Comments 10
Так и ничего не известно о емкости этих накопителей в реальных продуктах )
Забавно, что память будет выпускаться не только в виде PCI-E устройств, но и в форм-факторе DIMM.
Почему забавно? Логично же, если постоянная память будет не медленнее и не дороже оперативной, вообще отпадёт необходимость их разделения как на уровне железа, так и на уровне ОС. Потому интерфейс следует оценивать в первую очередь по его пропускной способности, а не историческому предназначению. Когда-то роль такой универсальной памяти прочили мемристорам, но они так и не появились в магазинах. Может быть, у интела выйдет лучше.
Вряд ли Optane сможет заменить оперативную память, из-за невысокого количества перезаписей (всего «в тысячу раз» лучше чем у Flash). По предположению The Platform, Optane станет промежуточным уровнем в иерархии памяти — между DRAM и Flash: www.theplatform.net/2015/07/29/scaling-the-growing-system-memory-hierarchy — Scaling The Growing System Memory Hierarchy July 29, 2015 Timothy Prickett Morgan
"“My belief is that they fit in between SSDs and DRAM, and DRAM may have a hierarchy unto itself,” says Klein" (Dean Klein, VP Memory System Development at Micron Technology, Inc.)
"“My belief is that they fit in between SSDs and DRAM, and DRAM may have a hierarchy unto itself,” says Klein" (Dean Klein, VP Memory System Development at Micron Technology, Inc.)
Предыдущий пост про эту память — geektimes.ru/post/259576
«Intel, совместно с Micron Technology, уже в этом году, совершат революционный прорыв в энергонезависимой памяти» — 31 июля 2015, EvilGenius18
www.theplatform.net/2015/08/18/intel-reveals-plans-for-optane-3d-xpoint-memory Intel Reveals Plans For Optane 3D XPoint Memory — August 18, 2015, Timothy Prickett Morgan, The Platform
Т.е. Optane лишь в несколько раз плотнее DRAM (у dram сейчас кристаллы по 4-8 Гбит), и, соответственно в несколько раз менее плотная чем современные NAND Flash (128-256 Гбит/кристалл).
«Intel, совместно с Micron Technology, уже в этом году, совершат революционный прорыв в энергонезависимой памяти» — 31 июля 2015, EvilGenius18
www.theplatform.net/2015/08/18/intel-reveals-plans-for-optane-3d-xpoint-memory Intel Reveals Plans For Optane 3D XPoint Memory — August 18, 2015, Timothy Prickett Morgan, The Platform
3D XPoint memory, which can split the difference between volatile DRAM memory and non-volatile NAND flash memory in terms of performance, addressability, and cost. To put it simply, 3D XPoint will have about 1,000 times the performance of NAND flash, 1,000 times the endurance of NAND flash and about 10 times the density of DRAM.
Т.е. Optane лишь в несколько раз плотнее DRAM (у dram сейчас кристаллы по 4-8 Гбит), и, соответственно в несколько раз менее плотная чем современные NAND Flash (128-256 Гбит/кристалл).
The cost of capacity will also be somewhere between that of DRAM and NAND flash, but where that slider on price ends up depends on demand, manufacturing ramp, and other factors…
The initial 3D XPoint memory chips that Intel and Micron are producing in their joint fab in Lehi, Utah have 128 Gbits of capacity and use two layers of cells; that yields 16 GB capacity per chip…
and thus far all the company will say is that they will be coming sometime in 2016.
>>about 10 times the density of DRAM
Это вообще-то переводится как в 10 раз более плотная чем DRAM.
Это вообще-то переводится как в 10 раз более плотная чем DRAM.
Да, и при этом она уже почти такая же плотная как NAND Flash — geektimes.ru/post/259576
«Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. „
“Изначальная технология позволяет хранить 16 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти»
16 ГБайт = 128 Gbit
www.theplatform.net/2015/08/18/intel-reveals-plans-for-optane-3d-xpoint-memory
«The initial 3D XPoint memory chips that Intel and Micron are producing in their joint fab in Lehi, Utah have 128 Gbits of capacity and use two layers of cells; that yields 16 GB capacity per chip.»
Сравнение с DRAM на слайдах (8x-10x) — habrastorage.org/files/009/6a2/4a2/0096a24a21e047ccbc0a96a2517cf92f.png
«Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. „
“Изначальная технология позволяет хранить 16 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти»
16 ГБайт = 128 Gbit
www.theplatform.net/2015/08/18/intel-reveals-plans-for-optane-3d-xpoint-memory
«The initial 3D XPoint memory chips that Intel and Micron are producing in their joint fab in Lehi, Utah have 128 Gbits of capacity and use two layers of cells; that yields 16 GB capacity per chip.»
Сравнение с DRAM на слайдах (8x-10x) — habrastorage.org/files/009/6a2/4a2/0096a24a21e047ccbc0a96a2517cf92f.png
Sign up to leave a comment.
Intel Optane: новый бренд для революционной памяти 3D XPoint