобретать велосипеды там, где их нет, достаточно пару минут погуглить.
10мм2 это дозагрузка отходов от пластин.
Чипсеты к более свежим процессорам. Управляющие схемы для силовой электроники. Цифровые звуковые усилители. Троичные компьютеры. Протезы для сгоревших чипов в блоках управления устаревшими дорогими устройствами. «and so on and so forth»
Бывают приемники получше, например, 32-канальный NV08C-CSM или даже новый 220-канальный PX1122R. Последний — вообще-то неплохой, но цена кусачая, а характеристики всё ещё не выдающиеся. Им по-прежнему далеко до лейковских модулей с 500+каналами и дополнительными алгоритмами, дающими действительно высокую точность.
Вопрос надо ставит так: «а что полезного нельзя сделать на 130 нм?» И список ответов будут довольно коротким.
всё абсолютно бесплатно: от проверки чипа на аппаратном языке и симуляторе до фактического производстваВот этого нигде не сказано, и никаких САПР для разработки и верификации не дадут)
Не надо обманывать бедных хоббийщиков.
Это не говоря уже о том, что прямо сейчас это всё только слова, а в репозиторий натгитхабе залит один (!) логический элемент, и только логическаие описания, без бэкенда.
UPD Внимательное чтение первоисточников показало, что САПР таки дадут. С efabless.com Он неудобный и кривой, но намного лучше, чем ничего)
Цель состоит в том, чтобы разработать полностью открытый производственный процесс производства полупроводников.
Возможно, здесь заключён ответ, но я, опять же, не понимаю, зачем это Google.
вначале и ютуб не монетизиповался, они отладят прием заявок на производство микроэлектроники, а потом попробуют построить на этом бизнес. Печатные платы предлагают сейчас по почте сделать, раньше это было фантастикой, может это это следуюший шаг — заказ своих чипов по почте )))
Плюс тестят, как вообще рынок себя ведет в этой области.
Скорее всего просто гугл присматривается к людям и идеям, плюс как обычно толкает странные идеи открытости, но согласитесь, что если бы существовал процессорный гений в глубинке Швейцарии без денег на осуществление своего проекта, то гугл бы с радостью спер его идеи в ходе этой акции. Тот факт, что таких гениев нет — это уже десятый вопрос.
-
О! Их уже купить можно! minimalfab.ru
И вроде бы в России не запрещены!
Мопед не мой, но в 2018 г. обещали, что к концу 2019 г. будет 0,1 микрон.
Ну а фантастика — это провести «тюнинг» одного чипа путем перемещения атомов с помощью АСМ (микроскопа). Скажем добавить примесей в тот транзистор, в котором их не хватает.
Можно, например, сделать свободный контроллер сервопроводов, в идеале чтобы он потом стал стандартом в отрасли. Управление двигателями, коллекторными/шаговыми/бесколлекторными, обратная связь, термоконтроль, обмен с МК и тп
Google бесплатно изготовит любой опенсорсный чип на техпроцессе 130 нм