Comments 45
Скоро не наступит
Закон Мура из линейного превратится в асимптотический, каждое дальнейшее продвижение будет требовать бОльших вложений средств и времени. Со стремлением к пределу в бесконечности.
Будут поиски диэлектриков с меньшим размером кристаллической решетки, есть технологии изменения размера и вида кристаллической решетки под давлением, не обратимые. По принципу получения алмазов и металлического водорода. И даже изменения размера атома — переход валентных электронов на другую орбиту.
При давлении
4 ГПа у цезия происходят еще два перехода.
После первого перехода, как показал РСА, возникает
также ГЦК-структура, но с периодом решетки на
∼3% меньше. Структура второго перехода еще не
расшифрована. Изоморфный переход с уменьшением
объема может происходить, если уменьшается
“радиус” атома. Это и наблюдается на опыте.
Размер атома, обусловленный его валентными
электронами, уменьшается за счет перехода электрона
в состояние с меньшим радиусом электронной
оболочки.
И в итоге приведет к удорожанию конечной продукции, но бесконечно нельзя цены поднимать.
www.xe.com/currencycharts/?from=USD&to=CNY&view=10Y
За десятилетний отрезок времени я вижу максимальные колебания аж в целых 15%. Такая «резкость» даже не снилась крупнейшему государству в мире) Можно только мечтать.
Я понимаю, в свое время читал эту статью.
Но все равно, некоторые расстояние в транзисторах из-за квантовых эффектов уже особо не уменьшишь. Понятно, что мы ещё какими-то хаками будем уменьшать техпроцесс, но предел уже близко.
Как-то на IBM мероприятии они хвастались, что на одном из марсоходов их Power толи 3 толи 4. А это уже были времена Power 7. Типа только они смогли предложить относительно мощный процессор общего назначачения на большом техпроссе и хорошо защищенный от космической радиации, как физически, так и схемотехнически. Говорят, что их системы отслеживания ошибок позволяют процессору повторить инструкцию прерваную из попадания высокоенергитической частицы извне (в разумных приделах, разумеется). Они даже статистику приводили по этому поводу, но я уже подзабыл цифры.
толи 3 толи 4. А это уже были времена Power 7Это не проблема меньшей стойкости новых техпроцессов, это проблема сроков сертификации микросхем для ответственных применений. Сделать радстойкий (для космоса) процессор можно на вообще любой технологии 350 нм и ниже от любой фабрики.
Прямо сейчас уровень проектных норм космических процессоров — 65-45 нм, первые изделия по 28-20 нм появятся через пару лет.
Говорят, что их системы отслеживания ошибок позволяют процессору повторить инструкцию прерваную из попадания высокоенергитической частицы извнеТакое и на коммерческом процессоре можно сделать (и активно делается). Специально спроектированные процессоры могут не повторить инструкцию, а просто работать дальше, скорректировав ошибку за счет встроенного резервирования.
А цифровая обработка данных идет на серийных серверах в безопасном месте.
Я вовсе не электронику сенсоров имел в виду, она может быть хоть ламповой, если в конкретном месте это наилучший вариант окажется.
Статьи же упомянул лишь к тому, что они наводят на мысли о частицах летающих как и когда им вздумается.
Главное — не ставить суперкомпьютер в метро и помнить о том, чтобы в материале корпуса микросхемы не было источников альфа-частиц.
По крайней мере от космического компонента радиации слой земли сверху должен давать какую-то доп. защиту, хотя и далеко не полную. А в плане того что просачивается из земли в виде разных газов (радона в первую очередь и последующих продуктов его распада) должна удалять вентиляция. Что еще есть из неблагоприятных факторов?
Хотя в этом плане есть и собственные «аномалии»: гранитные набережные рек, где гранит не просто для облицовки, а сплошные толстые несущие плиты из гранита. На таких гамма фон вполне в 3-5 раз выше среднего по городу может быть. Сколько там еще альфы и беты дополнительно даже не знаю.
Нынешние и переспективные разработки радстойких микропроцессоров — это уровень 28-20 нм, и там все с радиационной стойкостью довольно неплохо. Особенно если учесть, что в FDSOI технологии (на которой делается перспективный европейский процессор DAHLIA) нет тиристорного эффекта.
Ну и в целом, с радиационной стойкостью у маленьких проектных норм все обычно хорошо, хуже как раз со старыми нормами и с теми новыми процессами, где используются большие размеры (например, в высоковольных схемах).
Так что, скажем, 5 нм в затворе транзистора — это не 9-10 атомов, а 18-19. Еще есть куда двигаться!
ИБМ ещё с алмазными полупроводниками экспериментирует, вроде бы. Там размер атомов ещё меньше.
Блин, ум за разум заходит, как представляю транзистор, размером в десяток атомов. Там же ещё легирующие элементы, их вообще считанные атомы получаются на элемент. Колдунство какое то.
Про фокусы с долегированием германием и прочими растянутые решетки для преодоления падения подвижности я даже начинать не хочу.
Про литографию, немного странно: 193 нм используют уже много лет, скорее бы стоило написать, что она иммерсионная и с четырехкратным экспонированием.
И, конечно, не переход к EUV позволил улучшить характеристики транзисторов, а просто набор performance knobs: различных приемов оптимизации структур, распределений стресса и примесей и тп.
EUV дает чисто финансовый плюс: можно вместо сложной многократной экспозиции сделать все за один раз. Но процесс крайне медленный и дорогой, так что пока не ясно, войдет ли он в технологию действительно, хотя и тайваньцы и корейцы и американцы делают на него ставку.
А сам транзистор далеко не 5нм и даже не 14…
Так что никакого прорыва нет.
Ну в той статье, неплохой кстати, это место было вообще не в тему: ширина фина к нормам производства и плотности транзисторов не имеет отношения (вернее имеет, но очень сложное): она определяется ограничениями, связанными с квантовой физикой (которая определяет распределения плотоности тока в канале в таким маленьких системах) и механическими свойствами: фин надо делать повыше, но если он слишком тонок, он просто сломается.
EUV-литография делает возможной печать линий шириной до 30 нм и формирование элементов структуры электронных микросхем размером менее 45 нмТ.е. 7 нм нет даже близко. Кроме того, было 7 нм, стало 7нм, но при этом "снизилось энергопотребление производимых микросхем на 8% и увеличилась плотность транзисторов на 20%". Как?
Видимо нынешние нанометры какие-то неправильные, подпорченные маркетологами.
5-нм на подходе — когда ждать новый техпроцесс